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Bom preço Wafer SIC de carburo de silício 10*10 mm 6H-P Espessura 350μm Para dispositivos de alta potência On-line
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Substrato de Carbeto de Silício 4H para Eletrônica de Potência, Dispositivos RF e Optoeletrônica UV

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2 polegadas/4 polegadas/6 polegadas/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrato de Carbono de Silício Tipo 3C-N No eixo: < 111 > ± 0,5° Grau de produção Grau de simulação

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