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2 polegadas 4H-P SIC Wafer de carburo de silício para fotovoltaicos espessura 350μm Diâmetro 50,8mm Grau zero

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2 polegadas 4H-P SIC Wafer de carburo de silício para fotovoltaicos espessura 350μm Diâmetro 50,8mm Grau zero

2Inch 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer For Photovoltaics Thickness 350μm Diameter 50.8mm Zero Grade
2Inch 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer For Photovoltaics Thickness 350μm Diameter 50.8mm Zero Grade 2Inch 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer For Photovoltaics Thickness 350μm Diameter 50.8mm Zero Grade 2Inch 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer For Photovoltaics Thickness 350μm Diameter 50.8mm Zero Grade 2Inch 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer For Photovoltaics Thickness 350μm Diameter 50.8mm Zero Grade 2Inch 4H-P SIC Silicon Carbide Wafer For Photovoltaics Thickness 350μm Diameter 50.8mm Zero Grade

Imagem Grande :  2 polegadas 4H-P SIC Wafer de carburo de silício para fotovoltaicos espessura 350μm Diâmetro 50,8mm Grau zero

Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: ZMSH
Certificação: rohs
Número do modelo: 4H-P SiC
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 10 por cento
Preço: by case
Detalhes da embalagem: Caixa de plástico personalizada
Tempo de entrega: em 30days
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 1000pc/month
Contato
Descrição de produto detalhada
Dureza da superfície: HV0,3>2500 Densidade: 3.21 G/cm3
Coeficiente de expansão térmica: 4,5 X 10-6/K Constante dielétrica: 9,7
Resistência à tração: >400MPa Material: SiC Monocristal
Tamanho: 2 polegadas Tensão de ruptura: 5,5 MV/cm
Destacar:

Wafer de carburo de silício de 350 μm Sic

,

Fotovoltaics SIC Wafer de carburo de silício

,

50Wafer de carburo de silício de.8 mm SIC

Descrição do produto:

2 polegadas 4H-P SIC Wafer de carburo de silício para fotovoltaicos espessura 350μm Diâmetro 50,8mm Grau zero

O carburo de silício 4H-P (SiC) é um material semicondutor importante comumente usado em dispositivos eletrônicos de alta temperatura, alta frequência e alta potência.4H-SiC é um tipo de sua estrutura cristalina que tem uma estrutura de rede hexagonalA largura de banda (aproximadamente 3,26 eV) permite-lhe operar em ambientes de alta temperatura e alta tensão.pode conduzir e dissipar o calor de forma eficazA alta condutividade térmica (cerca de 4,9 W/m·K), superior ao silício, pode conduzir e dissipar o calor de forma eficaz.O carburo de silício dopado de tipo P tem uma baixa resistividade e é adequado para a construção de junções PNCom o desenvolvimento dos veículos eléctricos e das tecnologias de energia renovável, a procura de carburo de silício tipo 4H-P deverá continuar a crescer.impulsionar a investigação relacionada e os avanços tecnológicos.

2 polegadas 4H-P SIC Wafer de carburo de silício para fotovoltaicos espessura 350μm Diâmetro 50,8mm Grau zero 02 polegadas 4H-P SIC Wafer de carburo de silício para fotovoltaicos espessura 350μm Diâmetro 50,8mm Grau zero 1

Características:

· Tipo: o cristal 4H-SiC tem uma estrutura de rede hexagonal e apresenta excelentes características elétricas.

· Largo intervalo de banda: aproximadamente 3,26 eV para aplicações de alta temperatura e alta frequência.

· Dopagem do tipo P: a condutividade do tipo P é obtida por elementos dopantes como o alumínio, aumentando a concentração do condutor dos poros.

· Resistividade: baixa resistência, adequada para dispositivos de alta potência.

· Alta condutividade térmica: aprox. 4,9 W/m·K, dissipador de calor eficaz, adequado para aplicações de alta densidade de potência.

· Resistência a altas temperaturas: pode funcionar de forma estável em ambientes de alta temperatura.

· Alta dureza: resistência mecânica muito elevada e resistência a condições adversas.

· Alta tensão de ruptura: capaz de suportar tensões mais elevadas e reduzir o tamanho do dispositivo.

· Baixa perda de comutação: boas características de comutação em operações de alta frequência para melhorar a eficiência.
· Resistência à corrosão: boa resistência à corrosão a uma ampla gama de produtos químicos.

· Ampla gama de aplicações: adequado para veículos elétricos, inversores, amplificadores de alta potência e outros campos.

2 polegadas 4H-P SIC Wafer de carburo de silício para fotovoltaicos espessura 350μm Diâmetro 50,8mm Grau zero 22 polegadas 4H-P SIC Wafer de carburo de silício para fotovoltaicos espessura 350μm Diâmetro 50,8mm Grau zero 3

Parâmetros técnicos:

2 polegadas 4H-P SIC Wafer de carburo de silício para fotovoltaicos espessura 350μm Diâmetro 50,8mm Grau zero 4

Aplicações:

1Eletrónica de potência
Conversores de potência: para adaptadores de potência e inversores eficientes, de menor dimensão e de maior eficiência energética.
Veículos elétricos: Otimizar a eficiência de conversão de energia nos módulos de accionamento e nas estações de carregamento de veículos elétricos.

2. Dispositivos de RF
Amplificadores de microondas: Usados em sistemas de comunicação e radar para fornecer desempenho confiável de alta frequência.
Comunicações por satélite: amplificador de alta potência para satélites de comunicação.

3Aplicações a altas temperaturas
Sensor: Sensor utilizado em ambientes de temperaturas extremas, capaz de funcionar de forma estável.
Equipamento industrial: equipamento e instrumentos adaptados a condições de alta temperatura.

4. Optoelectrónica
Tecnologia LED: Utilizada para melhorar a eficiência luminosa em LEDs específicos de comprimento de onda curto.
Laser: Aplicações eficientes de laser.

5Sistema de energia.
Rede inteligente: Melhorar a eficiência energética e a estabilidade na transmissão e gestão da rede de corrente contínua de alta tensão (HVDC).

6. Eletrónica de Consumo
Dispositivo de carregamento rápido: Carregador portátil para dispositivos eletrônicos que melhora a eficiência de carregamento.

7Energia renovável
Inverter solar: alcançar uma maior eficiência de conversão de energia nos sistemas fotovoltaicos.

2 polegadas 4H-P SIC Wafer de carburo de silício para fotovoltaicos espessura 350μm Diâmetro 50,8mm Grau zero 5

Personalização:

O nosso substrato SiC está disponível no tipo 4H-P e é certificado RoHS. A quantidade mínima de encomenda é de 10pc e o preço é por caso. Os detalhes da embalagem são caixas de plástico personalizadas.O tempo de entrega é dentro de 30 dias e aceitamos termos de pagamento T / TA nossa capacidade de fornecimento é de 1000pcs/mês. O tamanho do substrato de SiC é de 2 polegadas.

2 polegadas 4H-P SIC Wafer de carburo de silício para fotovoltaicos espessura 350μm Diâmetro 50,8mm Grau zero 6

Os nossos serviços:

1- Fabricação e venda diretas.

2Citações rápidas e precisas.

3Responder-lhe-emos no prazo de 24 horas úteis.

4. ODM: O design personalizado é disponível.

5Rapidez e entrega preciosa.

Perguntas frequentes:
P: Qual é a forma de envio e custo?
A: ((1) Aceitamos DHL, Fedex, EMS etc.
(2) Se você tem sua própria conta expressa, é ótimo. Se não, podemos ajudá-lo a enviá-los.
O frete está de acordo com a liquidação real.

P: Como pagar?
A: 50% de depósito, 50% antes da entrega T/T, Paypal.

Q: Qual é o seu MOQ?
R: (1) Para inventário, o MOQ é de 10pcs.
(2) Para produtos personalizados, o MOQ é de 25pcs.

P: Qual é o prazo de entrega?
A: (1) Para os produtos normalizados
Para o inventário: a entrega é de 5 dias úteis após a sua encomenda.
Para produtos personalizados: a entrega é de 2 ou 3 semanas após a sua encomenda.

etiqueta:

sic bolacha,

sic carcaça,

carcaça do carboneto de silicone

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