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4° Fora do eixo Substrato SiC 2 polegadas Aplicações de alta temperatura Wafer epitaxial

Sic carcaça
2024-05-29
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4° Fora do eixo Substrato SiC 2 polegadas Aplicações de alta temperatura Wafer epitaxial Descrição do produto: O substrato de SiC tem também uma rugosidade de superfície de Ra < 0,5 nm, o que é ... Vista mais
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4° Fora do eixo Substrato SiC 2 polegadas Aplicações de alta temperatura Wafer epitaxial
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