Detalhes do produto
Lugar de origem: China
Marca: ZMSH
Certificação: rohs
Número do modelo: 4H-P SiC
Termos de pagamento e envio
Quantidade de ordem mínima: 10 por cento
Preço: by case
Detalhes da embalagem: Caixa de plástico personalizada
Tempo de entrega: em 30days
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 1000pc/month
Dureza da superfície: |
HV0,3>2500 |
Densidade: |
3.21 G/cm3 |
Coeficiente de expansão térmica: |
4,5 X 10-6/K |
Constante dielétrica: |
9,7 |
Resistência à tração: |
>400MPa |
Materiais: |
SiC Monocristal |
tamanho: |
4inch |
Tensão de ruptura: |
5,5 MV/cm |
Dureza da superfície: |
HV0,3>2500 |
Densidade: |
3.21 G/cm3 |
Coeficiente de expansão térmica: |
4,5 X 10-6/K |
Constante dielétrica: |
9,7 |
Resistência à tração: |
>400MPa |
Materiais: |
SiC Monocristal |
tamanho: |
4inch |
Tensão de ruptura: |
5,5 MV/cm |
· Tipo: o cristal 4H-SiC tem uma estrutura de rede hexagonal e apresenta excelentes características elétricas.
· Largo intervalo de banda: aproximadamente 3,26 eV para aplicações de alta temperatura e alta frequência.
· Dopagem do tipo P: a condutividade do tipo P é obtida por elementos dopantes como o alumínio, aumentando a concentração do condutor dos poros.
· Resistividade: baixa resistência, adequada para dispositivos de alta potência.
· Alta condutividade térmica: aprox. 4,9 W/m·K, dissipador de calor eficaz, adequado para aplicações de alta densidade de potência.
· Resistência a altas temperaturas: pode funcionar de forma estável em ambientes de alta temperatura.
· Alta dureza: resistência mecânica muito elevada e resistência a condições adversas.
· Alta tensão de ruptura: capaz de suportar tensões mais elevadas e reduzir o tamanho do dispositivo.
· Baixa perda de comutação: boas características de comutação em operações de alta frequência para melhorar a eficiência.
· Resistência à corrosão: boa resistência à corrosão a uma ampla gama de produtos químicos.
· Ampla gama de aplicações: adequado para veículos elétricos, inversores, amplificadores de alta potência e outros campos.
O nosso substrato SiC está disponível no tipo 4H-P e é certificado RoHS. A quantidade mínima de encomenda é de 10pc e o preço é por caso. Os detalhes da embalagem são caixas de plástico personalizadas.O tempo de entrega é dentro de 30 dias e aceitamos termos de pagamento T / TA nossa capacidade de fornecimento é de 1000pcs/mês. O tamanho do substrato de SiC é de 4 polegadas.