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Bom preço Substrato composto de carburo de silício semi-isolante de 6 polegadas Tipo P Tipo N Tipo de polonês único Duplo Polonês Grau de produção On-line
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2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 5×5 mm 10×10 mm 4H-SiC Substratos 3C-N Tipo MOS Grau

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Wafer SICOI de 4 polegadas, 6 polegadas e 8 polegadas, 4H-SiC sobre o isolante, filme de 100 a 150 mm de silicone

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tipo da categoria N da produção da carcaça do carboneto de silicone da bolacha de 8inch DSP 4H sic para a experiência

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2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de carburo de silício 4H 6H 3C Tipo de suporte Personalizar Indústria de semicondutores Tamanhos múltiplos

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Wafer de sementes de SiC 4H N Tipo Dia 153 155 2 polegadas-12 polegadas Personalizado para fabricação de MOSFETs

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Sic Dispositivos de semicondutores de carburo de silício Formas de cristais múltiplos 4H 6H 3C Chips de comunicação 5G de tamanho personalizado

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Wafer de sementes de SiC de espessura de 8 polegadas 600±50um Tipo de produção 4H para crescimento de cristais de carburo de silício

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Bolacha Epitaxial SiC Tipo 4H-N de 2 polegadas de diâmetro (50,8 mm) para Sensores de Alta Temperatura

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Wafer epitaxial SiC de 4H 6 polegadas 100μm/200μm/300μm para dispositivo MOS de ultra-alta tensão (UHV)

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