Wafers de sementes de cristais de SiC Dia 205 203 208 Crescimento de PVT/HTCVD de grau de produção

Wafers de sementes de cristais de SiC Dia 205 203 208 Crescimento de PVT/HTCVD de grau de produção

Os Wafers de Cristal de Sementes de Carbono de Silício (SiC) são os materiais fundamentais para o crescimento de cristal único de SiC e a fabricação de dispositivos, produzidos por corte, moagem,e polimento de cristais de SiC de alta purezaEssas placas apresentam condutividade térmica ultra-alta (4,9 W/cm·K), força de campo de ruptura excepcional (24 MV/cm), largura de banda (3,2 eV) e inércia química.tornando-os críticos para aplicações em ambientes extremos como a aeroespacialA partir daí, o processo de formação de um sistema de transmissão de energia nuclear, a energia nuclear e a eletrônica de alta potência, serve de "semente" para o crescimento dos cristais, a sua orientação cristalográfica (por exemplo, politipo 4H-SiC), a sua planitude de superfície, a sua densidade e a sua densidade.e densidade de micropaipo influenciam diretamente a qualidade dos lingotes a jusante e desempenho do dispositivoA ZMSH fornece wafers de cristal de sementes de SiC de 2 ′′12 polegadas com diâmetros de 153 mm, 155 mm, 203 mm, 205 mm e 208 mm, atendendo aos setores de semicondutores, energia renovável e industrial.

Características principais da bolacha de sementes de SiC

1Superioridade Física e Química
- Durabilidade extrema: as Wafers de Cristal de Sementes de SiC suportam temperaturas superiores a 1700°C e exposição a radiação, sendo ideais para aplicações aeroespaciais e nucleares.
- Desempenho elétrico: A alta velocidade de saturação de elétrons (2,7 × 107 cm/s) permite dispositivos de alta frequência (por exemplo, amplificadores de RF 5G).
- Controle de defeitos: a densidade dos microtubos < 1 cm­2 e os defeitos mínimos dos politipos garantem um crescimento uniforme dos lingotes.

2. Processos de Fabricação Avançados
- Crescimento de Cristal:As bolhas de cristal de sementes de SiC utilizam o transporte físico de vapor (PVT) ou a deposição química de vapor a alta temperatura (HTCVD) para controlar com precisão os gradientes de temperatura e o transporte de precursores.
- Técnicas de processamento: Os Wafers de cristal de sementes de SiC utilizam serragem de fios múltiplos, moagem de diamantes e corte laser furtivo para alcançar uma rugosidade de superfície ≤ Rz 0,1 μm e precisão dimensional ± 0,1 mm.

3. Especificações flexíveis
- Diversidade de tamanho: As Wafers de cristal de sementes de SiC suportam wafers de 2 ′′ 12′′ (153 ′′ 208 mm de diâmetro), adaptáveis a dispositivos de energia, módulos de RF e aplicações de sensores.

Especificações técnicas das bolhas de sementes de SiC

Aplicações primárias deWafer de sementes de SiC

1Indústria de semicondutores.

· Dispositivos de potência: habilitar MOSFETs e diodos SiC para inversores de veículos elétricos, melhorando a eficiência em 10­15% e reduzindo o volume em 50%.
· Dispositivos de RF: As Wafers de Cristal de Semente de SiC sustentam as estações base 5G PA e LNA para comunicação de ondas milimétricas.

2,Energias renováveis e indústria

· Solar/Armazém: É fundamental para inversores fotovoltaicos de alta eficiência, minimizando as perdas de conversão de energia.
· Motores industriais: a tolerância a altas temperaturas reduz os requisitos de arrefecimento em motores de alta potência.

3, Tecnologias emergentes

· Aeroespacial: a resistência à radiação garante a fiabilidade da electrónica espacial.
· Computação Quântica: as wafers de alta pureza suportam bits quânticos semicondutores de baixa temperatura.

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Vantagem competitiva da ZMSH em Wafers de Cristal de Sementes de SiC

1Capacidades técnicas integradas
Masterização do crescimento: Domina os processos PVT e HTCVD, alcançando a produção de pequenos lotes de wafer de 8 polegadas com rendimento líder do setor.
Personalização: oferece flexibilidade de diâmetro (153 mm) e processamento especializado (por exemplo, trincheira, revestimento).

2. Roteiro estratégico
Inovação tecnológica: Desenvolvimento de epitaxia de fase líquida (LPE) para reduzir defeitos e avançar na produção em massa de wafers de 12 polegadas (redução de custos de 30% até 2025).
Expansão do mercado: colaboração com os sectores dos veículos elétricos e das energias renováveis, integração de heterostruturas GaN/SiC para sistemas de próxima geração.

Método PVT/HTCVD para o forno de crescimento de cristais de SiC:

O forno de crescimento de cristais de SiC PVT/HTCVD da ZMSH: