Substrato 3C-SiC tipo N Categoria de produto para comunicações 5G
A ZMSH é especializada em I&D e produção de materiais semicondutores de terceira geração, com mais de uma década de experiência na indústria.Fornecemos serviços personalizados para materiais semicondutores como safiraNo campo do carburo de silício (SiC), cobrimos substratos do tipo 4H/6H/3C, suportando fornecimento de tamanho completo de wafers de 2 a 12 polegadas,com personalização flexível para atender às exigências do cliente, a realização de serviços industriais e comerciais integrados.
Os nossos substratos de SiC são projetados para dispositivos de energia de alta frequência e aplicações automotivas (por exemplo, inversores EV), oferecendo estabilidade térmica de até 1,600°C e condutividade térmica de 49 W/m·K Adotamos padrões internacionais e possuímos certificações para materiais aeroespaciais, garantindo a compatibilidade com ambientes extremos.
- Não.
Características essenciais do substrato 3C-SiC
1. Cobertura multi-tamanho:
- Tamanhos padrão: 2 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas.
- Dimensões personalizáveis: de 5×5 mm a especificações personalizadas.
2Baixa densidade de defeito:
- Densidade microvoide < 0,1 cm−2, resistividade ≤ 0,0006 Ω·cm, garantindo alta confiabilidade do dispositivo.
3. Compatibilidade dos processos:
- Substrato 3C-SiC é sA utilização de um sistema de transmissão de dados é muito difícil.
- Flatitude da superfície: λ/10 @ 632,8 nm, ideal para a fabricação de dispositivos de precisão.
Propriedades do material do substrato 3C-SiC
1Vantagens elétricas:
- Alta mobilidade eletrônica: 3C-SiC atinge 1.100 cm2/V·s, superando significativamente 4H-SiC (900 cm2/V·s), reduzindo as perdas de condução.
- Largo intervalo de banda: 3,2 eV permitem uma tolerância de alta tensão (até 10 kV).
2Performance térmica:
- Alta condutividade térmica: 49 W/m·K, superior ao silício, suportando uma operação estável de -200°C a 1.600°C.
3. Estabilidade química:
- Resistente a ácidos/álcalis e radiação, adequado para aplicações aeroespaciais e nucleares.
Material de substrato 3C-SiCParâmetro técnico
| - Não.Grau. |
Grau de produção de MPD zero (Gradão Z) |
Grau de produção padrão (grau P) |
Grau D |
| Diâmetro |
145.5 mm150,0 mm |
| Espessura |
350 μm ± 25 μm |
| Orientação da wafer |
Fora do eixo: 2,0°-4,0° para a direção [1120]±0,5° para 4H/6H-P, no eixo: 111 ±0,5° para 3C-N |
| ** Densidade dos microtubos |
0 cm−2 |
| ** Resistividade |
Tipo p 4H/6H-P
|
≤ 0,1 Ω·cm |
≤ 0,3 Ω·cm |
| Tipo n 3C-N |
≤ 0,8 mΩ·cm |
≤ 1 mΩ·cm |
| Orientação plana primária |
4H/6H-P |
{1010} ± 5,0° |
| 3C-N |
{110} ± 5,0° |
| Duração plana primária |
32.5 mm ± 2,0 mm |
| Duração plana secundária |
180,0 mm ± 2,0 mm |
| Orientação plana secundária |
Silício virado para cima, 90° CW. a partir de Prime flat ±5,0° |
| Exclusão de borda |
3 mm |
6 mm |
| LTV/TIV/Bow/Warp |
≤ 2,5 μm/≤ 5 μm/≤ 15 μm/≤ 30 μm |
≤ 10 μm/≤ 15 μm/≤ 25 μm/≤ 40 μm |
| * Esforço |
PolonêsRa≤1 nm |
| CMPRa≤0,2 nm |
Ra≤0,5 nm |
| Fissuras de borda por luz de alta intensidade |
Nenhum |
Comprimento acumulado ≤ 10 mm, comprimento único ≤ 2 mm |
| * Placas hexadecimais por luz de alta intensidade |
Área acumulada ≤ 0,05% |
Área acumulada≤0,1% |
| * Áreas de politipo por luz de alta intensidade |
Nenhum |
Área acumulada≤3% |
| Inclusões de carbono visuais |
Nenhum |
Área acumulada ≤ 0,05% |
| A superfície do silício arranha-se com a luz de alta intensidade |
Nenhum |
Comprimento acumulado ≤ 1 × diâmetro da wafer |
| Chips de borda de alta intensidade de luz |
Nenhum permitido, largura e profundidade ≥ 0,2 mm |
5 permitidos, ≤ 1 mm cada |
| Contaminação da superfície do silício por alta intensidade |
Nenhum |
| Embalagem |
Cassete com várias placas ou recipiente de uma única placa |
Notas:
* Os limites de defeitos aplicam-se a toda a superfície da bolacha, com excepção da zona de exclusão da borda.
*Os arranhões devem ser verificados apenas na face de Si.
- Não.
Scenários de aplicação para substratos 3C-SiC
1Dispositivos de energia de alta frequência:
- Estações de Base de Comunicação 5G: substratos 3C-SiC servem como substratos de dispositivos de RF, permitindo a transmissão de sinais de onda mm para comunicação de alta velocidade.
- Sistemas de radar: características de baixa perda minimizam a atenuação do sinal, aumentando a precisão de detecção.
2. Veículos eléctricos (VE):
- Carregadores a bordo (OBC): os substratos 3C-SiC reduzem a perda de energia em 40%, reduzindo o tempo de carregamento para plataformas de 800 V.
- Conversores DC/DC: substratos 3C-SiC reduzem a perda de energia de 80 a 90%, melhorando a autonomia.
3. Indústria e Energia:
- Inversores solares: Aumentam a eficiência em 1·3%, reduzem o volume em 40·60% e suportam ambientes adversos.
- Redes inteligentes: reduz o tamanho/peso dos equipamentos e as necessidades de arrefecimento, reduzindo os custos de infra-estrutura.
4Aeronáutica:
- Dispositivos resistentes à radiação: Os substratos 3C-SiC substituem componentes à base de silício em satélites e foguetes, aumentando a resistência à radiação e a vida útil.
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