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O COMÉRCIO FAMOSO CO. de SHANGHAI, LTD. localiza na cidade de Shanghai, que é a melhor cidade de China, e nossa fábrica é fundada na cidade de Wuxi em 2014. Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais nas bolachas, nas carcaças e no vidro ótico custiomized parts.components amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na ótica electrónica e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições ...
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Qualidade Bolacha do nitreto do gálio & Bolacha da safira fabricante

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Estudo de caso da ZMSH: fornecedor principal de safira sintético de alta qualidade
Estudo de caso da ZMSH: fornecedor principal de safira sintético de alta qualidade     IntroduçãoA ZMSH é um dos principais nomes na indústria de pedras preciosas sintéticas, fornecendo uma ampla gama de safiras de alta qualidade e de cores vibrantes.As nossas ofertas incluem uma ampla paleta de cores como o azul real, vermelho vivo, amarelo, rosa, rosa-laranja, roxo e vários tons verdes, incluindo esmeralda e verde oliveira.A ZMSH tornou-se um parceiro preferido para as empresas que necessitam de, visualmente impressionantes e duráveis pedras preciosas sintéticas. Destacando nossas pedras preciosas sintéticasO núcleo da gama de produtos da ZMSH são safires sintéticos que imitam o brilho e a qualidade das pedras preciosas naturais, oferecendo inúmeras vantagens.Esses zafiros são cuidadosamente fabricados para alcançar uma consistência de cor excepcional e durabilidade, tornando-as uma alternativa superior às pedras naturais. Benefícios de escolher safires sintéticos Consistência incomparávelOs nossos zafiros criados em laboratório são produzidos em condições controladas, garantindo que cumpram com rigorosos padrões de qualidade.livre das variações de cor e clareza frequentemente vistas nas pedras preciosas extraídas. Escolha ampla de cores: ZMSH oferece uma variedade de cores, incluindo azul real, vermelho rubi e tons mais suaves como rosa e rosa-laranja.adaptados às exigências específicas dos clientesEsta flexibilidade na personalização de cores e tons torna as nossas safiras perfeitas para uma ampla gama de propósitos industriais e de design. Preços acessíveis: As safiras cultivadas em laboratório apresentam uma alternativa mais econômica sem sacrificar o apelo visual ou a integridade estrutural.Oferecem um excelente valor para os clientes que precisam de pedras preciosas de alta qualidade a uma fração do custo das pedras naturais, tornando-os ideais para produtos de luxo e aplicações práticas. Ambiental e ético: Ao optar por pedras preciosas sintéticas, os clientes podem evitar os danos ambientais e as preocupações éticas frequentemente associadas à extracção tradicional de pedras preciosas.Os zafiros sintéticos da ZMSH são criados de forma ecológica, oferecendo uma escolha sustentável e responsável. Força e versatilidade: As safiras sintéticas possuem a mesma dureza que suas contrapartes naturais, tornando-as ideais para uma variedade de usos, desde jóias de alta qualidade até aplicações industriais.Com uma dureza de 9 na escala de Mohs, estas gemas garantem durabilidade duradoura em todos os ambientes   ConclusãoA ZMSH dedica-se a fornecer zafiros sintéticos coloridos de alto nível, oferecendo aos clientes uma variedade de soluções de pedras preciosas personalizáveis, econômicas e sustentáveis.Quer estejas à procura de azul real para acessórios elegantes, verde esmeralda para componentes industriais, ou qualquer outra cor marcante, ZMSH fornece pedras preciosas que combinam beleza, consistência e força.A nossa experiência na produção de zafiros sintéticos permite-nos satisfazer as necessidades de várias indústrias, assegurando uma qualidade fiável e práticas éticas em todas as ordens.
Estudo de caso: Avanço da ZMSH com o novo substrato 4H/6H-P 3C-N SiC
Introdução A ZMSH tem sido consistentemente na vanguarda da inovação em wafer e substrato de carburo de silício (SiC), conhecida por fornecer alto desempenho6H-SiCe4H-SiCPara responder à crescente procura por materiais mais capazes em aplicações de alta potência e alta frequência,A ZMSH expandiu a sua oferta de produtos com a introdução do4H/6H-P 3C-N SiCEste novo produto representa um salto tecnológico significativo, combinando osPolitipo SiC 4H/6Hsubstratos com inovação3C-N SiCA Comissão propõe que a Comissão apresente uma proposta de regulamento que estabeleça um novo nível de desempenho e de eficiência para os dispositivos de próxima geração. Análise geral dos produtos existentes: Substratos de 6H-SiC e 4H-SiC Características fundamentais Estrutura cristalina: Tanto o 6H-SiC como o 4H-SiC possuem estruturas cristalinas hexagonais.Considerando que o 4H-SiC possui uma maior mobilidade eletrónica e um intervalo de banda mais alargado de 3.2 eV, tornando-o adequado para aplicações de alta frequência e alta potência. Conductividade elétrica: Disponível em opções de tipo N e semi-isolação, permitindo flexibilidade para várias necessidades do dispositivo. Conductividade térmica: Estes substratos apresentam condutividades térmicas que variam de 3,2 a 4,9 W/cm·K, o que é essencial para dissipar o calor em ambientes de alta temperatura. Força mecânica: Os substratos apresentam uma dureza de Mohs de 9.2, proporcionando robustez e durabilidade para utilização em aplicações exigentes. Utilizações típicas: Comumente utilizado em eletrônicos de potência, dispositivos de alta frequência e ambientes que requerem resistência a altas temperaturas e radiação. DesafiosEnquanto6H-SiCe4H-SiCOs componentes de alta potência, de alta temperatura e de alta frequência são altamente valorizados, encontram certas limitações em cenários específicos de alta potência, alta temperatura e alta frequência.e a distância de banda mais estreita limitam a sua eficácia para aplicações da próxima geraçãoO mercado exige cada vez mais materiais com melhor desempenho e menos defeitos para assegurar uma maior eficiência operacional. Inovação de novos produtos: Substratos de SiC 4H/6H-P 3C-N Para ultrapassar as limitações dos seus anteriores substratos de SiC, a ZMSH desenvolveu o4H/6H-P 3C-N SiCEste novo produto aproveitacrescimento epitaxialde películas de SiC 3C-NSubstratos de politipo 4H/6H, proporcionando propriedades eletrónicas e mecânicas melhoradas. Principais melhorias tecnológicas Politipo e integração de filmeO3C-SiCOs filmes são cultivados epitaxialmente utilizandodeposição química de vapor (CVD)emSubstratos de 4H/6H, reduzindo significativamente a incompatibilidade da rede e a densidade de defeitos, levando a uma melhor integridade do material. Mobilidade eletrônica melhoradaO3C-SiCO filme oferece uma mobilidade de elétrons superior em comparação com o tradicionalSubstratos de 4H/6H, tornando-o ideal para aplicações de alta frequência. Melhoria da tensão de ruptura: Os ensaios indicam que o novo substrato oferece uma tensão de ruptura significativamente mais elevada, tornando-o mais adequado para aplicações de elevada energia. Redução de defeitos: Técnicas de crescimento otimizadas minimizam defeitos e deslocamentos dos cristais, garantindo estabilidade a longo prazo em ambientes desafiadores. Capacidades optoeletrônicas: O filme 3C-SiC também introduz características optoeletrônicas únicas, particularmente úteis para detectores ultravioleta e várias outras aplicações optoeletrônicas. Vantagens do novo substrato 4H/6H-P 3C-N SiC Mobilidade eletrônica e resistência à degradação mais elevadasO3C-N SiCO filme garante uma estabilidade e eficiência superiores em dispositivos de alta potência e alta frequência, resultando em uma vida útil operacional mais longa e um desempenho mais elevado. Melhoria da condutividade térmica e estabilidade: Com capacidades de dissipação de calor melhoradas e estabilidade a temperaturas elevadas (acima de 1000°C), o substrato é adequado para aplicações de alta temperatura. Aplicações optoeletrônicas expandidas: As propriedades optoelectrónicas do substrato ampliam o seu âmbito de aplicação, tornando-o ideal para sensores ultravioleta e outros dispositivos optoelectrónicos avançados. Maior durabilidade química: O novo substrato apresenta uma maior resistência à corrosão e oxidação químicas, o que é vital para utilização em ambientes industriais adversos. Áreas de aplicação O4H/6H-P 3C-N SiCO substrato é ideal para uma ampla gama de aplicações de ponta devido às suas propriedades elétricas, térmicas e optoeletrônicas avançadas: Eletrónica de potência: A sua tensão de ruptura superior e a sua gestão térmica tornam-no o substrato de escolha para dispositivos de alta potência, tais comoMOSFETs,IGBTs, eDiodos de Schottky. Dispositivos de RF e microondas: A elevada mobilidade dos elétrons garante um desempenho excepcional em alta frequênciaRFeaparelhos de microondas. Detectores de ultravioleta e optoeletrónica: As propriedades optoelectrónicas de3C-SiCtorná-lo particularmente adequado paraDetecção UVe vários sensores optoelectrônicos. Conclusão e recomendação do produto A ZMSH lançou o4H/6H-P 3C-N SiCEste produto inovador, com a sua mobilidade eletrónica melhorada, a sua densidade de defeito reduzida, a sua capacidade de absorção de energia e a sua capacidade de absorção de energia,e tensão de ruptura melhorada, está bem posicionada para satisfazer as crescentes demandas dos mercados de potência, frequência e optoeletrónica.A sua estabilidade a longo prazo em condições extremas também a torna uma escolha altamente fiável para uma série de aplicações. A ZMSH encoraja os seus clientes a adoptarem a4H/6H-P 3C-N SiCSubstrato para tirar partido das suas capacidades de desempenho de ponta.Este produto não só cumpre os requisitos rigorosos dos dispositivos de próxima geração, mas também ajuda os clientes a obter uma vantagem competitiva num mercado em rápida evolução.   Recomendação do produto   Substrato SiC de tipo N de 4 polegadas de 3C Substrato de carburo de silício espessura 350um Prime Grade Dummy Grade       - apoiar as personalizadas com desenhos gráficos   - um cristal cúbico (3C SiC), obtido a partir de monocristal SiC   - Alta dureza, dureza de Mohs chega a 9.2, só atrás do diamante.   - excelente condutividade térmica, adequada para ambientes de alta temperatura.   - características de banda larga, adequadas para dispositivos electrónicos de alta frequência e de alta potência.
Método de detecção de luxação de SiC
Método de detecção de luxação de SiC           A fim de cultivar cristais de SiC de alta qualidade, é necessário determinar a densidade de deslocação e a distribuição dos cristais de sementes para filtrar cristais de sementes de alta qualidade.Estudar as mudanças de deslocamentos durante o processo de crescimento do cristal também é propício para a otimização do processo de crescimentoO domínio da densidade de deslocação e da distribuição do substrato é também muito importante para o estudo de defeitos na camada epitaxial. it is necessary to characterize and analyze the crystallization quality and defects of SiC crystals through reasonable techniques to accelerate the production and preparation of high-quality and large-sized SiCOs métodos de detecção de defeitos de SiC podem ser classificados em métodos destrutivos e métodos não destrutivos. Os métodos destrutivos incluem gravura molhada e microscopia eletrônica de transmissão (TEM).Os métodos não destrutivos incluem a caracterização não destrutiva por fluorescência catódica (CL), tecnologia de perfil de raios-X (XRT), fotoluminescência (PL), tecnologia de fotostresso, espectroscopia de Raman, etc.         A corrosão húmida é o método mais comum para estudar deslocamentos.Quando as wafers corroídas de SiC são observadas sob um microscópioEm geral, existem três formas de buracos de corrosão na superfície do Si: quase circular, hexagonal e em forma de concha.Defeitos dos TSD e dos BPD, respectivamenteA figura 1 mostra a morfologia do buraco de corrosão.detector de deslocamento e outros dispositivos desenvolvidos podem compreensivamente e intuitivamente detectar a densidade de deslocamento e distribuição da placa de corrosãoA microscopia eletrônica de transmissão pode observar a estrutura subterrânea das amostras em nanoescala e também detectar defeitos cristalinos como BPDs, TEDs e SFs em SiC.é uma imagem TEM de luxações na interface entre cristais de sementes e cristais em crescimento. O CL e o PL podem detectar de forma não destrutiva defeitos na sub-superfície dos cristais, tal como mostrado nas figuras 3 e 4.e materiais semicondutores de banda larga podem ser efetivamente excitados.     Fig. 2 TEM de deslocamentos na interface entre cristais de semente e cristais em crescimento sob diferentes vetores de difração       Fig. 3 O princípio das luxações nas imagens CL       A topografia de raios-X é uma poderosa técnica não destrutiva que pode caracterizar defeitos de cristal através da largura dos picos de difração.Topografia de raios-X de feixe monocromático sincrotron (SMBXT) usa reflexão de cristal de referência altamente perfeita para obter raios-X monocromáticos, e uma série de mapas topográficos são tomados em diferentes partes da curva de reflexão da amostra.permitindo assim a medição dos parâmetros da rede e orientações da rede em diferentes regiõesOs resultados de imagem de deslocamentos desempenham um papel importante no estudo da formação de deslocamentos.A tecnologia de tensão óptica pode ser utilizada para ensaios não destrutivos da distribuição de defeitos em wafersA Figura 6 mostra a caracterização de substratos de cristal único de SiC por tecnologia de tensão óptica.Descoberto pelo método de dispersão de Raman que as posições de pico sensíveis de MP, TSDs e TEDs estão em ~ 796cm-1, como mostrado na Figura 7.     Fig. 7 Detecção da luxação pelo método PL. (a) Os espectros PL medidos por TSD, TMD, TED e regiões livres de deslocamento de 4H-SiC; (b), (c), (d) Imagens por microscópio óptico de mapas de mapeamento de intensidade TED, TSD e TMD e PL; e) Imagem PL das DPB     A ZMSH oferece silício monocristalino de tamanho ultra-grande e silício policristalino de coluna e também pode personalizar o processamento de vários tipos de componentes de silício, lingotes de silício, hastes de silício,Anéis de silício, anéis de foco de silício, cilindros de silício e anéis de escape de silício.         Como líder mundial em materiais de carburo de silício, a ZMSH fornece um portfólio abrangente de produtos de SiC de alta qualidade, incluindo o tipo 4H/6H-N, o tipo isolante 4H/6H-SEMI e os politipos 3C-SiC,com tamanhos de wafer que variam de 2 a 12 polegadas e voltagem nominal personalizável de 650V a 3300VAproveitando a tecnologia proprietária de crescimento de cristais e técnicas de processamento de precisão,alcançámos uma produção em massa estável com uma densidade de defeito ultra-baixa (< 100/cm2) e uma rugosidade da superfície em nanoescala (Ra < 0)A ZMSH oferece soluções de ponta a ponta que abrangem substratos, epitaxia e processamento de dispositivos,Serviço a mais de 50 clientes globais em veículos de novas energias, comunicações 5G e aplicações de energia industrial.Continuaremos a investir em pesquisa e desenvolvimento de SiC de grande diâmetro para impulsionar o avanço da indústria de semicondutores de banda larga e apoiar os objetivos de neutralidade de carbono.       O seguinte é o substrato de SiC do tipo 4H-N,SEMI,3C-N e a bolacha de sementes de SiC da ZMSH:             * Por favor, entre em contato conosco para quaisquer dúvidas sobre direitos autorais, e nós os resolveremos prontamente.                

2025

05/12

Outra aplicação acelerada do SiC - guias de ondas ópticos a cores
Outra aplicação acelerada do SiC - guias de ondas ópticos a cores     Como material típico dos semicondutores de terceira geração, o SiC e o seu desenvolvimento industrial têm crescido como brotos de bambu após uma chuva de primavera nos últimos anos.Os substratos de SiC estabeleceram-se nos veículos elétricos e nas aplicações industriaisO SiC tornou-se uma força motriz fundamental para este desenvolvimento devido ao seu excelente desempenho e à sua cadeia de abastecimento em constante evolução.O SiC tem excelente condutividade térmica, de modo que uma potência nominal semelhante pode também ser alcançada num pacote menor.     Além disso, também observamos a aplicação de materiais SiC em guias de ondas ópticos holográficos.Relata-se que muitas das principais empresas de RA começaram a voltar a sua atenção para os guias de onda ópticos de carburo de silício.     A imagem promocional do guia de ondas óptico SiC a cores na exposição SEMICON       Por que o material SiC pode ser utilizado no campo dos guias de ondas ópticos a cores completas?     (1) O SiC tem um índice de refração elevado   O índice de refração do SiC (2.6-2.7) é significativamente superior ao do vidro tradicional (1.5-2.0) e da resina (1.4-1.7).As lentes de guia de ondas ópticas feitas com ele podem fornecer um campo de visão mais amploEnquanto isso, este elevado índice de refração permite ao SiC confinar mais eficazmente a luz no guia de ondas óptico difractivo, reduzindo assim a perda de energia luminosa e aumentando o brilho do ecrã.     As Wafers de SiC de 6 polegadas da ZMSH são do tipo SEMI e 4H-N       (2) Projeto de uma única camada     Teoricamente, uma lente SiC de uma única camada pode alcançar um campo de visão em cores completas de mais de 80 °, enquanto as lentes de vidro precisam ser empilhadas em três camadas para alcançar 40 °.     (3) Reduzir peso     A estrutura de uma única camada reduz a quantidade de material utilizado. Combinado com a alta resistência do próprio SiC, o peso total dos óculos AR é significativamente reduzido, aumentando o conforto de uso.- Não.     As lentes SiC podem reduzir significativamente o peso do dispositivo e expandir o campo de visão, fazendo com que o peso total dos óculos AR atravesse o ponto crítico de 20g, próximo à forma de óculos comuns.A tecnologia de exibição Micro LED com substrato de carburo de silício pode comprimir o volume do módulo em 40%, aumentar a eficiência de brilho em 2,3 vezes e melhorar o efeito de exibição dos óculos AR.     Wafers SiC de 2 polegadas do ZMSH Tipo 4H-SEMI         (4) Características de dissipação de calor     O material SiC tem uma excelente condutividade térmica (490 W/m·K), que permite conduzir rapidamente o calor gerado pelos módulos optomecânicos e informáticos através do próprio guia de ondas,em vez de depender do tradicional desenho de dissipação de calor da perna de espelhoEsta característica resolve o problema da degradação do desempenho dos dispositivos AR causada pelo acúmulo de calor e, simultaneamente, melhora a eficiência de dissipação de calor.   A alta condutividade térmica combinada com a tecnologia de corte de baixo esforço pode melhorar muito o problema do "padrão arco-íris" das lentes de guia de ondas ópticas.em combinação com o projeto integrado de dissipação de calor da folha de guia de ondas, a temperatura de funcionamento do sistema opto-mecânico pode ser reduzida e o problema de dissipação de calor pode ser melhorado.     (5) Apoio     A resistência mecânica, a resistência ao desgaste e a estabilidade térmica do SiC garantem a estabilidade estrutural dos guias de onda ópticos durante a utilização a longo prazo,especialmente adequado para cenários que exijam componentes ópticos de alta precisão, tais como telescópios espaciais e óculos AR.   As características do material SiC acima mencionado ultrapassaram os gargalos dos guias de onda ópticos tradicionais em termos de efeito de exibição, peso do volume e capacidade de dissipação de calor,e tornaram-se uma direcção de inovação chave no domínio dos guias de ondas ópticos a cores completas- Não.     A ZMSH fornece uma gama abrangente de substratos de carburo de silício (SiC) de alta qualidade, incluindo politipos de tipo 4H/6H-N, 4H/6H-SEMI, 6H/4H-P e 3C-N,que satisfaçam os requisitos exigentes dos dispositivos de potência e dos chips de RFAtravés de tecnologias proprietárias de crescimento de cristais e técnicas de processamento de precisão,alcançámos a produção em massa de substratos de SiC de grande diâmetro (2-12 polegadas) com densidade de defeito ultra-baixa (< 100/cm2) e rugosidade superficial em nanoescala (Ra < 0).2nm), tornando-os particularmente adequados para componentes ópticos de alta precisão, como espelhos de telescópios espaciais e módulos ópticos AR.Processamento de wafers para certificação de qualidade, a ZMSH oferece soluções integrais com especificações personalizáveis para ajudar os clientes a superar barreiras técnicas.   Wafer de SiC da ZMSH tipo 3C-N:           * Por favor, entre em contato conosco para quaisquer dúvidas sobre direitos autorais, e nós os resolveremos prontamente.      

2025

05/08

Há mais do que apenas azul no guarda-roupa "top-tier".
Há mais do que apenas azul no guarda-roupa "de topo"       Sapphire, a "figura principal" da família dos corindões, se assemelha a um elegante cavalheiro vestido com um "traje azul profundo".Descobre-se que o seu guarda-roupa abrange muito mais do que apenas "azul" ou mesmo "azul escuro".Quando o azul parece monótono, revela outros tons: verde, cinza, amarelo, laranja, roxo, rosa e marrom.     Sapphire de diferentes cores       SafirasComposição química: Al2O3Cor: As variações de cor em safira resultam de substituições de elementos dentro de sua rede cristalina, abrangendo todas as cores de corindo, exceto vermelho (rúbi).Dureza: Dureza de Mohs de 9, a segunda apenas ao diamante.Densidade: 3,95­4,1 g/cm3Birefringence: 0,008 ¢ 0.010Brilho: transparente a translúcido, apresentando um aspecto vítreo a subadamantino.Efeitos Ópticos Especiais: Algumas safiras exibem asterismo (o "efeito estrela"), onde inclusões microscópicas (por exemplo, rutilo) refletem a luz para formar estrelas de seis raios em pedras cortadas em cabochon.   Seis tiros Starlight Sapphire           Fontes primárias   As origens renomadas incluem Madagascar, Sri Lanka, Mianmar, Austrália, Índia e partes da África.   Os safires de diferentes regiões apresentam características distintas. As safiras de Mianmar e Caxemira têm tons azuis vibrantes devido a impurezas de titânio. As safiras australianas, tailandesas e chinesas apresentam tons mais escuros devido ao teor de ferro.         Pedras preciosas sintéticas da ZMSH           Mecanismos de formação de minério   A formação de safira envolve processos geológicos complexos: Origem metamórfica: O corindão se forma quando rochas ricas em magnésio (por exemplo, mármore) interagem com fluidos ricos em titânio/ferro sob alta pressão (612 kbar) e temperaturas (700-900°C).As inclusões do "efeito de veludo" nas safiras de Caxemira são assinaturas dessas condições extremas.         Origem magmática: o magma basáltico transporta cristais de corindo para a superfície, criando depósitos como Mogok (Myanmar), onde as inclusões de rutilo geralmente se alinham para formar um asterismo.     As características inclusões de rutilo em forma de seta em zafiros Mogok do Mianmar       Tipo pegmatítico: os zafiros aluviais do Sri Lanka são originários de pegmatitas graníticas desgastadas.     Pedra bruta de safira de Sri Lanka         Os safires abrangem joias, ciência, educação e expressão artística: Valor das pedras preciosas: Apreciadas por sua beleza, dureza e durabilidade, as safiras são usadas em joias de alta qualidade (anéis, colares, brincos, pulseiras).       Sapphires de diferentes cores e iões cromicos             Simbolicidade: Representando lealdade, fidelidade, sabedoria e honestidade, as safiras servem como pedra de nascimento de setembro e símbolo do outono. Utilizações industriais: Sua dureza e transparência as tornam ideais para cristais de relógios, janelas de instrumentos ópticos e substratos de semicondutores.       ZMSH's Lab-cultivado Lab-cultivado Sapphire bruto não cortado Paparadscha rosa-laranja             História do safiro sintético   As safiras criadas em laboratório replicam as propriedades químicas, ópticas e físicas do corindão natural. 1045 CE: aquecimento de corindo a 1100 ° C para remover tons azuis de rubis. 1902: O químico francês Auguste Verneuil (1856-1913) foi pioneiro na síntese de fusão de chama. 1975: As zafiras de Geuda do Sri Lanka foram tratadas a calor a mais de 1500°C para melhorar a coloração azul. 2003: A GIA publicou uma investigação inovadora sobre a difusão de berilio em rubis e safiras.       Por que as coroas preferem a safira?   Coroa Imperial Austríaca:Ele é feito de ouro, adornado com pérolas, diamantes e rubis.           A coroa de safira e diamante da rainha Vitória:Feito de ouro e prata (11,5 cm de largura), com 11 zafiros cortados em almofadas e cometas acentuados com diamantes antigos cortados em minas.           Coroa do Estado Imperial Britânico:Incorporado com 5 rubis, 17 safiras, 11 esmeraldas, 269 pérolas e 2.868 diamantes.           A Suíte de Safira da Imperatriz Maria Feodorovna:O pintor russo Konstantin Makovsky imortalizou Maria usando um conjunto de safira opulenta, incluindo um colar com um safira oval de 139 quilates no centro.           Apesar de ser possível possuir um safiro, os preços variam significativamente com base na cor, clareza, artesanato de corte, peso em quilates, origem e status de aprimoramento.Exerce discernimento ao comprar, afinal de contas, como símbolo de "lealdade e sabedoria", seu fascínio não deve cegar sua autenticidade.           A ZMSH é especializada na produção, fornecimento e venda abrangentes de safira sintética de alta qualidade, oferecendo soluções completas adaptadas às diversas necessidades da indústria.Com capacidades de fabrico avançadas, fornecemos substratos sintéticos de safira personalizados de precisão, componentes ópticos e materiais de qualidade de jóias, garantindo a estrita conformidade com os padrões internacionais de qualidade.   Serviços essenciais: Produção sob medida Cristal de safira multicolor Joalharia e relojoaria ️ Fabricação de óculos de safira resistentes a arranhões, cabochons de alta qualidade e pedras preciosas facetadas para marcas de alta relojoaria e joalharia. Engenharia de superfícies - Revestimentos antirreflectores, gravação a laser e corte de precisão (descascamento, moagem) para aplicações técnicas. Aproveitando as tecnologias de crescimento CVD/Verneuil, construímos uma ponte entre inovação e artesanato, desde a síntese de cristais em bruto até criações de luxo sob medida.     A caixa do relógio da ZMSH.           * Por favor, entre em contato conosco para quaisquer dúvidas sobre direitos autorais, e nós os resolveremos prontamente.                

2025

05/06