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Bolacha do nitreto do gálio

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Bolacha do nitreto do gálio

(35)
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2023-12-12 15:57:26
China GaN-Em-si EPI-WAFERS de 8INCH 12INCH 6INCH para a aplicação do diodo emissor de luz do RF do poder fábrica

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EPI-WAFERS GAN-ON-SI de 8 polegadas, 12 polegadas e 6 polegadas para aplicação de LED RF POWER Wafer epitaxial GaN (GaN EPI em Silício)O nitreto de gálio (GaN) tem sido amplamente usado em dispositivos de ... Leia mais
2023-12-12 15:44:05
China 10x10mm 10x15mm 001 Óxido de gálio substrato GaO Mg doping Ga2O3 Gallium Nitride Wafer fábrica

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lubrificação do magnésio da carcaça de GaO do óxido do gálio 001 de 10x15mm estrutura do monocline da carcaça do óxido do gálio de 10x10mm------------------------------------------------------------------------... Leia mais
2025-02-06 09:58:17
China N-GaAs Substrato VCSEL Epiwafer 6 polegadas Gallium Arsenide Wafer 2 polegadas < 100> < 110> Para dispositivos optoeletrônicos fábrica

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Substrato de N-Gálcio Arsenídeo de 2 polegadas, Wafer Epitaxial VCSEL de N-GaAs, Wafer Epitaxial Semicondutor, Wafer de N-GaAs de 2 polegadas, Wafer de cristal único de GaAs, Substratos de N-GaAs de 2 polegadas... Leia mais
2024-09-10 15:33:00
China N-GaAs substrato VCSEL epiwafer 6 polegadas GaAs orientação 100 111 comprimento de onda 940nm para Gigabit Ethernet fábrica

N-GaAs substrato VCSEL epiwafer 6 polegadas GaAs orientação 100 111 comprimento de onda 940nm para Gigabit Ethernet
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2024-09-10 15:33:00
China Peças de safira personalizadas Junta de safira de relógio Al2O3 puro Alta dureza para o mercado de relógios de alta qualidade fábrica

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2024-08-23 16:30:29
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2024-08-23 14:05:10
China 4&#039;&#039; 200nm AlScN em wafers de silício SSP DSP Substratos epitaxial para dispositivos LED fábrica

4'' 200nm AlScN em wafers de silício SSP DSP Substratos epitaxial para dispositivos LED
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Modelo AlScN de 4'' 200nm sobre substratos epitaxiais de silício SSP DSP para dispositivos LED Características: O nitruro de escândio de alumínio (AlScN) no silício refere-se à deposição de um AlScN fino num ... Leia mais
2024-02-05 13:17:55
China 4&#039; 6&#039; AIN em substratos de silício SSP DSP semicondutores Wafers 100nm 200nm camada fábrica

4' 6' AIN em substratos de silício SSP DSP semicondutores Wafers 100nm 200nm camada
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4' 6' AIN em substratos de silício SSP DSP semicondutores Wafers 100nm 200nm camada Descrição: O Nitruro de Alumínio em Wafers de Silício é um novo tipo de material semicondutor que oferece propriedades únicas... Leia mais
2024-01-10 10:11:09
China GaN-EM-silicone da bolacha do nitreto do gálio de 300mm para o micro diodo emissor de luz do poder fábrica

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2023-12-12 16:15:06
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Sic carcaça

A pureza alta un-lubrificou a bolacha do carboneto de silicone sic, carcaça do carboneto de silicone de 6Inch 4H-Semi sic

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Bolacha do nitreto do gálio

Espessura de GaN Wafer 350um do nitreto do gálio da exposição da projeção do laser

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