2 polegadas/4 polegadas/6 polegadas/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrato de Carbono de Silício Tipo 3C-N No eixo: < 111 > ± 0,5° Grau de produção Grau de simulação
O substrato de carburo de silício (SiC) tipo 3C-N é um material semicondutor com uma estrutura cristalina cúbica, onde "3C" representa o seu sistema cristalino cúbico,enquanto "tipo N" refere-se a um semicondutor de tipo N formado por incorporação de átomos de nitrogênio (N)Este material de substrato desempenha um papel importante na indústria de semicondutores, especialmente em aplicações em que são estritamente exigidos desempenhos de alta temperatura, alta pressão e alta frequência.
O substrato de carburo de silício (SiC) é o material principal do semicondutor de lacuna de banda larga recentemente desenvolvido, que é usado principalmente em eletrônica de microondas, eletrônica de potência e outros campos.É o extremo frontal da cadeia industrial de semicondutores de banda larga e é o material básico e chaveOs substratos de carburo de silício têm uma variedade de estruturas cristalinas, sendo as mais comuns o α-SiC hexagonal (como 4H-SiC, 6H-SiC) e o β-SiC cúbico (ou seja, 3C-SiC).
Características:
1Alta mobilidade de elétrons:O 3C-SiC tem uma mobilidade eletrônica relativamente elevada, o que lhe confere uma vantagem no processamento de sinais eletrônicos de alta velocidade.que é muito superior aos materiais semicondutores tradicionais como o silício.
2Espaçamento de banda menor:Em comparação com outros tipos cristalinos de carburo de silício, como 4H-SiC e 6H-SiC, o 3C-SiC tem uma lacuna de banda menor (cerca de 2,36 eV).Esta característica permite que o dispositivo 3C-SiC tenha uma corrente de túnel FN menor e maior confiabilidade na preparação da camada de óxido, o que contribui para melhorar o rendimento do produto do dispositivo.
3. Alta condutividade térmica:Os materiais de carburo de silício têm geralmente uma elevada condutividade térmica, e o 3C-SiC não é exceção.Redução do acúmulo de calor e redução da dependência dos sistemas de arrefecimento, melhorando significativamente a eficiência e a fiabilidade do dispositivo.
4Campo elétrico de alta ruptura:A força do campo elétrico de quebra do 3C-SiC também é relativamente alta e pode suportar altas tensões sem quebra.Esta característica faz com que ele tenha valor de aplicação potencial em eletrônica de potência de alta tensão.
Parâmetro técnico:
6 Diâmetro de centímetro Substrato de Carbono de Silício (SiC) Especificações
| 等级Grau |
精选级 ((Z 级)
Produção zero de MPD
Grau (Z) Grau)
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工业级P级)
Produção padrão
Grau (P) Grau)
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测试级 ((D级)
Grau de simulação (D Grau)
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| Diâmetro |
145.5 mm~150,0 mm |
| 厚度 Espessura |
350 μm ± 25 μm |
| 晶片方向 Orientação da wafer |
-
Offeixo: 2,0°-4,0° para a direção [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, no eixo: ∼111 ∼ 0,5° para 3C-N
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| 微管密度 ※ Densidade de microtubos |
0 cm-2 |
| 电阻率 ※ Resistividade |
Tipo p 4H/6H-P |
≤ 0,1 Ω ̊cm |
≤ 0,3 Ω ̊cm |
| Tipo n 3C-N |
≤ 0,8 mΩ·cm |
≤ 1 m Ω ̊cm |
| 主定位边方向 Orientação plana primária |
4H/6H-P |
-
{1010} ± 5,0°
|
| 3C-N |
-
{110} ± 5,0°
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| 主定位边长度 Largura plana primária |
32.5 mm ± 2,0 mm |
| 次定位边长度 Secundário Comprimento plano |
18.0 mm ± 2,0 mm |
| 2o ponto de orientação |
Silício virado para cima: 90° CW. a partir de Prime flat ± 5,0° |
| 边缘去除 Edge Exclusão |
3 mm |
6 mm |
| 局部厚度变化/总厚度变化/??曲度/??曲度 LTV/TTV/Bow /Warp |
≤ 2,5 μm/≤ 5 μm/≤ 15 μm/≤ 30 μm |
≤ 10 μm/≤ 15 μm/≤ 25 μm/≤ 40 μm |
| 表面粗度 ※ Abrússia |
Ra≤1 nm polaco |
| CMP Ra≤0,2 nm |
Ra≤0,5 nm |
| 边缘裂纹 (强光灯观测) Fissuras de borda por luz de alta intensidade |
Nenhum |
Comprimento acumulado ≤ 10 mm, comprimento único ≤ 2 mm |
| 六方空洞 ((强光灯测)) ※ Placas hexadecimais por luz de alta intensidade |
Área acumulada ≤ 0,05% |
Área acumulada ≤ 0,1% |
| 多型 ((强光灯观测) ※ Áreas de politipo por luz de alta intensidade |
Nenhum |
Área acumulada≤3% |
| Inclusões de carbono visuais |
Área acumulada ≤ 0,05% |
Área acumulada ≤ 3% |
| # A superfície do silício arranha-se por luz de alta intensidade |
Nenhum |
Comprimento acumulado ≤ 1 × diâmetro da wafer |
| 崩边 ((强光灯观测) Chips de borda de alta intensidade de luz |
Nenhuma largura e profundidade ≥ 0,2 mm |
5 permitidos, ≤ 1 mm cada |
| - Contaminação da superfície do silício por alta intensidade. |
Nenhum |
| 包装 Embalagem |
Cassete com várias placas ou recipiente de uma única placa |
Notas:
※ Os limites de defeitos aplicam-se a toda a superfície da bolacha, exceto para a área de exclusão da borda.
Aplicações:
1Eletrónica de potência:
· MOSFETs de SiC:Os substratos de carburo de silício do tipo 3C-N podem ser utilizados para fabricar MOSFETs SiC (transistores de efeito de campo de óxido metálico de nitruro de silício), que funcionam bem em alta tensão, alta corrente,Aplicações de comutação rápidaEm comparação com os MOSFETs de silício tradicionais, os MOSFETs de SiC têm perdas de ligação e de ligação mais baixas e podem operar de forma estável a temperaturas e voltagens mais elevadas.
· Diodos de SiC:Os substratos 3C-SiC podem também ser utilizados para fabricar diodos SiC, que podem melhorar consideravelmente a velocidade de comutação e a eficiência global de conversão do sistema nas fontes de alimentação HVDC,Inversores e outros sistemas.
2Dispositivos de radiofrequência e de comunicação:
· SiC HEMT:Nos amplificadores de potência de RF, substratos de carburo de silício tipo 3C-N podem ser usados para fabricar HEMTs SiC (transistores de alta mobilidade eletrônica).O sistema HEMT SiC pode funcionar de forma estável a frequências extremamente elevadas e é adequado para cenários de transmissão de dados de alta velocidade, como comunicações 5G e comunicações por satélite.Ao mesmo tempo, as suas características de baixas perdas ajudam a reduzir o consumo de energia e a melhorar o desempenho da rede.
3- Eletrónica automóvel:
· Veículos eléctricos e condução autónoma:Com o desenvolvimento dos veículos elétricos e da tecnologia de condução autônoma, há uma demanda crescente por alta densidade de potência, excelentes capacidades de gestão térmica e eletrônicos de longa duração.Devido à sua estabilidade a altas temperaturas, alta condutividade térmica e resistência à radiação, o substrato SIC 3C-N tem uma ampla gama de aplicações em sistemas de conversão de energia de veículos elétricos, sistemas de gestão de baterias (BMS),Carregadores e inversores de bordo, e sensores para sistemas de condução autónoma.
4Dispositivos optoelectrónicos:
• LEDs UV e diodos laser:Em LEDs UV e diodos laser, o substrato 3C-SiC fornece melhor eficiência de saída de luz e condutividade térmica, otimizando assim o desempenho óptico e a confiabilidade do dispositivo.Isto torna o 3C-SiC potencialmente útil em áreas como a esterilização, purificação de ar, detecção médica e tecnologia a laser.
Exibição de amostras:
Perguntas frequentes:
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