Substratos de Carbeto de Silício SiC Semi-Isolantes / Tipo 4H-N

Os substratos do tipo 4H-N e de carboneto de silício semi-isolante (SiC) são wafers de cristal único de alta pureza fabricados usando o método de transporte físico de vapor (PVT). Esses substratos exibem excelentes propriedades elétricas e térmicas, incluindo amplas características de bandgap, alto campo elétrico de ruptura e excepcional condutividade térmica. Ideais para crescimento epitaxial de materiais SiC ou III-nitreto, eles servem como componentes fundamentais em dispositivos eletrônicos de alta potência, alta frequência e alta temperatura.

• Excelentes propriedades elétricas:
  • Tipo 4H-N: Resistividade 0,015–0,028 Ω·cm
  • Tipo semi-isolante: resistividade ≥10⁵ Ω·cm
• Qualidade Geométrica Superior:
  • Variação total da espessura (TTV) ≤ 15 µm
  • Arco ≤ 40 µm, Urdidura ≤ 60 µm
• Controle preciso de orientação:
  • Orientação no eixo: <±0,5°
  • Corte fora do eixo: 4°±0,5° na direção [11-20]
• Acabamento de superfície controlado:
  • Superfície polida padrão: Ra ≤ 1 nm
  • Superfície polida CMP: Ra ≤ 0,5 nm

• Eletrônica de Potência: Diodos de barreira Schottky (SBDs), MOSFETs, IGBTs
• Dispositivos de RF e Microondas: Amplificadores de potência de alta frequência, MMICs
• Optoeletrônica: Substratos epitaxiais de laser e LED baseados em GaN
• Sensores de alta temperatura: Aplicações automotivas, aeroespaciais e do setor de energia

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A indústria de carboneto de silício abrange preparação de substrato, crescimento epitaxial, fabricação de dispositivos e aplicações de uso final. Usando o método PVT, são produzidos substratos de SiC monocristalinos de alta qualidade, servindo como base para a deposição epitaxial (via CVD) e subsequente fabricação do dispositivo. A ZMSH fornece wafers de SiC de 100 mm e 150 mm que atendem aos rigorosos requisitos industriais para aplicações de alta potência e alta frequência.