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China Dispositivo eletrônico de alta potência de tipo pin de fundo plano Cu≥99.9% distribuidor
Dispositivo eletrônico de alta potência de tipo pin de fundo plano Cu≥99.9%

Bolacha do fosforeto de índio

(34)
China Dispositivo eletrônico de alta potência de tipo pin de fundo plano Cu≥99.9% fábrica

Dispositivo eletrônico de alta potência de tipo pin de fundo plano Cu≥99.9%
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Resumo de cSubstrato superior do dissipador de calor Dispositivo eletrônico de alta potência de tipo pin de fundo plano Cu≥99.9% O substrato do dissipador de calor de cobre é um elemento dissipador de calor ... Leia mais
2025-04-14 17:37:13
China InAs Arseneto de Índio2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas Substrato de cristal único N/P Tipo de semicondutor Espessura da bolacha 300-800um fábrica

InAs Arseneto de Índio2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas Substrato de cristal único N/P Tipo de semicondutor Espessura da bolacha 300-800um
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Descrição do produto InAs Arseneto de Índio2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas Substrato de cristal único N/P Tipo de semicondutor Espessura da bolacha 300-800um O Índio InAs ou Índio arsênico monolítico é um ... Leia mais
2024-12-05 11:57:01
China Substrato de germânio GE Lentes ópticas de janelas planas Aplicações de imagem térmica e espectroscopia infravermelha Alta dureza fábrica

Substrato de germânio GE Lentes ópticas de janelas planas Aplicações de imagem térmica e espectroscopia infravermelha Alta dureza
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Descrição do produto Substrato de germânio GE Lentes ópticas de janelas planas Aplicações de imagem térmica e espectroscopia infravermelha Alta dureza A janela de germânio (Ge) é um material quimicamente inerte ... Leia mais
2024-11-18 10:47:17
China Substratos de semicondutores de wafer de germânio <111> Concentração fotovoltaica CPV fábrica

Substratos de semicondutores de wafer de germânio <111> Concentração fotovoltaica CPV
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Descrição do produto Substratos de semicondutores de wafer de germânio < 111> concentrando CPV fotovoltaico O germânio de alta pureza é dopado com elementos trivalentes (por exemplo, ínio, gálio, boro) para ... Leia mais
2024-11-18 10:47:17
China Óxido de magnésio Pureza 95% MgO Filme Substrato 5x5 10x10 20x20 Espessura 0,5 mm 1,0 mm Orientação &lt;001&gt; &lt;110&gt; &lt;111&gt; fábrica

Óxido de magnésio Pureza 95% MgO Filme Substrato 5x5 10x10 20x20 Espessura 0,5 mm 1,0 mm Orientação <001> <110> <111>
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Pureza de óxido de magnésio 95% MgO substrato de película 5x5 10x10 20x20 espessura 0,5 mm orientação 1,0 mm Descrição do produto: O óxido de magnésio (MgO) monocristalino de substrato de filme fino é um ... Leia mais
2024-11-18 10:47:16
China InP Laser Epitaxial Wafer Índio Fosfeto Wafer DFB/EML Expitaxial Wafer para detecção inteligente fábrica

InP Laser Epitaxial Wafer Índio Fosfeto Wafer DFB/EML Expitaxial Wafer para detecção inteligente
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Wafer epitaxial de 2 polegadas de fosfato de ídio semi-isolante InP para diodo laser LD, wafer epitaxial semicondutor, wafer InP de 3 polegadas, wafer de cristal único,Wafer semicondutor, InP Laser Epitaxial ... Leia mais
2024-09-10 15:33:01
China InAs Wafer Doped Zn 2 Inch Indium Arsenide Wafer Dia 50mm Espessura 500um &lt;100&gt; Personalizado fábrica

InAs Wafer Doped Zn 2 Inch Indium Arsenide Wafer Dia 50mm Espessura 500um <100> Personalizado
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Wafer de 2 polegadas de Arseneto de Índio Wafer Epitaxial InAs para diodo laser LD, wafer epitaxial semicondutor, wafer InAs-Zn de 3 polegadas,Substratos InAs-Zn de wafer de cristal único de 2 polegadas, 3 ... Leia mais
2024-09-10 15:33:00
China Wafer DFB N-InP substrato epiwafer camada ativa InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 polegadas para sensor de gás fábrica

Wafer DFB N-InP substrato epiwafer camada ativa InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 polegadas para sensor de gás
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Wafer DFB N-InP substrato epiwafer camada ativa InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 polegadas para sensor de gás DFB wafer N-InP substrato epiwafer resumo Uma bolacha de Feedback Distribuído (DFB) em um substrato de Fosfeto ... Leia mais
2024-09-10 15:33:00
China DFB Epiwafer InP Substrato Método MOCVD 2 4 6 polegadas comprimento de onda operacional 1,3 μm, 1,55 μm fábrica

DFB Epiwafer InP Substrato Método MOCVD 2 4 6 polegadas comprimento de onda operacional 1,3 μm, 1,55 μm
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DFB Epiwafer InP substrato MOCVD método 2 4 6 polegadas comprimento de onda operacional: 1,3 μm, 1,55 μm DFB Epiwafer InP's substrate's Brief DFB (Feedback Distribuído) Epiwafers em substratos de fosfeto de ... Leia mais
2024-09-10 15:33:00
China FP Epiwafer InP Camada de contato do substrato InGaAsP Dia 2 3 4 polegadas Para banda de comprimento de onda OCT 1,3um fábrica

FP Epiwafer InP Camada de contato do substrato InGaAsP Dia 2 3 4 polegadas Para banda de comprimento de onda OCT 1,3um
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FP epiwafer InP camada de contato de substrato InGaAsP Dia 2 3 4 polegadas para banda de comprimento de onda OCT 1,3um Resumo do substrato do epiwafer FP Os epiwafers Fabry-Perot (FP) em substratos de fosfeto ... Leia mais
2024-09-10 15:33:00
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Sic carcaça

A pureza alta un-lubrificou a bolacha do carboneto de silicone sic, carcaça do carboneto de silicone de 6Inch 4H-Semi sic

2 polegadas 6H - semi consumo da baixa potência da bolacha do carboneto de silicone para o detector

sic carboneto de silicone do lingote 4inch espessura de 5 - de 15mm para semicondutores

Dureza sic lustrada 4H-SEMI da lente 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 da bolacha para o material do dispositivo

Bolacha da safira

Orientação feita sob encomenda do Special de Windows do vidro da safira da bolacha de semicondutor/safira

Wafer de safira Espessura 0,43 mm Componentes de safira Dimensões e orientações personalizadas

Bolacha quadrada da safira/cristal 10x10mm 5x5mm de safira para a lente ótica

2°Off C - safira sintética Epi de vidro da linha central - polegada de diâmetro pronta 50.8mm das carcaças 2

Bolacha do nitreto do gálio

Espessura de GaN Wafer 350um do nitreto do gálio da exposição da projeção do laser

2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template autônomo para conduzido

Molde de 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN na bolacha da AlN-Em-safira da EPI-bolacha da safira

bolacha do molde de GaN AlN do nitreto do gálio de 2inch 4Inch na safira, carcaças do si

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