logo
Casa Produtos

Sic carcaça

Estou Chat Online Agora

Sic carcaça

(132)
China Wafer de carburo de silício Sic Substrato 4H-P Tipo fora do eixo 4,0° em direção a zero Grau para sensor de temperatura fábrica

Wafer de carburo de silício Sic Substrato 4H-P Tipo fora do eixo 4,0° em direção a zero Grau para sensor de temperatura

Descrição do produto: Wafer de carburo de silício Sic Substrato 4H-P Tipo Off eixo: 4,0° para zero Grau Para sensor de temperatura O substrato de carburo de silício 4H-P (SiC) é um material semicondutor de alto ... Leia mais
2025-02-21 16:42:38
China Wafer Sic de 12 polegadas Carbono de Silício Tipo 4H-N Grau de produção fábrica

Wafer Sic de 12 polegadas Carbono de Silício Tipo 4H-N Grau de produção

Descrição da bolacha Sic de 12 polegadas Wafer Sic de 12 polegadas carburo de silício tipo 4H-N de produção de qualidade de qualidade de grande tamanho Um substrato de carburo de silício (SiC) de 12 polegadas é ... Leia mais
2025-02-21 16:42:37
China Substrato de carburo de silício de cristal único de 12 polegadas Sic Tamanho grande Diâmetro de alta pureza 300 mm Grau do produto Para comunicação 5G fábrica

Substrato de carburo de silício de cristal único de 12 polegadas Sic Tamanho grande Diâmetro de alta pureza 300 mm Grau do produto Para comunicação 5G

Descrição do produto: Substrato de carburo de silício de cristal único de 12 polegadas Sic Tamanho grande Diâmetro de alta pureza 300 mm Grau do produto Para comunicação 5G O substrato de carburo de silício de ... Leia mais
2025-02-21 14:58:31
China 2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de carburo de silício 4H 6H 3C Tipo de suporte Personalizar Indústria de semicondutores Tamanhos múltiplos fábrica

2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de carburo de silício 4H 6H 3C Tipo de suporte Personalizar Indústria de semicondutores Tamanhos múltiplos

2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de carburo de silício 4H 6H 3C Tipo de suporte Personalizar Indústria de semicondutores Tamanhos múltiplos Descrição do produto O substrato de carburo de silício é um material ... Leia mais
2025-02-07 15:10:23
China 6 polegadas 8 polegadas Wafer Carrier Semi Padrão FOSB POD FOUP RSP 25 peças 1 peça caso de aplicação prática fábrica

6 polegadas 8 polegadas Wafer Carrier Semi Padrão FOSB POD FOUP RSP 25 peças 1 peça caso de aplicação prática

6 polegadas 8 polegadas Wafer Carrier Semi Padrão FOSB POD FOUP RSP 25 peças 1 peça caso de aplicação prática Introdução do produto A caixa de transporte de wafer protege, transcarrega e armazena wafers de 6/8 ... Leia mais
2025-02-07 15:10:22
China Wafer de carburo de silício SiC de 8 polegadas 4H-N Tipo P/D/R Grau Mohs.9 Múltiplas aplicações Personalização fábrica

Wafer de carburo de silício SiC de 8 polegadas 4H-N Tipo P/D/R Grau Mohs.9 Múltiplas aplicações Personalização

Wafer de carburo de silício SiC de 8 polegadas 4H-N Tipo P/D/R Grau Mohs.9 Múltiplas aplicações Personalização Introdução do produto O SiC, comumente referido como carburo de silício, é um composto formado pela ... Leia mais
2025-02-07 15:10:22
China Wafer Sic de carburo de silício de 4 polegadas Tipo 4H-P Diâmetro de 100 mm Espessura de 350 μm Prime Grade Grade de pesquisa fábrica

Wafer Sic de carburo de silício de 4 polegadas Tipo 4H-P Diâmetro de 100 mm Espessura de 350 μm Prime Grade Grade de pesquisa

Descrição do produto: Wafer Sic de carburo de silício de 4 polegadas Tipo 4H-P Diâmetro de 100 mm Espessura de 350 μm Prime Grade Grade de pesquisa O carburo de silício 4H-P (SiC) é um material semicondutor ... Leia mais
2025-01-24 15:29:41
China Sic Wafer de Carbono de Silício 5*5mm/10*10mm Tipo 4H-P Grau de Produção Para Eletrônica de Potência fábrica

Sic Wafer de Carbono de Silício 5*5mm/10*10mm Tipo 4H-P Grau de Produção Para Eletrônica de Potência

Descrição do produto: Sic Wafer de Carbono de Silício 5*5mm/10*10mm Tipo 4H-P Grau de Produção Para Eletrônica de Potência O carburo de silício 4H-P (SiC) é um material semicondutor importante comumente usado ... Leia mais
2025-01-24 15:04:24
China 2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de sementes de carburo de silício 4H-N Tipo Alta dureza P grau R grau D grau fábrica

2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de sementes de carburo de silício 4H-N Tipo Alta dureza P grau R grau D grau

Descrição do produto: 2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de sementes de cristal de carburo de silício 4H-N Tipo Alta dureza P grau R grau D grau O carburo de silício (SiC), comumente referido como carburo de sil... Leia mais
2025-01-24 14:50:41
China Substrato de carburo de silício de 6 polegadas Sic Tipo 6H-P para sistemas de comunicações e radares Diâmetro 150 mm Prime Grade fábrica

Substrato de carburo de silício de 6 polegadas Sic Tipo 6H-P para sistemas de comunicações e radares Diâmetro 150 mm Prime Grade

Descrição do produto: Substrato de carburo de silício de 6 polegadas Sic Tipo 6H-P Para comunicações e sistemas de radar Diâmetro 150 mm Prime Grade O 6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) é um material semicondut... Leia mais
2025-01-24 14:33:00
Page 4 of 14|< 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 >|