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Bolacha Epitaxial SiC de 6 polegadas, Diâmetro 150mm, Tipo 4H-N, Tipo 4H-P, para Comunicação 5G

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Bolacha Epitaxial SiC de 6 polegadas, Diâmetro 150mm, Tipo 4H-N, Tipo 4H-P, para Comunicação 5G

6inch SiC Epitaxial Wafer Diameter 150mm 4H-N Type 4H-P Type For 5G Communication
6inch SiC Epitaxial Wafer Diameter 150mm 4H-N Type 4H-P Type For 5G Communication 6inch SiC Epitaxial Wafer Diameter 150mm 4H-N Type 4H-P Type For 5G Communication 6inch SiC Epitaxial Wafer Diameter 150mm 4H-N Type 4H-P Type For 5G Communication

Imagem Grande :  Bolacha Epitaxial SiC de 6 polegadas, Diâmetro 150mm, Tipo 4H-N, Tipo 4H-P, para Comunicação 5G

Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: ZMSH
Certificação: rohs
Número do modelo: bolacha 6inch sic Epitaxial
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 25
Preço: by case
Detalhes da embalagem: Pacote em sala limpa de grau 100
Tempo de entrega: 5-8weeks
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 1000 pcs por mês
Contato
Descrição de produto detalhada
Estrutura cristalina: Monocristal 4H-SiC Tamanho: 6 polegadas.
Diâmetro: 150 mm Resistividade: 0,015–0,15 Ω·cm (ajustável)
Exclusão da borda: 3 mm Aplicação: Veículos de Energia Nova, Indústria e Energia
Destacar:

Tipo bolacha sic Epitaxial de N

,

Wafer Epitaxial de SiC tipo P

,

Orifício epitaxial de 6 polegadas

 

Resumo técnico de uma bolacha epitaxial SiC de 6 polegadas

Bolacha Epitaxial SiC de 6 polegadas, Diâmetro 150mm, Tipo 4H-N, Tipo 4H-P, para Comunicação 5G 0

 

Diâmetro de Wafer Epitaxial SiC de 6 polegadas 150 mm Tipo N Tipo P Tipo para Comunicação 5G

 
 
 

Como material principal para a fabricação de dispositivos de energia de carburo de silício (SiC), a bolacha epitaxial 4H-SiC de 6 polegadas baseia-se num substrato SiC de tipo 4H-N,cultivados por deposição química de vapor (CVD) para obter uma elevada uniformidade, baixa densidade de defeito e desempenho elétrico excepcional. As suas vantagens técnicas incluem: - Não.

 

· Estrutura de cristal: (0001) orientação da face do silício com um corte de 4° para otimizar a correlação da rede e minimizar os defeitos de falha de micropaipe/empena. - Não.

· Desempenho Eléctrico: concentração de dopagem do tipo N controlada com precisão entre 2×1014 ‰ 2×1019 cm−3 (tolerância ± 14%), atingindo uma resistividade ajustável a partir de 0,015 ‰ 0.15 Ω·cm através da tecnologia de dopagem in situ. - Não.

· Controle de defeitos: densidade de defeito superficial < 25 cm−2 (TSD/TED), densidade de defeito triangular < 0,5 cm−2, assegurada pelo crescimento assistido por campo magnético e monitorização em tempo real.

 

Aproveitando os clusters de equipamentos CVD desenvolvidos internamente, a ZMSH consegue controlar todo o processo, desde o processamento do substrato até o crescimento epitaxial,Apoio a ensaios rápidos em pequenos lotes (mínimo de 50 wafers) e soluções personalizadas para aplicações em veículos de novas energias, inversores fotovoltaicos e estações base 5G.

 

 

 

Parâmetros-chave para placas epitaxial de SiC de 6 polegadas

 
 
- Não.Parâmetro Especificação
Diâmetro 150 mm (± 0,2 mm)
Espessura 50 ∼ 100 μm (alta tensão)
Concentração de doping (N) 2 × 1014 ¢ 2 × 1019 cm−3
Densidade dos defeitos de superfície < 25 cm−2 (TDS/TED)
Resistividade 0.015·0.15 Ω·cm (regulado)
Exclusão de borda 3 mm

 

 

 

Características essenciais de wafers epitaxial de SiC de 6 polegadas

 

1- Desempenho do material

  • Conductividade térmica: > 350 W/m·K, wafers epitaxial SiC de 6 polegadas que garantem uma operação estável a > 200°C, 3 vezes superior ao silício.
  • Força de campo de ruptura: > 3 MV/cm, permitindo dispositivos de alta tensão de 10 kV+ com espessura otimizada (10 ‰ 100 μm). - Não.
  • Mobilidade do portador: Mobilidade dos elétrons > 900 cm2/(V·s), wafers epitaxial SiC de 6 polegadas melhoradas por dopagem por gradiente para comutação mais rápida.

 

2- Vantagens do processo

  • Uniformidade de espessura: < 3% (teste de 9 pontos) através de reatores de zona de temperatura dupla, com controlo de espessura de 5 ‰ 100 μm. - Não.
  • Qualidade da superfície: Ra < 0,5 nm (microscopia de força atômica, AFM), wafers epitaxial SiC de 6 polegadas otimizadas por gravação de hidrogênio e polimento químico mecânico (CMP).
  • Densidade de defeito: Densidade de microtubos < 1 cm−2, minimizada através de recozimento com viés inverso. - Não.

 

3Capacidades de personalização

  • Orientação de cristal: as wafers epitaxial de 6 polegadas de SiC suportam (0001) face de silício, (11-20) face de carbono e crescimento quase-homoepitaxial para MOSFETs de trincheira e diodos JBS.
  • Compatibilidade de embalagem: as obleias epitaxial de SiC de 6 polegadas oferecem polir de dois lados (Ra < 0,5 nm) e embalagem de nível de obleias (WLP) para TO-247/DFN.

 

 

- Não.

- Não.Principais aplicações - Não. de wafers epitaxial SiC de 6 polegadas

 

 

Bolacha Epitaxial SiC de 6 polegadas, Diâmetro 150mm, Tipo 4H-N, Tipo 4H-P, para Comunicação 5G 1

1Sistemas de energia renovável

· Inversores de turbinas eólicas: placas epitaxial SiC de 1700 V para conversão CC-AC em turbinas eólicas de grande escala, aumentando a eficiência de conversão de energia para 99,2% e reduzindo as perdas do lado CC em 15%.

· Armazenamento de energia híbrida: módulos SiC de 10 kV para conversores bidireccionais DC-DC em sistemas de armazenamento de baterias em escala de rede, permitindo a transferência de energia entre as redes solar/eólica e a rede.

 

 

2Infra-estrutura de energia dos centros de dados

· PDU ultraeficiente: MOSFETs SiC 650V integrados em unidades de distribuição de energia (PDU), alcançando 98% de eficiência e reduzindo os custos de arrefecimento em 20% através de menor dissipação de calor.

· Redes de Energia Inteligentes: Tiristores SiC de 3300 V para transmissão de CC de alta tensão (HVDC) em microredes de centros de dados, minimizando as perdas de transmissão para < 0,3%.

 

 

3- Acionamento de motores industriais.

· Acionamentos AC de alta potência: módulos IGBT SiC de 1200 V para acionamentos de motores industriais na fabricação de aço, que permitem o controlo de velocidade variável com 97% de eficiência e reduzem o desperdício de energia em 12%.

· Empilhadeiras elétricas: inversores baseados em SiC de 400 V para empilhadeiras elétricas compactas e de alto desempenho, prorrogando o tempo de funcionamento em 30% através da redução do consumo de energia.

 

 

4. Sistemas de energia aeroespacial

· Unidades de alimentação auxiliares (APU): placas epitaxial de 6H-SiC resistentes à radiação para inversores de APU em aeronaves, operando de forma fiável a -55°C a 225°C e passando os testes de dureza de radiação MIL-STD-883.

 

 

 

Serviços da ZMSHWafers epitaxial de SiC de 6 polegadas

 

 

 

Serviços e carteira de produtos da ZMSH O nosso negócio principal abrange uma cobertura abrangente de substratos de SiC de 2 ′′12" e wafers epitaxial, incluindo politipos de tipo 4H/6H-N, HPSI, SEMI e 3C-N,com capacidades avançadas em fabricação personalizada (e.g., corte através de um buraco, polir de dois lados, embalagem ao nível de uma bolacha) e soluções de ponta a ponta que abrangem epitaxia CVD, implantação de íons, recozimento e validação do dispositivo. Aproveitando 75% de equipamentos CVD de origem nacional, fornecemos soluções de baixo custo, alcançando custos de produção 25% menores em comparação com os concorrentes globais.

 

 

Bolacha Epitaxial SiC de 6 polegadas, Diâmetro 150mm, Tipo 4H-N, Tipo 4H-P, para Comunicação 5G 2

 

 

 

Perguntas frequentes6 polegadas.Orifícios epitaxiais de SiC

 

 

1Q: Quais são as principais aplicações de wafers epitaxial de SiC de 6 polegadas? - Não.

R: São amplamente utilizadas em veículos de nova energia (inversores de acionamento principal, sistemas de carregamento rápido), inversores fotovoltaicos, estações base de comunicação 5G e motores industriais,Melhoria da eficiência energética e redução do consumo de energia.

 

 

2. Q: Como minimizar a densidade de defeito em wafers epitaxial de SiC de 6 polegadas? - Não.

A: A densidade de defeito é controlada através da otimização da relação C/Si (0,9), da regulação da temperatura de crescimento (1590°C) e do crescimento assistido por campo magnético, reduzindo defeitos fatais (por exemplo,Defeitos triangulares) até < 00,4 cm - 2.

 

 

 

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carcaça do carboneto de silicone

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