Detalhes do produto
Lugar de origem: China
Marca: ZMSH
Certificação: rohs
Número do modelo: Placa portadora de SiC
Termos de pagamento e envio
Preço: by case
Tempo de entrega: 2-4weeks
Termos de pagamento: T/T
Densidade: |
3.21 g/cc |
Calor específico: |
0.66 J/g °K |
Duração da fractura: |
2.94 MPa m1/2 |
Dureza: |
2800 |
Tamanho do grão: |
2 - 10 μm |
Aplicações: |
Fabricação de semicondutores, produção de LED |
Densidade: |
3.21 g/cc |
Calor específico: |
0.66 J/g °K |
Duração da fractura: |
2.94 MPa m1/2 |
Dureza: |
2800 |
Tamanho do grão: |
2 - 10 μm |
Aplicações: |
Fabricação de semicondutores, produção de LED |
A placa transportadora SiC (placa transportadora de carburo de silício) é um componente cerâmico de alto desempenho amplamente utilizado em setores de manufatura avançados, como semicondutores, LEDs e eletrônicos de potência.Reconhecido pela sua excepcional resistência térmica, alta condutividade térmica, baixa expansão térmica e resistência mecânica superior, é a solução ideal para processos de alta temperatura.incluindo o projeto, fabricação, testes e suporte pós-venda, garantindo desempenho e confiabilidade ideais para manuseio de wafer, crescimento epitaxial e outras aplicações críticas.
Imóveis | Valor | Método |
Densidade | 3.21 g/cc | Flotação do sumidouro e dimensão |
Calor específico | 0.66 J/g °K | Flash de laser pulsado |
Força de flexão | 450 MPa560 MPa | 4 pontos de curva, RT4 pontos de curva, 1300° |
Duração da fractura | 2.94 MPa m1/2 | Micro-indentação |
Dureza | 2800 | Vicker's, 500g de carga |
Módulo elásticoMódulo do jovem | 450 GPa430 GPa | 4 pt curva, RT4 pt curva, 1300 °C |
Tamanho do grão | 2 ¢ 10 μm | SEM |
1.Resistência a temperaturas ultra-altasFuncionamento estável até 1650°C, ideal para CVD, MOCVD e outros processos de alta temperatura.
2.Gestão térmica superiorA condutividade térmica de 120-200 W/m·K garante uma rápida dissipação de calor e minimiza o esforço térmico.
3.Baixa expansão térmica(4.3×10−6/K) ∆ Estabilidade dimensional excepcional a altas temperaturas, evitando desalinhamento ou rachaduras de wafer.
4.Alta dureza e resistência ao desgasteDureza de Mohs de 9.2, muito superior ao quartzo e ao grafite, prolonga a vida útil.
5.Inercia química- Resistente a ácidos, álcalis e erosão plasmática, adequado para ambientes adversos.
6.Alta pureza e livre de contaminaçãoOs níveis de impurezas metálicas < 1 ppm, que cumprem os padrões de limpeza de nível de semicondutores.
- Não.
· Fabricação de semicondutores¢ Epitaxia de wafer (GaN/SiC), transportador da câmara de reação CVD.
· Produção de LEDSuporta substratos de safira para crescimento uniforme da MOCVD.
· Eletrónica de Potência¢ Transportador de sinterização a alta temperatura para dispositivos de potência de SiC/GaN.
· Embalagens avançadasO substrato de colocação de precisão e processamento a laser.
Categoria | Ponto | Descrição |
Compatibilidade dos processos | Epitaxia de alta temperatura | Compatível com o crescimento epitaxial de GaN/SiC (> 1200°C) |
Ambientes de plasma | Resiste ao bombardeio de plasma RF/microondas para sistemas de gravação | |
Ciclos térmicos rápidos | Excelente resistência a choques térmicos para aquecimento/refrigeração repetidos | |
Tipos de material | SiC ligado por reação (RBSiC) | Rentabilidade para aplicações industriais |
Deposição química de vapor SiC (CVD-SiC) | De alta pureza (> 99,9995%) para processos de semicondutores | |
SiC prensado a quente (HPSiC) | Alta densidade (> 3,15 g/cm3) para cargas pesadas de wafer | |
Funções fundamentais | Manipulação e fixação de wafer | Fixa as placas sem deslizamento a altas temperaturas |
Uniformidade térmica | Otimiza a distribuição de temperatura para o crescimento epitaxial | |
Alternativa ao grafito | Elimina os riscos de oxidação e contaminação por partículas |
A ZMSH fornece soluções abrangentes de ponta a ponta para placas transportadoras de carburo de silício (placas transportadoras de SiC), oferecendo serviços de design personalizados com dimensões personalizadas, padrões de aberturae tratamentos de superfície, incluindo polir espelhos e revestimentos especializados, fabricação de precisão utilizando processos CVD/RBSiC que mantêm uma consistência de lote rigorosa dentro de tolerâncias de ± 0,05 mm, protocolos rigorosos de inspeção de qualidade,Entrega acelerada de protótipos com 72 horas de resposta, e suporte técnico global com capacidade de resposta 24 horas por dia, 7 dias por semana, garantindo aos clientes produtos de alto desempenho com excepcional uniformidade e fiabilidade para as suas aplicações críticas.
1Q: Qual é a temperatura máxima para placas portadoras de SiC?
R: As placas portadoras de SiC suportam operação contínua até 1650°C, ideal para crescimento epitaxial de semicondutores e processamento a alta temperatura.
2P: Por que usar SiC em vez de grafite para portadores de wafer?
R: O SiC oferece zero geração de partículas, 10 vezes mais vida útil e melhor resistência ao plasma do que os portadores de grafite.
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