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Placa portadora revestida com SiC de alta pureza para manuseio e transferência de wafer

Detalhes do produto

Lugar de origem: China

Marca: ZMSH

Certificação: rohs

Número do modelo: Placa portadora de SiC

Termos de pagamento e envio

Preço: by case

Tempo de entrega: 2-4weeks

Termos de pagamento: T/T

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Destacar:

Placa portadora revestida com SiC de alta pureza

,

Placa transportadora revestida de SiC para transferência

,

Placa portadora revestida de SiC para manuseio de wafer

Densidade:
3.21 g/cc
Calor específico:
0.66 J/g °K
Duração da fractura:
2.94 MPa m1/2
Dureza:
2800
Tamanho do grão:
2 - 10 μm
Aplicações:
Fabricação de semicondutores, produção de LED
Densidade:
3.21 g/cc
Calor específico:
0.66 J/g °K
Duração da fractura:
2.94 MPa m1/2
Dureza:
2800
Tamanho do grão:
2 - 10 μm
Aplicações:
Fabricação de semicondutores, produção de LED
Placa portadora revestida com SiC de alta pureza para manuseio e transferência de wafer

 

Resumo da placa portadora de SiC

 

Placa portadora revestida com SiC de alta pureza para manuseio e transferência de wafer

 

 

A placa transportadora SiC (placa transportadora de carburo de silício) é um componente cerâmico de alto desempenho amplamente utilizado em setores de manufatura avançados, como semicondutores, LEDs e eletrônicos de potência.Reconhecido pela sua excepcional resistência térmica, alta condutividade térmica, baixa expansão térmica e resistência mecânica superior, é a solução ideal para processos de alta temperatura.incluindo o projeto, fabricação, testes e suporte pós-venda, garantindo desempenho e confiabilidade ideais para manuseio de wafer, crescimento epitaxial e outras aplicações críticas.

 

 


 

Especificação técnica:

 

 

Imóveis Valor Método
Densidade 3.21 g/cc Flotação do sumidouro e dimensão
Calor específico 0.66 J/g °K Flash de laser pulsado
Força de flexão 450 MPa560 MPa 4 pontos de curva, RT4 pontos de curva, 1300°
Duração da fractura 2.94 MPa m1/2 Micro-indentação
Dureza 2800 Vicker's, 500g de carga
Módulo elásticoMódulo do jovem 450 GPa430 GPa 4 pt curva, RT4 pt curva, 1300 °C
Tamanho do grão 2 ¢ 10 μm SEM

 

 


 

Principais características doPlaca portadora de SiC

Placa portadora revestida com SiC de alta pureza para manuseio e transferência de wafer 0

 

1.Resistência a temperaturas ultra-altasFuncionamento estável até 1650°C, ideal para CVD, MOCVD e outros processos de alta temperatura.

 

2.Gestão térmica superiorA condutividade térmica de 120-200 W/m·K garante uma rápida dissipação de calor e minimiza o esforço térmico.

 

3.Baixa expansão térmica(4.3×10−6/K) ∆ Estabilidade dimensional excepcional a altas temperaturas, evitando desalinhamento ou rachaduras de wafer.

 

4.Alta dureza e resistência ao desgasteDureza de Mohs de 9.2, muito superior ao quartzo e ao grafite, prolonga a vida útil.

 

5.Inercia química- Resistente a ácidos, álcalis e erosão plasmática, adequado para ambientes adversos.

 

6.Alta pureza e livre de contaminaçãoOs níveis de impurezas metálicas < 1 ppm, que cumprem os padrões de limpeza de nível de semicondutores.

 

 


 

Aplicações primárias dePlaca portadora de SiC

- Não.

· Fabricação de semicondutores¢ Epitaxia de wafer (GaN/SiC), transportador da câmara de reação CVD.

 

· Produção de LEDSuporta substratos de safira para crescimento uniforme da MOCVD.

 

· Eletrónica de Potência¢ Transportador de sinterização a alta temperatura para dispositivos de potência de SiC/GaN.

 

· Embalagens avançadasO substrato de colocação de precisão e processamento a laser.

 

 


 

Compatibilidade dos processos, materiais e aplicações

 
 
Categoria Ponto Descrição
Compatibilidade dos processos Epitaxia de alta temperatura Compatível com o crescimento epitaxial de GaN/SiC (> 1200°C)
Ambientes de plasma Resiste ao bombardeio de plasma RF/microondas para sistemas de gravação
Ciclos térmicos rápidos Excelente resistência a choques térmicos para aquecimento/refrigeração repetidos
Tipos de material SiC ligado por reação (RBSiC) Rentabilidade para aplicações industriais
Deposição química de vapor SiC (CVD-SiC) De alta pureza (> 99,9995%) para processos de semicondutores
SiC prensado a quente (HPSiC) Alta densidade (> 3,15 g/cm3) para cargas pesadas de wafer
Funções fundamentais Manipulação e fixação de wafer Fixa as placas sem deslizamento a altas temperaturas
Uniformidade térmica Otimiza a distribuição de temperatura para o crescimento epitaxial
Alternativa ao grafito Elimina os riscos de oxidação e contaminação por partículas

 

 


 

Imagem dos produtosPlaca portadora de SiC

 

A ZMSH fornece soluções abrangentes de ponta a ponta para placas transportadoras de carburo de silício (placas transportadoras de SiC), oferecendo serviços de design personalizados com dimensões personalizadas, padrões de aberturae tratamentos de superfície, incluindo polir espelhos e revestimentos especializados, fabricação de precisão utilizando processos CVD/RBSiC que mantêm uma consistência de lote rigorosa dentro de tolerâncias de ± 0,05 mm, protocolos rigorosos de inspeção de qualidade,Entrega acelerada de protótipos com 72 horas de resposta, e suporte técnico global com capacidade de resposta 24 horas por dia, 7 dias por semana, garantindo aos clientes produtos de alto desempenho com excepcional uniformidade e fiabilidade para as suas aplicações críticas.

 

 

 

Placa portadora revestida com SiC de alta pureza para manuseio e transferência de wafer 1Placa portadora revestida com SiC de alta pureza para manuseio e transferência de wafer 2

 

 


 

Perguntas e Respostas

 

 

1Q: Qual é a temperatura máxima para placas portadoras de SiC?
R: As placas portadoras de SiC suportam operação contínua até 1650°C, ideal para crescimento epitaxial de semicondutores e processamento a alta temperatura.

 

 

2P: Por que usar SiC em vez de grafite para portadores de wafer?
R: O SiC oferece zero geração de partículas, 10 vezes mais vida útil e melhor resistência ao plasma do que os portadores de grafite.

 

 


Tag: #SiC Carrier Plate, #SiC Coated, #SiC Tray, #High-Purity SiC, #High-Purity Silicon Carbide, #Custom, #Wafer Handling and Transfer