Bolacha Epitaxial SiC Tipo 4H-N de 2 polegadas de diâmetro (50,8 mm) para Sensores de Alta Temperatura

Bolacha epitaxial SiC tipo 4H-N de 50,8 mm de diâmetro de 2 polegadas para sensores de alta temperatura

A ZMSH é uma fornecedora líder global de soluções de materiais semicondutores de carboneto de silício, com mais de 10 anos de experiência em P&D e produção de substratos e bolachas epitaxiais SiC. Estabelecemos uma cadeia de fornecimento vertical totalmente integrada, desde o crescimento de cristais até o processamento de bolachas e a deposição epitaxial, alcançando total autonomia do processo. Nosso portfólio de produtos abrange especificações de tamanho completo de 2 a 12 polegadas, incluindo vários politipos, como tipo 4H/6H-N, tipo 4H/6H-P e tipo 3C-N SiC, bem como bolachas HPSI (High Purity Semi-Insulating) e padrão SEMI para diversos cenários de aplicação. Aproveitando tecnologias avançadas de crescimento de cristais e sistemas rigorosos de controle de qualidade, fornecemos soluções de materiais SiC de alta qualidade para mais de 200 clientes globais, com produtos amplamente aplicados em indústrias estratégicas emergentes, incluindo nova energia, comunicações 5G e transporte ferroviário.

Parâmetros-chave da bolacha epitaxial SiC 4H de 2 polegadas

(Nota: Todos os parâmetros podem ser personalizados de acordo com os requisitos do cliente, com relatórios de teste completos e certificados de qualidade fornecidos.)

Principais características da1. P: Quais são as principais vantagens das bolachas epitaxiais 4H-SiC de 2 polegadas?

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1. Propriedades Elétricas Excepcionais

· O 4H-SiC apresenta uma ampla banda proibida de 3,2 eV e resistência ao campo de ruptura superior a 2 MV/cm, dez vezes maior que a dos materiais de silício. Essas características o tornam particularmente adequado para a fabricação de dispositivos eletrônicos de alta tensão e alta potência, reduzindo significativamente as perdas de condução e melhorando a eficiência do sistema.

· A velocidade de derivação de saturação de elétrons atinge 2×10^7 cm/s, o que lhe confere vantagens distintas em aplicações de alta frequência.

2. Excelentes Capacidades de Gerenciamento Térmico

· Condutividade térmica tão alta quanto 4,9 W/cm·K, três vezes maior que a dos materiais de silício, abordando efetivamente os desafios de dissipação de calor em dispositivos de alta densidade de potência.

· Baixo coeficiente de expansão térmica de 4×10^-6/K mantém excelente estabilidade dimensional em ambientes operacionais de alta temperatura.

3. Qualidade Superior do Material

· A tecnologia epitaxial avançada controlada por etapas atinge uma densidade de dislocação da camada epitaxial líder do setor abaixo de 1×10^3 cm^-2.

· O polimento químico-mecânico de precisão garante que a rugosidade da superfície seja controlada em 0,2 nm (Ra), atendendo aos requisitos de fabricação de dispositivos mais rigorosos.

4. Consistência Excepcional do Processo

· Uniformidade da espessura controlada em ±2% e desvio da concentração de doping inferior a 5%, garantindo uma produção em massa estável e confiável.

· Sistemas avançados de monitoramento online permitem o controle do processo em tempo real e a regulação precisa.

Principais aplicações da1. P: Quais são as principais vantagens das bolachas epitaxiais 4H-SiC de 2 polegadas?

1. Setor de Veículos de Nova Energia

· Como material central para inversores de veículos elétricos, melhorando a eficiência do sistema em mais de 15% e estendendo significativamente a autonomia.

· Aplicado em sistemas de carregamento a bordo para suportar requisitos de carregamento rápido de maior potência.

2. Eletrônica de Potência Industrial

· Usado em redes inteligentes, conversores de frequência industrial, etc., melhorando drasticamente a eficiência da conversão de energia.· Particularmente adequado para ambientes exigentes como transporte ferroviário e sistemas de energia marítima.

3. Infraestrutura de Comunicação 5G

· Material de substrato ideal para amplificadores de potência de estação base 5G, suportando processamento de sinal de RF de maior frequência e maior potência.

· Demonstra desempenho excepcional em sistemas de comunicação por satélite.

4. Aeroespacial e Defesa

· Material crítico para sistemas de radar e equipamentos de guerra eletrônica.

· Atende aos requisitos de confiabilidade e estabilidade em ambientes extremos.

5. Geração de Energia Renovável

· Escolha ideal para inversores fotovoltaicos para melhorar a eficiência da geração de energia.

· Material componente chave para sistemas de geração de energia eólica.

Serviço da ZMSH de bolacha epitaxial SiC

Como fornecedora de soluções completas no campo de materiais SiC, a ZMSH oferece soluções completas para substratos e bolachas epitaxiais SiC de 2 a 12 polegadas, cobrindo vários politipos, incluindo tipo 4H/6H-N, tipo 4H/6H-P, tipo 3C-N e bolachas HPSI, com opções de personalização para orientação de cristal, concentração de doping e espessura da camada epitaxial.

Com nossa cadeia industrial completa autossuficiente, estamos equipados com equipamentos epitaxiais CVD e linhas de processamento de precisão líderes internacionalmente, fornecendo serviços de gama completa, desde o crescimento de cristais, corte de bolachas, polimento de dupla face até a gravação a laser, complementados por testes e certificação profissionais, incluindo medições XRD, AFM e Hall. Com uma capacidade de produção mensal superior a 5.000 bolachas, podemos responder rapidamente às necessidades do cliente, desde amostras de P&D até pedidos de produção em massa. Nossa equipe de suporte técnico dedicada oferece serviços de valor agregado, incluindo orientação na seleção de produtos, desenvolvimento de aplicações e suporte pós-venda, comprometida em fornecer soluções de materiais de carboneto de silício de alta qualidade e altamente consistentes para clientes globais. Perguntas frequentes (FAQ)