Destacar:
Substrato de SiC de 500um
, Substrato de SiC de 150 mm
, Substrato SiC de tipo N
Substrato de carburo de silício SiC de 6 polegadas 4H-N Dia 150mm Espessura 350um 500um N Tipo Prime Grade Dummy Grade
Wafer de SiC, Wafer de Carbono de Silício, Substrato de SiC, Substrato de Carbono de Silício, Grau P, Grau D, 2 polegadas de SiC, 4 polegadas de SiC, 6 polegadas de SiC, 8 polegadas de SiC, 12 polegadas de SiC, 4H-N, 4H-SEMI, 6H-N, tipo HPSI
Características do 4H-N SiC
- utilizaçãoSIC Monocristalpara fabrico
- a personalização é permitida por desenhos de projecto
- elevado desempenho, elevada resistividade e baixas correntes de fuga
- 9,2 Mohs alta dureza, logo atrás do diamante
- amplamente utilizados em áreas de alta tecnologia, como a electrónica de potência, os LED e os sensores
Breve introdução do 4H-N SiC
O carburo de silício (SiC) é um material semicondutor feito de silício e carbono.
Tem excelente dureza e resistência, tornando-o muito durável.
O SiC é conhecido por sua excelente condutividade térmica, o que lhe permite dissipar o calor de forma eficiente, tornando-o ideal para aplicações de alta potência e alta temperatura.
Uma de suas principais propriedades é uma ampla faixa, o que permite que os dispositivos operem em tensões, temperaturas e frequências mais altas do que o silício.
O SiC também tem alta mobilidade eletrônica, o que ajuda a permitir dispositivos eletrônicos mais rápidos e eficientes.
Sua estabilidade química e resistência à oxidação tornam-no ideal para ambientes adversos.
O SiC é amplamente utilizado em eletrônicos de potência, onde a eficiência e a durabilidade são críticas, bem como dispositivos de alta frequência, LEDs,e como substrato para o crescimento de outros materiais semicondutores, como o nitreto de gálio (GaN).
Suas propriedades tornam-no um material valioso em aplicações eletrônicas avançadas.
Mais informações sobre o 4H-N SiC
* Mais pormenores no quadro a seguir.
| Especificação do substrato de carburo de silício tipo N de diâmetro 4H de 6 polegadas |
| Propriedade do substrato |
Grau de produção |
Grau de simulação |
| Diâmetro |
150 mm ± 0,1 mm |
| Orientação da superfície |
fora do eixo: 4° para <11-20> ± 0,5° |
| Orientação plana primária |
< 1-100> ± 5,0 ̊ |
| Duração plana primária |
47.5 mm ± 2,0 mm |
| Resistividade |
0.015~0.028Ω·cm |
≤ 0,1Ω·cm |
| Espessura |
350.0 μm ± 25,0 μm ou 500.0 μm ± 25,0 μm |
| TTV |
≤ 15 μm |
≤ 25 μm |
| Arco-íris |
≤ 30 μm |
≤ 50 μm |
| Warp. |
≤ 40 μm |
≤ 60 μm |
| Revestimento de superfície |
Polish de duas faces, Si Face CMP (poluição química) |
| Superfície rugosa |
CMP Si Face Ra≤0,5 nm, C Face Ra≤1 nm |
N/A |
| Nota: As especificações personalizadas que não os parâmetros acima são aceitáveis. |
Outras amostras de4H-N SiC
* Se tiver mais requisitos, podemos fabricar os personalizados.
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Perguntas frequentes
1. Q: Onde você pode usar 6 polegadas 4H-N SiC?
R: Existem muitas áreas de aplicação, como MOSFET, IGBT e diodo, adequados para aplicações de alta potência e alta eficiência, como veículos elétricos, conversores de energia e redes inteligentes.
2P: Como o 4H-N SiC contribui para a energia renovável?
A: A eletrônica de potência baseada em 4H-N SiC melhora a eficiência e a confiabilidade dos sistemas de energia renovável, como inversores solares e turbinas eólicas, permitindo uma melhor conversão e gestão de energia
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