Placa de suporte/placa de suporte para portadores de wafer resistente a altas temperaturas de SiC
As placas de suporte de carburo de silício (SiC) são componentes cerâmicos de alto desempenho amplamente utilizados em setores de manufatura avançados, como semicondutores, LEDs e fotovoltaicos.Conhecidos pela sua excepcional resistência térmicaA ZMSH fornece soluções personalizadas de placas de apoio de SiC, incluindo design, fabricação, testes e fabricação.,e suporte pós-venda, garantindo maior estabilidade do processo e eficiência da produção.
Especificação técnica:
| Parâmetro |
Especificações |
Unidade |
Notas |
| Tipo de material |
CVD-SiC / RBSiC / HPSiC |
- |
Opcional |
| Diâmetro |
100-500 (Customizável) |
mm |
Costumes |
| Espessura |
10 a 50 |
mm |
Ajustável |
| Temperatura máxima de funcionamento |
1650 |
°C |
A longo prazo |
| Conductividade térmica |
120-200 |
W/m·K |
A 25°C |
| Coeficiente de expansão térmica |
4.0×10−6 |
/°C |
NT1cloreto de sódio |
| Densidade |
3.10-3.21 |
g/cm3 |
Teórico |
| Porosidade |
< 0,5% |
- |
Densas |
| Roughness da superfície (Ra) |
< 0,2 (polido) |
μm |
Revestimento de espelho |
| Planosidade |
≤ 0.05 |
mm/100 mm |
Grau de precisão |
| Dureza (Mohs) |
9.2 |
- |
Segundo só ao diamante |
| Força de dobra |
350 a 450 |
MPa |
3 pontos |
| Purificação |
> 99,9995% |
- |
Classe de semicondutores |
Placa de apoio SiC / Placa de suporte
- Não.
1.Resistência à alta temperaturaFuncionamento estável acima de 1600°C, adequado para condições de processo extremas.
2.Conductividade térmica superior¢ Supera os materiais tradicionais (por exemplo, grafito, alumina) na rápida dissipação de calor e redução do esforço térmico.
3.Baixa expansão térmicaExcelente estabilidade dimensional a altas temperaturas, minimizando a deformação.
4.Alta dureza e resistência ao desgasteDureza de Mohs de 9.2, garantindo a durabilidade a longo prazo.
5.Inercia químicaResistente a ácidos, álcalis e ambientes corrosivos (por exemplo, gravação, CVD/PVD).
6.Alta pureza¢ Composição livre de metais, de acordo com os rigorosos padrões da indústria dos semicondutores.
Aplicações primárias dePlaca de suporte SiC / Placa de apoio
- Não.1. Compatibilidade de processos
· Fabricação de semicondutoresCompativel com CVD, MOCVD e crescimento epitaxial, garantindo aquecimento uniforme da bolacha.
· Produção de LEDSuporta substratos de safira para crescimento consistente da camada epitaxial.
· Energia fotovoltaicaUsado em sinterização a alta temperatura e deposição de filme fino.
· Usinagem de precisãoAdequado para corte a laser, gravação por plasma e outros processos de alta precisão.
2. Tipos de material
· SiC ligado por reação (RBSiC)¢ Redução dos custos, ideal para utilização geral em altas temperaturas.
· Deposição química de vapor SiC (CVD-SiC)- Ultra-alta pureza para processos avançados de semicondutores.
· SiC a quente (HPSiC)- Alta densidade e resistência para aplicações de carga pesada.
3Aplicações essenciais
· Suporte de wafer/substrato¢ Assegura uma distribuição térmica uniforme no processo.
· Substituição do grafiteEliminam os riscos de oxidação e contaminação por partículas.
· Equipamento de gravaçãoFornece suporte estável ao ambiente plasmático.
Serviços de ZMSH ¢ Soluções abrangentes de placas de apoio / placas de suporte de SiC
1. Desenho personalizado Dimensões, geometria e tratamentos de superfície otimizados (por exemplo, polir, revestimentos).
2. Fabricação de precisão
3. Testes rigorosos. Inspecção ultrasônica, ciclo térmico e protocolos de garantia de qualidade.
4- Resposta rápida Consultoria técnica, prototipagem e apoio à produção em lotes.
5. Apoio Global ¢ Cobertura mundial (Ásia-Pacífico, Europa, Américas) com serviço pós-venda 24 horas por dia.
Perguntas e Respostas
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