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Wafer de sementes de SiC 6 polegadas 8 polegadas tipo 4H-N grau de produção grau Dummy para o crescimento de wafer de SiC O resumo da bolacha de sementes de SiC de 8 polegadas. As bolinhas de sementes de SiC ... Leia mais
Wafer de sementes de carburo de silício tipo 4H Dia 157±0,5 mm espessura 500±50um área de monocristal > 153 mm Resumo da 4H Silicon Carbide Seed No campo do crescimento de cristais de carburo de silício (SiC), ... Leia mais
Wafer de sementes de SiC de espessura de 8 polegadas 600±50um Tipo de produção de 4H para crescimento de cristais de carburo de silício Resumo da bolacha de sementes de SiC As bolinhas de sementes de SiC são cr... Leia mais
Descrição do produto: 2 polegadas 4H-P SIC Wafer de carburo de silício para fotovoltaicos espessura 350μm Diâmetro 50,8mm Grau zero O carburo de silício 4H-P (SiC) é um material semicondutor importante ... Leia mais
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Descrição do produto: 5*5mm/10*10mm Espessura de wafer de carburo de silício 350μm Sic 3C-N Tipo Alta resistência mecânica Grau de produção 3C-SiC (Carburo de Silício cúbico) é um material semicondutor de banda ... Leia mais
Descrição do produto: Wafer de carburo de silício 6 polegadas Sic Single Crystal 150mm Diâmetro 3C-N Tipo de fato para sistemas de radar de comunicação 3C-SiC (Carburo de Silício cúbico) é um material ... Leia mais
Descrição do produto: Substrato de carburo de silício 4" Sic 3C-N Diâmetro 100 mm Condutor Tipo Zero MPD Grau de produção 3C-SiC (Carburo de Silício cúbico) é um material semicondutor de banda larga com boas ... Leia mais
Descrição do produto: Wafer de carburo de silício de 4 polegadas Sic Tipo 6H-P Espessura 350 μm Grau zero Grau Prime Grau Dummy O 6H-SiC (Carburo de Silício Hexagonal) é um material semicondutor de banda larga ... Leia mais