Efector final de portador de cerâmica Sic personalizado para manuseio de wafer

Efector final de portador Sic Ceramics personalizado para manipulação de wafer

O efetor final de manuseio de wafer, fabricado com tecnologia de usinagem de ultra-precisão, atinge precisão dimensional de nível de micrômetro (± 0,01 mm) e estabilidade térmica excepcional (CTE ≤ 4,5 × 10 / 6 K).A sua superfície apresenta uma camada protetora de SiC nanocristalino avançada depositada por CVD (pureza > 99.995%), proporcionando acabamento de superfície superior (Ra<0,05μm) e resistência ao desgaste (taxa de desgaste <0,1μm/1000 ciclos), garantindo ao mesmo tempo a transferência de wafer sem danos a altas velocidades (1.5 m/s) com uma produção mínima de partículas (< 5 partículas/ft3)O nosso efetor final revestido de SiC de alta pureza demonstra uma excelente estabilidade de desempenho em temperaturas extremas (-200°C~1200°C),Excelente uniformidade térmica (±1°C@wafer de 150 mm) para a consistência da espessura do crescimento epitaxial (±10,5%), e resistência química notável (pH1-13), mantendo uma operação fiável durante > 100 000 ciclos.

Especificação técnica:

Principais características doEfector final para manuseio de wafer

1Na escala nanométrica, a camada protetora de SiC através da tecnologia CVD.

- Depositado com reator CVD de parede quente (1200°C) com tamanho de grão de 20 a 50 nm

- Densidade de revestimento ≥ 3,18 g/cm3, porosidade < 0,1%

2Estabilidade e uniformidade térmica excepcionais a altas temperaturas

- Mantenha uma condutividade térmica ≥ 120 W/m·K a 1000°C

- Deformação térmica < 0,02 mm/100 mm (certificado ASTM E228)

3Revestimento cristalino de SiC ultra-finos para suavidade a nível atómico

- Lixo de diamantes polido para Ra< 0,3 nm (verificado pela AFM)

- Coeficiente de atrito da superfície μ< 0,15 (contra a bolacha de silício)

4. Resistência química superior e durabilidade de limpeza

- Taxa de gravação < 0,01 μm/ciclo em soluções SC1/SC2

- Superou o ensaio de limpeza de água com ozono de 2000 ciclos (80°C)

5. Projeto estrutural exclusivo que impede rachaduras/delaminação

- Projeto da camada tampão de tensão (transição do gradiente SiC/Si)

- Resiste a 1000 ciclos de choque térmico (-196°C~300°C) (compatível com o MIL-STD-883)

Aplicações primárias deEfector final para manuseio de wafer

1Processos front-end de semicondutores:

· Transporte de wafers dentro das fábricas (AMHS)

· Carregamento/descarregamento de ferramentas de litografia

2Embalagem Avançada:

· Alinhamento de precisão para Fan-out e empilhamento de IC 3D

· Manipulação de wafers ultrafinos (< 100 μm) para semicondutores compostos GaN/SiC

3. Ambientes de vácuo:

· Transferência de wafer em câmaras PVD/CVD

Compatibilidade dos processos, materiais e aplicações

Imagem dos produtosEfector final para manuseio de wafer

A ZMSH é uma fornecedora líder de soluções de manuseio de wafer de carburo de silício (SiC) de alto desempenho, especializada em placas transportadoras de engenharia de precisão e efetores finais para fabricação de semicondutores.Os nossos componentes avançados de SiC apresentam revestimentos CVD ultra-puros com rugosidade de superfície abaixo de 0.1μm Ra, garantindo uma operação livre de partículas em ambientes de sala limpa de classe 1. Os produtos demonstram uma estabilidade térmica excepcional, mantendo uma precisão dimensional dentro de ± 0.03 mm em temperaturas extremas entre -200°C e 1300°C, com coeficientes de expansão térmica tão baixos quanto 4,1×10−6/K.