Wafer de sementes de SiC 4H N Tipo Dia 153 155 2 polegadas-12 polegadas Personalizado para fabricação de MOSFETs

Wafer de sementes de SiC 4H N tipo Dia 153 155 2 polegadas-12 polegadas personalizado Usado para fabricação de MOSFETs

As bolhas de cristal de semente de carburo de silício (SiC) servem como materiais fundamentais na indústria de semicondutores.Fabricados a partir de matérias-primas de carburo de silício (SiC) de alta pureza através de processos de transporte físico de vapor (PVT) ou de deposição química de vapor a alta temperatura (HTCVD), a nossa empresa é especializada no fornecimento de wafers de cristais de sementes de SiC de 2-12 polegadas com várias especificações de diâmetro (Dia153, 155, 203, 205, 208) para atender às diversas necessidades dos clientes.

Equipada com instalações de produção de wafers de cristais de sementes de SiC de última geração, a ZMSH possui capacidades abrangentes que abrangem processos de crescimento, corte, moagem e polimento de cristais,permitindo-nos prestar serviços de personalização de alta precisãoAvançando, we will continue to optimize manufacturing processes for large-size (8-12 inch) SiC seed crystal wafers while enhancing crystal quality and yield rates to facilitate their applications in high-end markets including power electronics, dispositivos de RF e veículos de novas energias.

Principais características doWafers de sementes de SiC

• Conductividade térmica excepcional (490 W/m·K):As bolinhas de cristal de semente de SiC apresentam desempenho superior de dissipação de calor, tornando-as ideais para dispositivos de alta potência.

• Largo intervalo de banda (3.2 eV):As bolinhas de cristais de sementes de SiC demonstram resistência a altas tensões e temperaturas, com capacidades operacionais superiores a 600°C.

• Excelente estabilidade química:As bolinhas de cristais de sementes de SiC oferecem uma notável resistência à corrosão para aplicações em ambientes adversos.

• Baixa densidade de defeito (EPD < 103/ cm2):A alta qualidade do cristal garante um desempenho estável do dispositivo.

• Excelente resistência mecânica:Com uma dureza próxima do diamante, as bolinhas oferecem excelente resistência ao desgaste e ao impacto.

Especificações técnicas das bolhas de sementes de SiC

Aplicações primárias deWafers de sementes de SiC

• Semicondutores de potência:As bolinhas de cristal de semente de SiC são usadas na fabricação de dispositivos de energia de alta eficiência, como MOSFETs e SBDs.

• Dispositivos de RF:As bolhas de cristal de semente de SiC são adequadas para aplicações de alta frequência, incluindo estações base 5G e sistemas de radar.

• Veículos de nova energia:Wafers de cristais de sementes de SiC aplicados em componentes críticos como sistemas de acionamento elétrico e carregadores de bordo.

• Inversores fotovoltaicos:As bolinhas de cristais de sementes de SiC aumentam a eficiência de conversão de energia, reduzindo as perdas de energia.

• Aeronáutica:As bolinhas de cristal de semente de SiC são capazes de suportar temperaturas extremas e radiação para equipamentos eletrônicos em ambientes adversos.

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A ZMSH aproveita tecnologias de fabricação proprietárias para fornecer serviços abrangentes de ponta a ponta, desde o crescimento de cristais até o processamento de precisão, incluindo dimensionamento de wafer personalizado (2-12 polegadas),especificações de diâmetro (Dia153/155/203/205/208)As nossas placas de cristal de sementes de SiC atendem aos padrões internacionais avançados em pureza cristalina, controlo de defeitos e precisão dimensional.satisfazer as exigências de aplicações de ponta na electrónica de potênciaCom uma capacidade de produção robusta e soluções flexíveis para a cadeia de abastecimento, a empresa desenvolveu um projeto de tecnologia de ponta para o desenvolvimento de novas tecnologias.Garantimos um fornecimento de volume confiável, mantendo um rigoroso controle de qualidade durante todo o processo de fabricação e entregaA nossa equipa técnica fornece suporte ao processo completo, desde a selecção do produto até ao serviço pós-venda, ajudando os clientes a otimizar as suas soluções de semicondutores.

Substrato de SiC tipo 4H-N/SEMI: