Wafer SiC de Carbono de Silício 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Tipo Prime / Dummy / Grau de Pesquisa

Substrato de carburo de silício (SiC) de 4H-N 2/3/4/6/8/12 polegadas

Esta série de produtos fornece substratos de carburo de silício (SiC) de alta pureza em vários diâmetros (2", 3", 4", 6", 8" e 12"), projetados para semicondutores avançados, eletrônicos de potência,e aplicações optoeletrônicasDisponíveis em classes Prime (device-grade), Dummy (process-testing) e Research (experimental), estes substratos apresentam excelente condutividade térmica (> 400 W/m·K para SiC), alta tensão de ruptura,e superior estabilidade química.

O Prime Grade garante uma densidade de defeito ultra-baixa, tornando-o ideal para dispositivos de alto desempenho como MOSFETs, diodos Schottky e componentes de RF.O Dummy Grade oferece soluções rentáveis para a otimização de processos, enquanto o Grau de Investigação apoia a I&D académica e industrial em tecnologias de semicondutores de banda larga.

Com especificações personalizáveis (dopagem, espessura, polir), esses substratos atendem às exigências rigorosas da eletrônica de potência, comunicações 5G e aplicações de veículos elétricos (EV).

Tabela de especificações

Aplicações das Wafers de SiC

Os nossos substratos 4H-N são projetados para tecnologias de ponta em várias indústrias:

1Eletrónica de Potência
- Veículos elétricos (VE): MOSFETs SiC de alta tensão e inversores para uma conversão eficiente de energia.
- Sistemas de carregamento rápido: permite carregadores compactos e de alta eficiência para veículos elétricos e eletrônicos de consumo.

- Acionamentos de motores industriais: desempenho robusto em ambientes de alta temperatura.

2Comunicação RF e sem fios
- Estações base 5G: transistores de alta frequência com baixa perda de sinal.
- Sistemas de radar e satélite: gestão de energia melhorada para aplicações aeroespaciais e de defesa.

3. Optoelectrónica
- LEDs e lasers UV: gestão térmica superior para aplicações de alta luminosidade.

4Tecnologias de investigação
- Investigação em semicondutores de banda larga: estudos fundamentais sobre as propriedades dos materiais.

Perguntas Frequentes (FAQ)

1Estes substratos podem ser personalizados em termos de dopagem e espessura?

Sim, oferecemos variantes tipo N (dopado com nitrogênio) e tipo P (dopado com alumínio) com resistência ajustável.

2Qual é o prazo para encomendas?

- Tamanhos padrão (2"-6"): 2-4 semanas.
- Tamanhos grandes (8"-12"): 4-6 semanas (dependendo da disponibilidade).

3- Como devem ser armazenados e manuseados os substratos?

- Armazenar em condições de sala limpa (classe 1000 ou superior).
- Manusear luvas de nitril para evitar contaminação.
- Evite tensões mecânicas nas bordas.