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Lente ótica sic de cristal transparente Undoped de carboneto de silicone com dureza 9,2

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SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

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Do MANEQUIM da categoria 6inch de silicone do carboneto carcaças principais da espessura da bolacha 0.5mm 0.35mm DSP 4H-N/semi sic

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China Wafer SICOI de 4 polegadas, 6 polegadas e 8 polegadas, 4H-SiC sobre o isolante, filme de 100 a 150 mm de silicone distribuidor
Wafer SICOI de 4 polegadas, 6 polegadas e 8 polegadas, 4H-SiC sobre o isolante, filme de 100 a 150 mm de silicone

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China Bolacha Epitaxial SiC de 6 polegadas, Diâmetro 150mm, Tipo 4H-N, Tipo 4H-P, para Comunicação 5G fábrica

Bolacha Epitaxial SiC de 6 polegadas, Diâmetro 150mm, Tipo 4H-N, Tipo 4H-P, para Comunicação 5G
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Resumo técnico de uma bolacha epitaxial SiC de 6 polegadas Diâmetro de Wafer Epitaxial SiC de 6 polegadas 150 mm Tipo N Tipo P Tipo para Comunicação 5G Como material principal para a fabricação de dispositivos ... Leia mais
2025-07-07 09:23:01
China Wafer epitaxial SiC de 4 polegadas 4H-N Diâmetro 100 mm Espessura 350 μm Prime Grade fábrica

Wafer epitaxial SiC de 4 polegadas 4H-N Diâmetro 100 mm Espessura 350 μm Prime Grade
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2. Capacidade de Produção · Bolachas de 6 polegadas: 360.000 capacidade anual; linha de P&D de 8 polegadas operacional. · Certificações: Certificado IATF 16949, >95% de rendimento para produtos de nível ... Leia mais
2025-07-01 13:16:40
China Bolacha Epitaxial SiC Tipo 4H-N de 2 polegadas de diâmetro (50,8 mm) para Sensores de Alta Temperatura fábrica

Bolacha Epitaxial SiC Tipo 4H-N de 2 polegadas de diâmetro (50,8 mm) para Sensores de Alta Temperatura
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Parâmetros-chave da bolacha epitaxial SiC 4H de 2 polegadas Parâmetro Especificação Técnica Estrutura Cristalina Cristal único 4H-SiC Diâmetro da Bolacha 50,8±0,5 mm Orientação do Cristal Plano (0001), fora do ... Leia mais
2025-07-01 13:16:40
China Wafer SiC de Carbono de Silício 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Tipo Prime / Dummy / Grau de Pesquisa fábrica

Wafer SiC de Carbono de Silício 4H-N 2"3"4"6"8"12" N Tipo Prime / Dummy / Grau de Pesquisa
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Substrato de carburo de silício (SiC) de 4H-N 2/3/4/6/8/12 polegadas Esta série de produtos fornece substratos de carburo de silício (SiC) de alta pureza em vários diâmetros (2", 3", 4", 6", 8" e 12"), ... Leia mais
2025-06-17 13:40:54
China HPSI Bolachas de SiC Semi-isolantes de Alta Pureza 2"3"4"6" 8" Grau Prime/Dummy/Pesquisa fábrica

HPSI Bolachas de SiC Semi-isolantes de Alta Pureza 2"3"4"6" 8" Grau Prime/Dummy/Pesquisa
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HPSI Wafers de SiC de alta pureza semi-isolantes 2/3/4/6/8 polegadas Prime/Dummy/Research Grade As wafers de carburo de silício (SiC) HPSI (High Purity Semi-Isolating) são substratos de semicondutores avançados ... Leia mais
2025-06-17 13:32:22
China 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 4H-SiCOI Wafers SiC composto em substratos isolantes fábrica

4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 4H-SiCOI Wafers SiC composto em substratos isolantes
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Resumo de Bolachas SiCOI Bolachas 4 polegadas, 6 polegadas e 8 polegadas 4H-SiCOI Substratos compósitos de SiC em isolante Leia mais
2025-06-10 17:24:22
China Wafers de sementes de cristais de SiC Dia 205 203 208 Crescimento de PVT/HTCVD de grau de produção fábrica

Wafers de sementes de cristais de SiC Dia 205 203 208 Crescimento de PVT/HTCVD de grau de produção
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Resumo deWafer de sementes de SiC Wafers de sementes de cristais de SiC Dia 205 203 208 Crescimento de PVT/HTCVD de grau de produção Os Wafers de Cristal de Sementes de Carbono de Silício (SiC) são os ... Leia mais
2025-05-26 11:39:21
China Wafer de sementes de SiC 4H N Tipo Dia 153 155 2 polegadas-12 polegadas Personalizado para fabricação de MOSFETs fábrica

Wafer de sementes de SiC 4H N Tipo Dia 153 155 2 polegadas-12 polegadas Personalizado para fabricação de MOSFETs
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Resumo deWafers de sementes de SiC Wafer de sementes de SiC 4H N tipo Dia 153 155 2 polegadas-12 polegadas personalizado Usado para fabricação de MOSFETs As bolhas de cristal de semente de carburo de silício ... Leia mais
2025-05-26 11:39:21
China Efector final de portador de cerâmica Sic personalizado para manuseio de wafer fábrica

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Resumo deEfector final para manuseio de wafer Efector final de portador Sic Ceramics personalizado para manipulação de wafer O efetor final de manuseio de wafer, fabricado com tecnologia de usinagem de ultra... Leia mais
2025-05-26 11:36:35
China Placa portadora revestida com SiC de alta pureza para manuseio e transferência de wafer fábrica

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Resumo da placa portadora de SiC Placa portadora revestida com SiC de alta pureza para manuseio e transferência de wafer A placa transportadora SiC (placa transportadora de carburo de silício) é um componente ... Leia mais
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Sic carcaça

A pureza alta un-lubrificou a bolacha do carboneto de silicone sic, carcaça do carboneto de silicone de 6Inch 4H-Semi sic

2 polegadas 6H - semi consumo da baixa potência da bolacha do carboneto de silicone para o detector

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Bolacha da safira

Orientação feita sob encomenda do Special de Windows do vidro da safira da bolacha de semicondutor/safira

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Bolacha do nitreto do gálio

Espessura de GaN Wafer 350um do nitreto do gálio da exposição da projeção do laser

2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template autônomo para conduzido

Molde de 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN na bolacha da AlN-Em-safira da EPI-bolacha da safira

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