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Wafer de carburo de silício tipo 4H-P no eixo 0° Utilizado para fabricação de dispositivos de alta potência

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Sic Substrato de Carbono de Silício 5.0*5.0mm Quadrado Tipo 6H-P Espessura 350μm Grau Zero Grau Dummy

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Sic Wafer de Carbono de Silício 55mm/1010mm Tipo 4H-P Grau de Produção Para Eletrônica de Potência

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Wafer SIC de carburo de silício 10*10 mm 6H-P Espessura 350μm Para dispositivos de alta potência

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Lente óptica Sic 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI forma e tamanho personalizado 6SP espessura 10.05

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Diâmetro de Wafer Epitaxial SiC de 8 polegadas 200 mm Espessura 500 μm Tipo 4H-N

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Substrato de carburo de silício de 2 polegadas Sic Tipo 3C-N Diâmetro 50,8 mm Grau de produção Grau de pesquisa Grau de simulação

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Substrato de carburo de silício 4' Sic 3C-N Diâmetro 100 mm Condutor Tipo Zero MPD Grau de produção

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Bolachas epitaxiais de SiC de 2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas e 6 polegadas 4H-N, grau de produção

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Bolacha Epitaxial SiC de 6 polegadas, Diâmetro 150mm, Tipo 4H-N, Tipo 4H-P, para Comunicação 5G

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Bolacha Epitaxial SiC Tipo 4H-N de 2 polegadas de diâmetro (50,8 mm) para Sensores de Alta Temperatura

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Wafer de carburo de silício de 4 polegadas Sic Tipo 6H-P Espessura 350μm Grau zero / Prime Grau Dummy Grade

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