Detalhes dos produtos

Casa PRODUTOS

SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

Nome da marca:	zmsh
Número do modelo:	bolachas da semente 6inch
MOQ:	3PCS
preço:	by case
Tempo de entrega:	30days dentro
Condições de pagamento:	T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

CHINA

Certificação:

ISO9001

Indústria:

carcaça do semicondutor

Materiais:

sic cristal

Aplicação:

Bolachas da semente

Tipo:

4H-N,

Cor:

verde, azul, branco

Hardeness:

9,0 acima

Categoria:

Prima/produção

Espessura:

153mm

Detalhes da embalagem:

pelo caso personalizado

Destacar:

SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

6" bolacha do carboneto de silicone

bolacha do carboneto de silicone de 0.6mm

Descrição do produto

espessura de cristal principal da bolacha 0.6mm da semente do carboneto de silicone de SIC da produção 6inch para sic o crescimento

6inch sic carcaças, sic carcaças sic de cristal 2inch 3inch 4inch 6inch 4h do semicondutor do bloco sic de cristal dos lingotes do lingote sic nenhuma bolacha lubrificada

nós podemos fornecemos a bolacha de alta qualidade do único cristal sic (carboneto de silicone) à indústria eletrônica e optoelectronic. Sic a bolacha é um material do semicondutor da próxima geração, com propriedades elétricas originais e as propriedades térmicas excelentes, comparadas à bolacha de silicone e à bolacha do GaAs, sic bolacha são mais apropriadas para a aplicação do dispositivo da alta temperatura e de poder superior. Sic a bolacha pode ser fornecida no diâmetro 2 -6inch, 4H e 6H sic, N-tipo, nitrogênio lubrificado, e tipo deisolamento disponível. Contacte-nos por favor para mais informações sobre o produto.

aplicação 1.material e advantagement

Aplicações:

• Dispositivo da epitaxia de GaN
• Dispositivo Optoelectronic
• Dispositivo de alta frequência
• Dispositivo de poder superior
• Dispositivo de alta temperatura
• Diodos luminescentes

• Baixa má combinação da estrutura
• Condutibilidade térmica alta
• Consumo da baixa potência
• Características transientes excelentes
• Diferença de faixa alta

PROPRIEDADES MATERIAIS DE CARBONETO DE SILICONE
Polytype	Único cristal 4H	Único cristal 6H
Parâmetros da estrutura	a=3.076 Å	a=3.073 Å
Parâmetros da estrutura	c=10.053 Å	c=15.117 Å
Empilhando a sequência	ABCB	ABCACB
Faixa-Gap	eV 3,26	eV 3,03
Densidade	3,21 · 103 kg/m3	3,21 · 103 kg/m3
Therm. Coeficiente da expansão	4-5×10-6/K	4-5×10-6/K
Índice da refração	nenhuns = 2,719	nenhuns = 2,707
Índice da refração	ne = 2,777	ne = 2,755
Constante dielétrica	9,6	9,66
Condutibilidade térmica	490 W/mK	490 W/mK
Campo elétrico da divisão	2 – 4 · 108 V/m	2 – 4 · 108 V/m
Velocidade de tração da saturação	2,0 · 105 m/s	2,0 · 105 m/s
Mobilidade de elétron	800 cm2/V·S	400 cm2/V·S
mobilidade de furo	115 cm2/V·S	90 cm2/V·S
Dureza de Mohs	~9

2. Describtion material do tamanho

3.productes

SIC Crystal Silicon Carbide Wafer 2

SIC Crystal Silicon Carbide Wafer 3

FAQ:

Q: Que é seus MOQ e prazo de entrega?

: (1) para o inventário, o MOQ é 3pcs. se 5-10pcs ele é melhor em 10-30days

(2) para 6inch personalizou produtos, o MOQ é 10pcs acima em 30-50days

Q: Que é a maneira de transporte e de custo?

: (1) nós aceitamos DHL, Fedex, EMS etc.

(2) é muito bem se você tem sua própria conta expressa, se não, nós poderíamos o ajudar aos enviar e transportar é de acordo com o pagamento real.

Q: Como pagar?

: T/T, 100%

Q: Você tem produtos padrão?

: não há 6inch nossos produtos padrão no estoque.

mas como como a espessura 2sp das carcaças 4inch 0.33mm tenha algum no estoque

Thanks~~~

Etiquetas:

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