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comprar 2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas Sic Substrato de Carbono de Silício 6H Alto Tipo P-dopado Fora do Eixo 4,0° em direção Prime Grade Dummy Grade Fabricação em linha

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comprar Substrato de carburo de silício de 6 polegadas Sic Tipo 6H-P para sistemas de comunicações e radares Diâmetro 150 mm Prime Grade Fabricação em linha

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comprar Substrato de carburo de silício de 6 polegadas 4H-P Diâmetro 150 mm Espessura 350 μm Zero MPD Produção, grau de produção padrão Fabricação em linha

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comprar A pureza alta un-lubrificou a bolacha do carboneto de silicone sic, carcaça do carboneto de silicone de 6Inch 4H-Semi sic Fabricação em linha

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comprar Sic Substrato de carburo de silício tipo 6H-P no eixo 0° Dureza de Mohs 9,2 para dispositivo a laser Fabricação em linha

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comprar Substrato de carburo de silício de cristal único de 12 polegadas Sic Tamanho grande Diâmetro de alta pureza 300 mm Grau do produto Para comunicação 5G Fabricação em linha

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comprar 2 polegadas / 4 polegadas / 6 polegadas Sic Substrato de Carbono de Silício 4H-P Tipo Off Axis 2,0° Para o grau de produção Fabricação em linha

2 polegadas / 4 polegadas / 6 polegadas Sic Substrato de Carbono de Silício 4H-P Tipo Off Axis 2,0° Para o grau de produção

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comprar Semi-isolante SiC em Wafer composto de Si 4H-SEMI substrato tipo P tipo N espessura 500um Fabricação em linha

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comprar Wafer de carburo de silício tipo 4H-P no eixo 0° Utilizado para fabricação de dispositivos de alta potência Fabricação em linha

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comprar Sic Wafer de Carbono de Silício 5*5mm/10*10mm Tipo 4H-P Grau de Produção Para Eletrônica de Potência Fabricação em linha

Sic Wafer de Carbono de Silício 5*5mm/10*10mm Tipo 4H-P Grau de Produção Para Eletrônica de Potência

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