Forno de crescimento de cristais de alta qualidade PVT LPE HT-CVD método de crescimento de cristais de alta qualidade

Forno de crescimento de cristais de alta qualidade PVT LPE HT-CVD método de crescimento de cristais de alta qualidade

O forno de crescimento de cristais de carburo de silício é o equipamento principal para obter uma preparação de cristais de SiC de alta qualidade.O método LPE e o método HT-CVD são três métodos de crescimento de cristal único de carburo de silício comumente utilizados.

Sublimando o pó de sic a alta temperatura e recristalizando-o em cristal de semente, pode-se obter um crescimento de cristal único de SIC de alta pureza e qualidade pelo método PVT.O método LPE utiliza a tecnologia de epitaxia de fase líquida para cultivar cristais de carburo de silício de alta qualidade e alta pureza no substrato de carburo de silício, o que pode melhorar consideravelmente a velocidade de produção e a qualidade do cristal.Os cristais de carburo de silício de alta pureza e de baixo defeito são depositados nos cristais de semente por pirólise de gás de alta pureza a alta temperatura..

Com base nas características de alta temperatura, alto vácuo e controlo preciso do forno de crescimento de carburo de silício,Podemos projetar soluções de crescimento personalizadas para alcançar a produção eficiente e estável de grandes dimensões e de alta qualidade cristais únicos de carburo de silício.
 

Características:

1Transferência física de vapor (PVT)
 
 
 
● Processo: O pó de SiC é sublimado na região de alta temperatura (> 2000°C), o gás SiC é transportado ao longo do gradiente de temperatura e o SiC é condensado em cristais na cauda mais fria
 
 
● característica principal:
● Os componentes-chave, como o cadinho e o porta-sementes, são feitos de grafite de alta pureza.
● O forno Sic é equipado com termopares e sensores infravermelhos.
● O forno de cristais Sic utiliza um sistema de vácuo e fluxo de gás inerte.
● O forno Sic é equipado com um sistema avançado de controlador lógico programável (PLC) para conseguir um controlo automático do processo de crescimento.
● A fim de assegurar o funcionamento estável a longo prazo do forno de SiC, o sistema integra funções de arrefecimento e tratamento de gases de escape.
 
 
● Vantagens: Baixo custo de equipamento, estrutura simples, é o método atual de crescimento de cristais
 
 
● Aplicação: Preparação de cristais de SiC de alta qualidade
 
 
 
 
2Precipitação de Vapores Químicos de Alta Temperatura (HTCVD)

 
 
● Processo: SiH4, C2H4 e outros gases de reação são passados através do gás transportador do fundo do reator, reagem na zona central quente e formam aglomerados de SiC,sublimar para o topo do crescimento de cristais de sementes do reator, a temperatura do processo é de 1800-2300°C
 
 
● característica principal:
● O método de deposição de vapor a alta temperatura utiliza o princípio do acoplamento eletromagnético;
● Durante o crescimento, a câmara de crescimento é aquecida a 1800°C-2300°C por bobina de indução;
● O gás SiH4+C3H8 ou SiH4+C2H4 é alimentado estavelmente na câmara de crescimento, que é transportada por He e H2 e transportada para cima na direção do cristal de semente,fornecendo fonte de Si e fonte de C para o crescimento do cristal, e realizar o crescimento de cristais de SiC no cristal da semente;
● A temperatura no cristal da semente é inferior ao ponto de evaporação do SiC,para que a fase de vapor do carburo de silício possa condensar na superfície inferior do cristal de semente para obter lingotes puros de carburo de silício.
 
 
● Vantagens: menos defeitos, alta pureza, fácil dopagem
 
 
● Aplicação: Criaram cristais de carburo de silício de alta pureza e qualidade
 
 
 
 
 
3Método de fase líquida (LPE)
 
 
 
● Processo: A solução de carbono e silício é co-dissolvida a 1800°C, e o cristal de SiC é precipitado da solução saturada superresfriada
 
 
● característica principal:
● É alcançado um crescimento epitaxial de alta qualidade, obtendo-se uma baixa densidade de defeito e uma camada de cristal único de SiC de alta pureza.
● O método LPE pode otimizar a taxa de crescimento e a qualidade cristalina da camada epitaxial.
● É fácil alcançar a produção industrial em larga escala, e as condições de crescimento são relativamente moderadas, e as exigências de equipamento são baixas.
 
 
● Vantagens: Baixo custo de crescimento, baixa densidade de defeitos
 
 
● Aplicação:O crescimento epitaxial da camada de cristal único de carburo de silício de alta qualidade no substrato de carburo de silício pode fabricar dispositivos eletrônicos de alto desempenho
 
 
 

Display de forno de crescimento de cristais únicos de carburo de silício: