Detalhes do produto
Lugar de origem: China
Marca: ZMSH
Número do modelo: Ingota de SiC
Termos de pagamento e envio
Tempo de entrega: 2-4 semanas
Termos de pagamento: T/T
Materiais: |
monocristal SiC |
Tipo: |
4h-n |
Grau: |
Prime/ Dummy |
Dia: |
150 mm |
Espessura: |
17mm |
Personalizado: |
Apoio |
Materiais: |
monocristal SiC |
Tipo: |
4h-n |
Grau: |
Prime/ Dummy |
Dia: |
150 mm |
Espessura: |
17mm |
Personalizado: |
Apoio |
- apoiar as personalizadas com desenhos gráficos
- um cristal hexagonal (4H SiC), obtido a partir de monocristal SiC
- Alta dureza, dureza de Mohs chega a 9.2, só atrás do diamante.
- excelente condutividade térmica, adequada para ambientes de alta temperatura.
- características de banda larga, adequadas para dispositivos electrónicos de alta frequência e de alta potência.
O lingote SiC (Ingoto de Carbono de Silício) é um cristal de alta pureza feito de material de carburo de silício, que é amplamente utilizado em dispositivos eletrônicos de alta potência e na indústria de semicondutores.
Os lingotes de SiC são geralmente cultivados por métodos como o transporte físico de vapor (PVT) ou a deposição química de vapor (CVD), e têm uma condutividade térmica extremamente elevada,largura de banda e excelente estabilidade química.
Estas características tornam os lingotes de SiC particularmente adequados para a fabricação de dispositivos eletrónicos que exigem comutação de alta velocidade, alta temperatura e funcionamento de alta tensão.
O processo de crescimento dos lingotes de SiC é complexo e estritamente controlado para garantir a alta qualidade e baixa taxa de defeito do cristal.
Devido às suas excelentes propriedades térmicas e elétricas, os lingotes de SiC têm um vasto potencial de aplicação na conservação de energia, veículos elétricos, energia renovável e aeroespacial.
Além disso, a dureza dos lingotes de SiC é extremamente elevada, próxima da dos diamantes, o que requer equipamento e tecnologia especializados durante o corte e o processamento.
No geral, os lingotes de SiC representam uma direcção importante para o desenvolvimento de materiais de dispositivos electrónicos de alto desempenho no futuro.
O lingote é primeiramente cultivado através de um processo de fusão e resfriamento a altas temperaturas e, em seguida, transformado em um substrato através de processos como corte e polimento.
Os substratos são os materiais básicos na fabricação de dispositivos semicondutores e são utilizados para fazer vários componentes eletrônicos.
Por conseguinte, os lingotes de carburo de silício são as principais matérias-primas para a produção de substrato de carburo de silício.
| Ponto | Especificações |
| Diâmetro | 150 mm |
| Politipo SiC | 4H-N |
| Resistividade SiC | ≥ 1E8 Ω·cm |
| Espessura da camada de transferência de SiC | ≥ 0,1 μm |
| Não válido | ≤ 5 ea/wafer (2 mm > D > 0,5 mm) |
| Abrangência frontal | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm × 5 μm) |
| Orientação | O número de unidades de produção é igual ou superior a: |
| Tipo | P/N |
| Flat/Notch | Flat/Notch |
| Fragmentos de borda, arranhões, rachaduras (inspecção visual) | Nenhum |
| TTV | ≤ 5 μm |
| Espessura | 15 mm |
Outras imagens de lingotes de SiC
* Por favor, sinta-se à vontade para nos contactar se tiverem exigências personalizadas.
Recomendações de produtos similares
2. 2 " 3 " FZ SiO2 Single Crystal IC Chips 100um 200um Camada de oxidação seca húmida 100nm 300nm
Perguntas frequentes
1P: Em comparação com o substrato, que tal a aplicação de lingotes?
R: Em comparação com o substrato, os lingotes de carburo de silício têm uma maior pureza e resistência mecânica e são adequados para uso em ambientes extremos.
Os lingotes oferecem superior resistência mecânica e pureza, tornando-os ideais para aplicações em dispositivos de alta potência e alta frequência
2Q: Qual é a perspectiva do mercado dos lingotes de carburo de silício?
R: À medida que os mercados de veículos elétricos e de energias renováveis crescem, a procura de lingotes de carburo de silício continua a aumentar.
