Substrato de carburo de silício de 6 polegadas Sic Tipo 6H-P para sistemas de comunicações e radares Diâmetro 150 mm Prime Grade

Descrição do produto:

O 6H-SiC (Hexagonal Silicon Carbide) é um material semicondutor de banda larga com boa condutividade térmica e resistência a altas temperaturas,que é amplamente utilizado em dispositivos eletrônicos de alta potência e alta frequênciaA dopagem de tipo P é obtida através da introdução de elementos como o alumínio (Al), o que torna o material eletropozitativo e adequado para projetos específicos de dispositivos eletrônicos.que é adequado para funcionamento em ambientes de alta temperatura e alta tensão. A condutividade térmica é superior a muitos materiais semicondutores tradicionais e ajuda a melhorar a eficiência do dispositivo..

No campo da eletrônica de potência, pode ser usado para fabricar dispositivos de potência de alta eficiência, como MOSFETs e IGBTs.Tem um excelente desempenho em aplicações de alta frequência e é amplamente utilizado em equipamentos de comunicaçãoNo domínio da tecnologia LED, pode ser utilizado como material de base para dispositivos de LED azul e ultravioleta.

Características:

· Espaço de banda larga:O intervalo de banda é de cerca de 3,0 eV, tornando-o adequado para aplicações de alta temperatura, alta tensão e alta frequência.

· Excelente condutividade térmica:Com boa condutividade térmica, ajuda a dissipação de calor, melhora o desempenho e a confiabilidade do dispositivo.

· Alta resistência e dureza:alta resistência mecânica, antifragmentação e antidesgaste, adequada para utilização em ambientes adversos.

· Mobilidade dos elétrons:A dopagem do tipo P mantém ainda uma mobilidade relativamente elevada dos portadores, apoiando dispositivos eletrónicos eficientes.

· Propriedades ópticas:Com propriedades ópticas únicas, adequadas para o campo da optoelectrónica, como LEDs e lasers.

· Estabilidade química:Boa resistência à corrosão química, adequada para ambientes de trabalho adversos.

· Forte adaptabilidade:podem ser combinados com uma variedade de materiais de substrato, adequados para uma variedade de cenários de aplicação.

Parâmetros técnicos:

Aplicações:

· Eletrónica de potência:Usado para a fabricação de dispositivos de energia de alta eficiência, como MOSFETs e IGBTs, que são amplamente utilizados em conversores de frequência, gerenciamento de energia e veículos elétricos.

· Equipamento de RF e Microondas:Utilizado em amplificadores de alta frequência, amplificadores de potência de RF, adequados para sistemas de comunicação e radar.
 

· Optoeletrónica:Utilizado como substrato em LEDs e lasers, especialmente em aplicações azuis e ultravioletas.

· Sensores de alta temperatura:Devido à sua boa estabilidade térmica, são adequados para sensores de alta temperatura e equipamentos de monitorização.

· Energia solar e sistemas energéticos:utilizados em inversores solares e outras aplicações de energia renovável para melhorar a eficiência da conversão de energia.

· Eletrónica automóvel:Otimizar o desempenho e poupar energia no sistema de energia dos veículos elétricos e híbridos.

· Equipamentos eléctricos industriais:Módulos de potência para uma ampla gama de equipamentos e máquinas de automação industrial para melhorar a eficiência energética e a fiabilidade.

O nosso substrato SiC está disponível no tipo 6H-P e é certificado RoHS. A quantidade mínima de encomenda é de 10pc e o preço é por caso. Os detalhes da embalagem são caixas de plástico personalizadas.O tempo de entrega é dentro de 30 dias e aceitamos termos de pagamento T / TA nossa capacidade de fornecimento é de 1000pcs/mês. O tamanho do substrato de SiC é de diâmetro 150mm espessura 350 μm. O local de origem é a China.