PRODUTOS

Casa > PRODUTOS > Sic carcaça > 5*5mm/10*10mm Espessura de wafer de carburo de silício 350μm Sic 3C-N Tipo Alta resistência mecânica Grau de produção

Categorias

Envoltório do laboratório

(21)

Contactos

Contactos: Mr. Wang

Telefone:: 86-1580-1942596

Contacte agora

Envie-nos um e-mail.

55mm/1010mm Espessura de wafer de carburo de silício 350μm Sic 3C-N Tipo Alta resistência mecânica Grau de produção

Name: 5*5mm/10*10mm Espessura de wafer de carburo de silício 350μm Sic 3C-N Tipo Alta resistência mecânica Grau de produção
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 3C-N SiC
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Detalhes do produto

Lugar de origem: China

Marca: ZMSH

Certificação: rohs

Número do modelo: 3C-N SiC

Termos de pagamento e envio

Quantidade de ordem mínima: 10 por cento

Preço: by case

Detalhes da embalagem: Caixa de plástico personalizada

Tempo de entrega: em 30days

Termos de pagamento: T/T

Habilidade da fonte: 1000pc/month

Obtenha o melhor preço

Detalhes do produto

Descrição do produto

Destacar: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                Wafer de carburo de silício de 350 μm, Wafer de carburo de silício tipo Sic 3C-N, Wafer de carburo de silício de alta resistência mecânica
                              

Tamanho:	55mm/1010mm	Constante dielétrica:	9,7
Dureza da superfície:	HV0,3>2500	Densidade:	3.21 G/cm3
Coeficiente de expansão térmica:	4,5 X 10-6/K	Tensão de ruptura:	5,5 MV/cm
Aplicações:	Comunicações, sistemas de radar

Tamanho:	55mm/1010mm
Constante dielétrica:	9,7
Dureza da superfície:	HV0,3>2500
Densidade:	3.21 G/cm3
Coeficiente de expansão térmica:	4,5 X 10-6/K
Tensão de ruptura:	5,5 MV/cm
Aplicações:	Comunicações, sistemas de radar

5*5mm/10*10mm Espessura de wafer de carburo de silício 350μm Sic 3C-N Tipo Alta resistência mecânica Grau de produção

Descrição do produto:

55mm/1010mm Espessura de wafer de carburo de silício 350μm Sic 3C-N Tipo Alta resistência mecânica Grau de produção

3C-SiC (Carburo de Silício cúbico) é um material semicondutor de banda larga com boas propriedades elétricas e térmicas, especialmente adequado para alta frequência,aplicações de alta potência e dispositivos eletrónicosA dopagem do tipo N é geralmente obtida através da introdução de elementos como o nitrogénio (N) e o fósforo (P), o que torna o material electronegativo e adequado para uma variedade de projetos de dispositivos eletrônicos.A distância é de aproximadamente 3A dopagem do tipo N ainda mantém uma alta mobilidade eletrônica, o que melhora o desempenho do dispositivo.A excelente condutividade térmica ajuda a melhorar a capacidade de dissipação de calor dos dispositivos de energiaA sua resistência mecânica é boa e é adequada para uso em ambientes adversos. Tem boa resistência a uma ampla gama de produtos químicos e é adequado para aplicações industriais.é utilizado em conversores de potência e motores de alta eficiência, adequado para veículos elétricos e sistemas de energia renovável.

Características:

· Larga distância de banda: distância de banda de aproximadamente 3,0 eV para aplicações de alta temperatura e alta tensão.

· Alta mobilidade dos elétrons: o doping do tipo N proporciona uma boa mobilidade dos elétrons e melhora o desempenho geral do dispositivo.

· Excelente condutividade térmica: possui excelente condutividade térmica e melhora eficazmente o desempenho de dissipação de calor, adequado para aplicações de alta potência.

· Boa resistência mecânica: possui elevada resistência e resistência à compressão e é adequado para utilização em ambientes adversos.

· Resistência química: boa resistência a uma ampla gama de produtos químicos, aumentando a estabilidade do material.

· Características eléctricas ajustáveis: Ao ajustar a concentração de dopagem, podem ser obtidas diferentes propriedades eléctricas para satisfazer as necessidades de uma variedade de aplicações.

Parâmetros técnicos:

5*5mm/10*10mm Espessura de wafer de carburo de silício 350μm Sic 3C-N Tipo Alta resistência mecânica Grau de produção 4

Aplicações:

1- Eletrónica de potência: para conversores de potência, inversores e accionadores de elevada eficiência, amplamente utilizados em veículos eléctricos e sistemas de energia renovável.

2Equipamento de RF e Microondas: amplificadores de RF, equipamento de microondas, especialmente adequados para sistemas de comunicação e radar.

3Optoelectronics: Pode ser usado como bloco de construção para LEDs e detectores de luz, especialmente em aplicações azuis e ultravioleta.

4Sensores: aplicados a uma ampla gama de sensores em ambientes de alta temperatura e alta potência, proporcionando um desempenho fiável.

5. Carregamento sem fio e gestão da bateria: Usado em sistemas de carregamento sem fio e dispositivos de gestão da bateria para melhorar a eficiência e o desempenho.

6Equipamento eléctrico industrial: Utilizado em sistemas industriais de automação e controlo para melhorar a eficiência energética e a estabilidade do sistema.

Personalização:

O nosso substrato SiC está disponível no tipo 3C-N e é certificado RoHS. A quantidade mínima de encomenda é 10pc e o preço é por caso. Os detalhes de embalagem são caixas de plástico personalizadas.O tempo de entrega é dentro de 30 dias e aceitamos termos de pagamento T / TA nossa capacidade de fornecimento é de 1000pcs/mês. O tamanho do substrato SiC é de 55mm/1010mm. O local de origem é a China.

Os nossos serviços:

1- Fabricação e venda diretas.

2Citações rápidas e precisas.

3Responder-lhe-emos no prazo de 24 horas úteis.

4. ODM: O design personalizado é disponível.

5Rapidez e entrega preciosa.

Perguntas frequentes:

P: A sua empresa só trabalha com negócios de SIC?
R: Sim; no entanto, não cultivamos o cristal sic por nós mesmos.

P: Posso personalizar os produtos com base nas minhas necessidades?
R: Sim, podemos personalizar o material, especificações e forma, tamanho com base em suas necessidades.

P: Onde está localizada a sua empresa?
R: A nossa empresa está localizada em Xangai, China.

P: Quanto tempo levará para receber os produtos?
R: Geralmente, levará 3~4 semanas para processar. Depende da e do tamanho dos produtos.

Tags:

12 polegadas Diâmetro 300mm SIC Substrato Epitaxial Wafer Polido Carbono de Silício Ingot Prime Grau 4H-N Tipo Condutor Solar fotovoltaico

Obtenha o melhor preço

2 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas, 12 polegadas Wafer de carburo de silício SiC 4H-N Grado Dummy Grade Rrime Grade Materiais semicondutores de alta dureza

Obtenha o melhor preço

Wafer de carburo de silício tipo 4H-P no eixo 0° Utilizado para fabricação de dispositivos de alta potência

Obtenha o melhor preço

2 polegadas 4H-N Silicon Carbide SiC Substrato espessura 350um 500um Wafer SiC Prime Grade Dummy Grade

Obtenha o melhor preço

2 polegadas / 4 polegadas / 6 polegadas Sic Substrato de Carbono de Silício 4H-P Tipo Off Axis 2,0° Para o grau de produção

Obtenha o melhor preço

2 polegadas/4 polegadas/6 polegadas/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrato de Carbono de Silício Tipo 3C-N No eixo: < 111 > ± 0,5° Grau de produção Grau de simulação

Obtenha o melhor preço

2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas Sic Substrato de Carbono de Silício 6H Alto Tipo P-dopado Fora do Eixo 4,0° em direção Prime Grade Dummy Grade

Obtenha o melhor preço

Bolacha do nitreto do gálio

Bolacha da safira

Sic carcaça

Safira Windows ótico

Bolacha do fosforeto de índio

Peças da safira

vidro de tampa da safira

Pedra preciosa sintética

Equipamento do semicondutor

Bolacha LiNbO3

Bolacha do GaAs

Safira sintética Rod

Bolacha de silicone de IC

Placa de quartzo fundido

carcaça cerâmica

Envoltório do laboratório

5*5mm/10*10mm Espessura de wafer de carburo de silício 350μm Sic 3C-N Tipo Alta resistência mecânica Grau de produção

Wafer de carburo de silício de 350 μm

Wafer de carburo de silício tipo Sic 3C-N

Wafer de carburo de silício de alta resistência mecânica

Descrição do produto:

5*5mm/10*10mm Espessura de wafer de carburo de silício 350μm Sic 3C-N Tipo Alta resistência mecânica Grau de produção

Características:

Parâmetros técnicos:

Aplicações:

Personalização:

Os nossos serviços:

1- Fabricação e venda diretas.

2Citações rápidas e precisas.

3Responder-lhe-emos no prazo de 24 horas úteis.

4. ODM: O design personalizado é disponível.

5Rapidez e entrega preciosa.

Perguntas frequentes:

P: A sua empresa só trabalha com negócios de SIC?R: Sim; no entanto, não cultivamos o cristal sic por nós mesmos.

P: Posso personalizar os produtos com base nas minhas necessidades?R: Sim, podemos personalizar o material, especificações e forma, tamanho com base em suas necessidades.

P: Onde está localizada a sua empresa?R: A nossa empresa está localizada em Xangai, China.

P: Quanto tempo levará para receber os produtos?R: Geralmente, levará 3~4 semanas para processar. Depende da e do tamanho dos produtos.

sic bolacha,

sic carcaça,

Bolacha do nitreto do gálio

Bolacha da safira

Sic carcaça

Safira Windows ótico

Bolacha do fosforeto de índio

Peças da safira

vidro de tampa da safira

55mm/1010mm Espessura de wafer de carburo de silício 350μm Sic 3C-N Tipo Alta resistência mecânica Grau de produção

55mm/1010mm Espessura de wafer de carburo de silício 350μm Sic 3C-N Tipo Alta resistência mecânica Grau de produção

P: A sua empresa só trabalha com negócios de SIC?
R: Sim; no entanto, não cultivamos o cristal sic por nós mesmos.

P: Posso personalizar os produtos com base nas minhas necessidades?
R: Sim, podemos personalizar o material, especificações e forma, tamanho com base em suas necessidades.

P: Onde está localizada a sua empresa?
R: A nossa empresa está localizada em Xangai, China.

P: Quanto tempo levará para receber os produtos?
R: Geralmente, levará 3~4 semanas para processar. Depende da e do tamanho dos produtos.