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4 espessura da bolacha 0.5mm de H-N As-Cut Silicon Carbide para a eletrônica de poder

Name: 4 espessura da bolacha 0.5mm de H-N As-Cut Silicon Carbide para a eletrônica de poder
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 6inch
Price: 315.00 USD
Availability: InStock

Detalhes do produto

Lugar de origem: China

Marca: zmsh

Número do modelo: 6inch

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Quantidade de ordem mínima: 1pcs

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                                                                                                                                                                                                                                                carcaça do carboneto de silicone, sic carcaça
                              

Indústria:	carcaça do semicondutor	Materiais:	sic cristal
Aplicativo:	5G, material do dispositivo, MOCVD, eletrônica de poder	Tipo:	4H-N, semi, nenhum lubrificado
Cor:	verde, azul, branco	Hardeness:	9,0 acima

Indústria:	carcaça do semicondutor
Materiais:	sic cristal
Aplicativo:	5G, material do dispositivo, MOCVD, eletrônica de poder
Tipo:	4H-N, semi, nenhum lubrificado
Cor:	verde, azul, branco
Hardeness:	9,0 acima

4 espessura da bolacha 0.5mm de H-N As-Cut Silicon Carbide para a eletrônica de poder

6inch sic carcaças, sic carcaças sic de cristal 2inch 3inch 4inch 6inch 4h do semicondutor do bloco sic de cristal dos lingotes do lingote sic nenhuma bolacha lubrificada

nós podemos fornecemos a bolacha de alta qualidade do único cristal sic (carboneto de silicone) à indústria eletrônica e optoelectronic. Sic a bolacha é um material do semicondutor da próxima geração, com propriedades elétricas originais e as propriedades térmicas excelentes, comparadas à bolacha de silicone e à bolacha do GaAs, sic bolacha são mais apropriadas para a aplicação do dispositivo da alta temperatura e de poder superior. Sic a bolacha pode ser fornecida no diâmetro 2 -6inch, 4H e 6H sic, N-tipo, nitrogênio lubrificado, e tipo deisolamento disponível. Contacte-nos por favor para mais informações sobre o produto.

aplicação 1.material e advantagement

Aplicações:

• Dispositivo da epitaxia de GaN
• Dispositivo Optoelectronic
• Dispositivo de alta frequência
• Dispositivo de poder superior
• Dispositivo de alta temperatura
• Diodos luminescentes

• Baixa má combinação da estrutura
• Condutibilidade térmica alta
• Consumo da baixa potência
• Características transientes excelentes
• Diferença de faixa alta

PROPRIEDADES MATERIAIS DE CARBONETO DE SILICONE
Polytype	Único cristal 4H	Único cristal 6H
Parâmetros da estrutura	a=3.076 Å	a=3.073 Å
Parâmetros da estrutura	c=10.053 Å	c=15.117 Å
Empilhando a sequência	ABCB	ABCACB
Faixa-Gap	eV 3,26	eV 3,03
Densidade	3,21 · 103 kg/m3	3,21 · 103 kg/m3
Therm. Coeficiente da expansão	4-5×10-6/K	4-5×10-6/K
Índice da refração	nenhuns = 2,719	nenhuns = 2,707
Índice da refração	ne = 2,777	ne = 2,755
Constante dielétrica	9,6	9,66
Condutibilidade térmica	490 W/mK	490 W/mK
Campo bonde da divisão	2 – 4 · 108 V/m	2 – 4 · 108 V/m
Velocidade de tração da saturação	2,0 · 105 m/s	2,0 · 105 m/s
Mobilidade de elétron	800 cm2/V·S	400 cm2/V·S
mobilidade de furo	115 cm2/V·S	90 cm2/V·S
Dureza de Mohs	~9

2. Describtion material do tamanho

3.productes

4 espessura da bolacha 0.5mm de H-N As-Cut Silicon Carbide para a eletrônica de poder 2

FAQ:

Q: Que é seus MOQ e prazo de entrega?

A: (1) para o inventário, o MOQ é 3pcs. se 5-10pcs ele é melhor em 10-30days

(2) para 6inch personalizou produtos, o MOQ é 10pcs acima em 30-50days

Q: Que é a maneira de transporte e de custo?

A: (1) nós aceitamos DHL, Fedex, EMS etc.

(2) é muito bem se você tem sua própria conta expressa, se não, nós poderíamos o ajudar aos enviar e o frete é de acordo com o pagamento real.

Q: Como pagar?

A: T/T, 100%

Q: Você tem produtos padrão?

A: não há 6inch nossos produtos padrão no estoque.

mas como como a espessura 2sp das carcaças 4inch 0.33mm tenha algum no estoque

Thanks~~~

Tags:

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