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bolachas de GaN-EM-SIC EPI da bolacha do nitreto do gálio de 4inch 6inch
  • bolachas de GaN-EM-SIC EPI da bolacha do nitreto do gálio de 4inch 6inch
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bolachas de GaN-EM-SIC EPI da bolacha do nitreto do gálio de 4inch 6inch

Lugar de origem China
Marca zmsh
Certificação ROHS
Número do modelo GaN-EM-SIC
Detalhes do produto
Material:
GaN-em-SIC
indústria:
Bolacha de semicondutor, diodo emissor de luz
aplicação:
dispositivo de semicondutor, bolacha do LD, bolacha do diodo emissor de luz, detector do explorador,
Tipo:
bolachas do epi
Personalizado:
APROVAÇÃO
Tamanho:
2inchx0.35mmt comum
Espessura:
350±50um
Camada:
1-25UM
Densidade de deslocação:
<1e7cm-2>
Realçar: 

bolachas de 6inch EPI

,

Bolachas de GaN-EM-SIC EPI

,

EPI mergulha a bolacha do nitreto do gálio

Descrição do produto

 

 

bolachas da camada do GaN-EM-si EPI das bolachas da camada de 4inch 6inch GaN-EM-SIC EPI

 

Aproximadamente GaN--GaN na característica de GaN-em-SIC introduza

 

Bolacha epitaxial de GaN: De acordo com as carcaças diferentes, é dividida principalmente em quatro tipos: GaN-em-si, GaN-em-SIC, GaN-em-safira, e GaN-em-GaN.
     

    GaN-em-si: O rendimento atual da produção da indústria é baixo, mas há um potencial enorme para a redução de custo: porque o si é o material o mais maduro, defeito-o mais livre, e o mais barato da carcaça; ao mesmo tempo, o si pode ser expandido aos fabs da bolacha de 8 polegadas, reduz os custos de gastos de fabricação de unidade, de modo que o custo da bolacha seja somente um por cento daquele do sic baixo; a taxa de crescimento de si é 200 a 300 vezes que do material sic de cristal, e a diferença fabuloso correspondente da depreciação do equipamento e do consumo de energia no custo, bolachas epitaxial do GaN-em-si etc. são usados principalmente na fabricação de dispositivos eletrónicos do poder, e a tendência técnica é aperfeiçoar a tecnologia em grande escala da epitaxia.
   

   GaN-em-SIC: Combinando a condutibilidade térmica excelente de sic com a densidade de poder superior e as capacidades de pequenas perdas de GaN, é um material apropriado para o RF. Limitado sic pela carcaça, o tamanho atual é limitado ainda a 4 polegadas e a 6 polegadas, e 8 polegadas não foram promovidas. As bolachas epitaxial de GaN-em-SIC são usadas principalmente para fabricar dispositivos da radiofrequência da micro-ondas.
       

GaN-em-safira: Usado principalmente no mercado do diodo emissor de luz, o tamanho do grosso da população é 4 polegadas, e a parte de mercado de microplaquetas do diodo emissor de luz de GaN em carcaças da safira alcançou mais de 90%.

 

     GaN-em-GaN: O mercado da aplicação principal de GaN que usa carcaças homogêneas é lasers azuis/verdes, que são usados na exposição do laser, no armazenamento de laser, na iluminação do laser e nos outros campos.
    
Projeto e fabricação do dispositivo de GaN: Os dispositivos de GaN são divididos em dispositivos da radiofrequência e em dispositivos eletrónicos de poder. Os produtos do dispositivo da radiofrequência incluem o PA, os LNA, os interruptores, o MMICs, etc., que são orientados ao satélite da estação base, ao radar e aos outros mercados; os produtos do dispositivo eletrónico do poder incluem SBD, FET do normally-off. , Normal-no FET, no FET de Cascode e nos outros produtos para o carregamento sem fio, o interruptor de alimentação, o envelope que seguem, o inversor, o conversor e os outros mercados.
De acordo com o processo, é dividido em duas categorias: Processo da radiofrequência do HEMT, do HBT e SBD, processo do dispositivo eletrónico do poder de PowerFET.

 

Aplicações

  1. - Vários diodos emissores de luz: diodo emissor de luz branco, diodo emissor de luz violeta, diodo emissor de luz ultravioleta, diodo emissor de luz azul
  2. - Detecção ambiental
  3. Carcaças para o crescimento epitaxial por MOCVD etc.
  4. - Diodos láser: LD violeta, LD verde para projetores ultra pequenos.
  5. - Dispositivos eletrónicos do poder
  6. - Dispositivos eletrónicos de alta frequência
  7. Exposição da projeção do laser, dispositivo de poder, etc.
  8. Armazenamento da data
  9. iluminação Energia-eficiente
  10. Dispositivos eletrónicos de grande eficacia
  11. Tecnologia nova do hidrogênio do solor da energia
  12. Faixa do terahertz da fonte luminosa

Especificações para GaN--GaN em carcaças para cada categoria

             

 

 

4-6” GaN ON-SIC
Artigo Tipo: N-tipo SIC
Tamanho das dimensões ± 0.5mm de Ф 100.0mm
Espessura da carcaça 350 µm do ± 30
Orientação da carcaçaC-linha central 4°off (0001)
PolonêsDSP
Ra <0>
Estrutura de Epilyaer0.5um pGaN/20um iGaN/2um nGaN/FS-GaN
Epi thickness/STD 1~25um/<3>
Aspereza <0>
Densidade de Discolation <1x107cm-2>
concentração de portador do pGaN >1E17CM-3;
concentração de portador do iGaN > 1E17CM-3;
concentração de portador do nGaN >1E17CM-3;
 
Área útil Nível P >90%; R level>80%: Dlevel>70% (borda e exclusão macro dos defeitos)

 

bolachas de GaN-EM-SIC EPI da bolacha do nitreto do gálio de 4inch 6inch 0bolachas de GaN-EM-SIC EPI da bolacha do nitreto do gálio de 4inch 6inch 1

bolachas de GaN-EM-SIC EPI da bolacha do nitreto do gálio de 4inch 6inch 2

Nossos serviços

1. Fabricação e venda diretas da fábrica.

2. Rapidamente, citações exatas.

3. Responda-lhe dentro de 24 horários laborais.

4. ODM: O projeto personalizado está disponível.

 

5. Velocidade e entrega preciosa.

 

FAQ

Q: Há algum produto conservado em estoque ou padrão?

: Sim, tamanho comum como o tamanho padrão de like2inch 0.3mm sempre nos estoques.

 

Q: Como sobre a política das amostras?

: pesaroso, mas sugira que você possa comprar algum tamanho de 10x10mm para trás para o teste em primeiro lugar.

 

Q: Se mim colocam uma ordem agora, quanto tempo seria antes que eu obtiver a entrega?

: o tamanho padrão no estoque em 1weeks pode ser expressado após o pagamento.

 e nosso termo do pagamento é depósito de 50% e esquerdo antes da entrega.

bolachas de GaN-EM-SIC EPI da bolacha do nitreto do gálio de 4inch 6inch 3

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