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Substrato de carburo de silício Sic de 2 polegadas 6H Baixa resistência Tipo dopado de P alto Diâmetro 50,8 mm

Name: Substrato de carburo de silício Sic de 2 polegadas 6H Baixa resistência Tipo dopado de P alto Diâmetro 50,8 mm
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 6H-P SiC
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Detalhes do produto

Lugar de origem: China

Marca: ZMSH

Certificação: rohs

Model Number: 6H-P SiC

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Quantidade de ordem mínima: 10 por cento

Preço: by case

Packaging Details: customzied plastic box

Tempo de entrega: em 30days

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                                                                                                                                                                                                                                                                                                                Substrato de carburo de silício de baixa resistência, Low Resistance Sic Silicon Carbide Substrate
                              

Dureza da superfície:	HV0,3>2500	Densidade:	3.21 G/cm3
Coeficiente de expansão térmica:	4,5 X 10-6/K	Constante dielétrica:	9,7
Resistência à tração:	>400MPa	Material:	SiC Monocristal
Tamanho:	2 polegadas	Tensão de ruptura:	5,5 MV/cm

Dureza da superfície:	HV0,3>2500
Densidade:	3.21 G/cm3
Coeficiente de expansão térmica:	4,5 X 10-6/K
Constante dielétrica:	9,7
Resistência à tração:	>400MPa
Material:	SiC Monocristal
Tamanho:	2 polegadas
Tensão de ruptura:	5,5 MV/cm

Substrato de carburo de silício Sic de 2 polegadas 6H Baixa resistência Tipo dopado de P alto Diâmetro 50,8 mm

Descrição do produto:

Substrato de carburo de silício Sic de 2 polegadas 6H Baixa resistência Tipo dopado de P alto Diâmetro 50,8 mm

O 6H-SiC (Carburo de Silício Hexagonal) é um material semicondutor de banda larga com boa condutividade térmica e resistência a altas temperaturas,que é amplamente utilizado em dispositivos eletrônicos de alta potência e alta frequênciaA dopagem de tipo P é obtida através da introdução de elementos como o alumínio (Al), o que torna o material eletropozitativo e adequado para projetos específicos de dispositivos eletrônicos.que é adequado para funcionamento em ambientes de alta temperatura e alta tensão. A condutividade térmica é superior a muitos materiais semicondutores tradicionais e ajuda a melhorar a eficiência do dispositivo..

No campo da eletrônica de potência, pode ser usado para fabricar dispositivos de potência de alta eficiência, como MOSFETs e IGBTs.Tem um excelente desempenho em aplicações de alta frequência e é amplamente utilizado em equipamentos de comunicaçãoNo domínio da tecnologia LED, pode ser utilizado como material de base para dispositivos de LED azul e ultravioleta.

Características:

·Espaço de banda larga: o espaço de banda é de cerca de 3,0 eV, tornando-o adequado para aplicações de alta temperatura, alta tensão e alta frequência.

·Excelente condutividade térmica: com boa condutividade térmica, ajuda a dissipação de calor, melhora o desempenho e a confiabilidade do dispositivo.

·Alta resistência e dureza: elevada resistência mecânica, antifragmentação e antidesgaste, adequada para utilização em ambientes adversos.

·Mobilidade dos elétrons: o doping do tipo P mantém ainda uma mobilidade relativamente elevada dos portadores, apoiando dispositivos eletrônicos eficientes.

·Propriedades ópticas: com propriedades ópticas únicas, adequadas para o campo da optoeletrónica, tais como LEDs e lasers.

·Estabilidade química: boa resistência à corrosão química, adequada para ambientes de trabalho adversos.

·Forte adaptabilidade: pode ser combinado com uma variedade de materiais de substrato, adequado para uma variedade de cenários de aplicação.

Parâmetros técnicos:

Aplicações:

·Eletrônica de potência: Usada para fabricar dispositivos de potência de alta eficiência, como MOSFETs e IGBTs, que são amplamente usados em conversores de frequência, gerenciamento de energia e veículos elétricos.
·Equipamento de RF e Microondas: Usado em amplificadores de alta frequência, amplificadores de potência de RF, adequados para sistemas de comunicação e radar.

·Optoeletrônica: Usado como substrato em LEDs e lasers, especialmente em aplicações azuis e ultravioletas.

·Sensores de alta temperatura: devido à sua boa estabilidade térmica, são adequados para sensores de alta temperatura e equipamentos de monitorização.

·Energia solar e sistemas energéticos: utilizados em inversores solares e outras aplicações de energia renovável para melhorar a eficiência da conversão de energia.

·Eletrónica automóvel: otimização do desempenho e poupança de energia no sistema de alimentação de veículos eléctricos e híbridos.

·Equipamento eléctrico industrial: módulos de potência para uma ampla gama de equipamentos e máquinas de automação industrial para melhorar a eficiência e a fiabilidade energéticas.

Personalização:

O nosso substrato SiC está disponível no tipo 6H-P e é certificado RoHS. A quantidade mínima de encomenda é de 10pc e o preço é por caso. Os detalhes da embalagem são caixas de plástico personalizadas.O tempo de entrega é dentro de 30 dias e aceitamos termos de pagamento T / T. Nossa capacidade de fornecimento é de 1000pcs/mês. O tamanho do substrato de SiC é de diâmetro 50,8 mm espessura 350 μm. O local de origem é a China.

Os nossos serviços:

1- Fabricação e venda diretas.

2Citações rápidas e precisas.

3Responder-lhe-emos no prazo de 24 horas úteis.

4. ODM: O design personalizado é disponível.

5Rapidez e entrega preciosa.

Perguntas frequentes:

P: Há algum produto em estoque ou padrão?

R: Sim, o tamanho inicial é de 2 polegadas, tamanho padrão de 0,35 mm, sempre em estoque.

P: Se eu fizer um pedido agora, quanto tempo levaria até eu receber a entrega?

A: tamanho padrão em estoque em 1 semana pode ser expresso após o pagamento.

E o nosso prazo de pagamento é 50% de depósito e partida antes da entrega.

Tags:

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Substrato de carburo de silício de baixa resistência

Low Resistance Sic Silicon Carbide Substrate

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Parâmetros técnicos:

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