A tua busca. [ polished silicon wafer ] correspondência
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Wafer de carburo de silício Sic 6H-P Tipo Off Axis 2.0° Para a produção Grau de pesquisa
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Wafer epitaxial SiC de 4 polegadas 4H-N Diâmetro 100 mm Espessura 350 μm Prime Grade
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Bolacha Epitaxial SiC de 6 polegadas, Diâmetro 150mm, Tipo 4H-N, Tipo 4H-P, para Comunicação 5G
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Eletrodo de silício de cristal único de alta pureza (5N) com diâmetro de buraco de gás personalizável e opções de resistência múltipla para sistemas de plasma de semicondutores
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