Wafer de safira de 8 polegadas:Al2O3 de cristal único sintético personalizável A/R/M-plane 4N5-5N Alta pureza

Visão geral do produto

A bolacha de zafiro de 8 polegadas (200 mm) é um substrato semicondutor de grande formato fabricado a partir de alumina de cristal único sintético de alta pureza (α-Al2O3).Ele serve como um substrato fundamental para a epitaxia LED, dispositivos de potência GaN e dispositivos optoeletrônicos de RF na indústria de semicondutores de terceira geração.e processados através de procedimentos de precisão, incluindo corte de fios múltiplos, lapagem e polimento químico-mecânico.Combinando a vantagem da produção em massa do grande diâmetro com as propriedades intrínsecas do safiro resistência à alta temperatura,isolamento elétrico e resistência à corrosão química é compatível com linhas de produção de epitaxia MOCVD em larga escala, aumentando efetivamente a produção de chips e reduzindo o custo de fabricação unitário, tornando-o um material básico crítico nos campos de optoeletrônicos e semicondutores de ponta.

Características técnicas essenciais

Compatibilidade da produção em massa em grande escala

Com um grande diâmetro de 200 mm (8 polegadas), a área epitaxial efetiva por wafer é 4 vezes maior do que a de wafers de 4 polegadas.É compatível com equipamentos MOCVD de grande escala, como reatores de 12 wafers, aumentando significativamente a produção de chips por lote e reduzindo o custo do substrato por chip.

Sistema de material monocristalino de alta pureza

Fabricados a partir de matéria-prima de alumínio de alta pureza de grau 4N5 a 5N (99,995% a 99,999%)Possui uma estrutura de cristal único hexagonal de fase α, com baixa densidade de deslocamento e excelente integridade cristalina, livre de segregação de impurezas e de defeitos de rede, assegurando a uniformidade do crescimento do filme epitaxial e do rendimento do dispositivo.

Excelente estabilidade térmica
Com um ponto de fusão de 2050°C, a estrutura cristalina permanece estável sob o ambiente de epitaxia MOCVD de alta temperatura de 1000~1200°C.Tem um baixo coeficiente de expansão térmica e deformação mínima da warpage durante processos de alta temperatura, e pode suportar múltiplos processos de ciclo de alta temperatura para garantir a consistência do crescimento da camada epitaxial.

Excelentes propriedades de isolamento elétrico e dielétrico
O safiro de alta pureza intrínseca possui excelente isolamento elétrico com uma resistência à temperatura ambiente superior a 1014 Ω·cm e baixa perda dielétrica.Ele consegue isolamento elétrico eficaz entre dispositivos, suprime fugas e interferências de sinal em condições de alta tensão e satisfaz os requisitos de desempenho dos dispositivos de potência GaN de alta tensão e dispositivos de RF.

Fabricação de máquinas de extrema precisão para superfícies epitaxial
A superfície epitaxial é tratada por polimento químico mecânico (CMP) com uma rugosidade de superfície Ra ≤ 0,2 nm,alcançando a planície a nível atómicoA variação de espessura total (TTV), o arco e a dobra são estritamente controlados, cumprindo plenamente os requisitos de superfície para o crescimento epitaxial do GaN MOCVD.

Forte resistência química e ao plasma
O safiro tem uma inércia química extremamente forte, insolúvel na maioria das soluções ácidas e alcalinas à temperatura ambiente.Pode suportar ambientes de processo adversos, como gravação por plasma e limpeza molhada na fabricação de semicondutores, com danos mínimos por corrosão e contaminação por partículas na superfície, garantindo a limpeza do processo e a fiabilidade do dispositivo.

Polimorfismo e suporte de parâmetros personalizados

A orientação do plano C (0001) é fornecida como padrão, enquanto as orientações especiais, incluindo o plano A, o plano R e o plano M, também estão disponíveis, com especificações fora de ângulo personalizáveis.Parâmetros como espessura, chamfer de borda e plano / entalhe podem ser personalizados de acordo com os requisitos do cliente, adaptando-se a diferentes processos do dispositivo e especificações de equipamento.

Alta resistência mecânica e compatibilidade com o pós-processamento

Com uma dureza de Mohs de 9, a segunda depois do diamante, possui excelente rigidez mecânica e resistência à dobra.Modelagem e metalização PSS sem quebra-cabeças ou rachaduras, adaptando-se a diversas soluções de processo de dispositivos.

Especificações normalizadas

Aplicações típicas

1. Campo optoeletrônico: crescimento epitaxial de LED azul/verde/UV, fabricação de chips de exibição Mini/Micro LED, linhas de produção de chips de iluminação de alta eficiência
2. Campo de semicondutores de potência: Substrato epitaxial para dispositivos de alta tensão baseados em GaN, chips de carregamento rápido, dispositivos eletrônicos de potência automotiva
3. Campo RF e microeletrônico: Circuitos integrados de RF de silício sobre safira (SOS), substratos de dispositivos de microondas de alta frequência
4. Campo óptico e de detecção: janelas ópticas de alta precisão, dispositivos de detecção por infravermelho, substratos de sensores MEMS
5. Campo especial de semicondutores: Dispositivos eletrónicos de alta temperatura, componentes eletrónicos aeroespaciais resistentes à radiação

Controle de qualidade

Um sistema de controlo de qualidade de nível semicondutor é implementado durante todo o processo.e um certificado completo de análise (COA) pode ser fornecidoOs elementos de inspecção incluem a inspecção da precisão dimensional, a verificação do desvio da orientação dos cristais, o ensaio da planitude e rugosidade da superfície, o rastreamento de defeitos visuais (arranhões, buracos,Fragmentação das bordas), testes de limpeza e verificação da vedação da embalagem, garantindo a consistência dos parâmetros do produto e a fiabilidade do processo.

Perguntas frequentes

Qual é a principal diferença entre as wafers de safira de 8 polegadas e as wafers menores de 4/6.           

A bolacha de 8 polegadas fornece uma área epitaxial muito maior aproximadamente 4 vezes a de uma bolacha de 4 polegadas e 1,8 vezes a de uma bolacha de 6 polegadas.aumenta a produção de chips por lote e reduz o custo por unidade de chipsÉ mais adequado para linhas de produção em massa de Mini/Micro LED e dispositivos de energia GaN de alta tensão, enquanto as wafers de 4/6 polegadas são mais comuns para P&D e produção de volume pequeno a médio.

A espessura das bolachas de safira de 8 polegadas pode ser personalizada?
Sim. As opções de espessura padrão incluem 650μm, 800μm e 1000μm, e as especificações de espessura personalizadas podem ser fabricadas para atender aos requisitos do processo do cliente.Os parâmetros de arco e de dobra são rigorosamente controlados para todas as opções de espessura para garantir a planície e a compatibilidade do processo.

O senhor oferece outras orientações cristalinas que não o plano C (0001), e pode o ângulo fora ser ajustado?
Sim, além do plano C padrão para epitaxia de LED GaN, as orientações de plano A, plano R e plano M estão disponíveis para dispositivos SOS RF, dispositivos GaN não polares e aplicações ópticas especiais.O ângulo fora preciso também pode ser personalizado por desenhos do cliente ou necessidades de processo epitaxial para otimizar a qualidade do filme epitaxial.

Podem ser aplicados processamentos adicionais, tais como padronização PSS ou metalização, às wafers?
Sim, estão disponíveis serviços de valor acrescentado, incluindo padronização PSS/NPSS, metalização posterior completa ou localizada, chamfering de borda de precisão e afinamento de wafer ultrafinas.A viabilidade depende das dimensões do modelo, materiais de revestimento, espessura da bolacha e resistência mecânica necessária.

Apoia pedidos de pequenos lotes de protótipos para wafers de safira de 8 polegadas?
Sim, quantidades de protótipos, lotes de teste em laboratório e encomendas de manutenção são aceitáveis.Dificuldade de processamento e grau de qualidade exigido.

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