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Created with Pixso. Anel de silício de precisão (anel de Si) para sistemas de gravação por plasma de semicondutores em silício monocristalino e policristalino

Anel de silício de precisão (anel de Si) para sistemas de gravação por plasma de semicondutores em silício monocristalino e policristalino

Nome da marca: ZMSH
MOQ: 10
Tempo de entrega: 2-4 semanas
Condições de pagamento: T/T
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
Xangai,China
Material:
Silício de cristal único / silício policristalino
Pureza:
≥ 99,999% (5N)
Diâmetro máximo:
Até 480mm
Grossura:
Personalizado (5–30 mm típico)
Resistividade (baixa):
< 0,02Ω·cm
Uniformidade de resistividade:
< 5% (RRG)
Acabamento de superfície:
Polido / lapidado / retificado
Destacar:

Anel de Silício de Silício de Cristal Único

,

Anel de silicone policristalino

,

Anel de silício de semicondutor de gravação por plasma

Descrição do produto

Anel de silício de precisão (anel de Si) para sistemas de gravação por plasma de semicondutores em silício monocristalino e policristalino 0O Anel de Silício de Precisão (Si Ring) é um componente consumível de grau semicondutor usado em equipamentos de gravação de plasma, deposição e processamento de wafer.ou anel de revestimento da câmara, ajudando a controlar a distribuição de plasma, melhorar a uniformidade de gravação e proteger o hardware da câmara do bombardeio direto de íons.

Fabricado a partir de silício de cristal único de alta pureza ou silício policristalino, o anel oferece excelente compatibilidade com processos de wafer de silício.Esta correspondência intrínseca de materiais reduz o risco de contaminação e garante um desempenho estável do processo em ambientes de fabricação de semicondutores.

Papel dos anéis de silício nas câmaras de plasma

Em sistemas de plasma de semicondutores (ICP, RIE, PECVD, CVD), os anéis de silício são expostos a:

  • Campos de plasma de alta energiaAnel de silício de precisão (anel de Si) para sistemas de gravação por plasma de semicondutores em silício monocristalino e policristalino 1
  • Gases à base de flúor (CF4, SF6, NF3)
  • Produtos químicos à base de cloro (Cl2, HBr)
  • Ciclos térmicos e bombardeio iônico

Sob essas condições adversas, os anéis de silício passam gradualmente por erosão controlada, razão pela qual são classificados como componentes críticos de consumo na fabricação de semicondutores.

As suas funções principais incluem:

  • Estabilização da distribuição de plasma perto das bordas da bolacha
  • Melhoria da uniformidade da gravação e do controlo da CD
  • Proteção das paredes e do equipamento da câmara
  • Manutenção da repetibilidade do processo

As principais vantagens dos anéis de silício

Excelente compatibilidade com o processo de silício

Os anéis de silício são naturalmente compatíveis com ambientes de processamento de wafers de silício, minimizando a contaminação cruzada e apoiando a produção de alto rendimento.

Solução de consumo rentável

Em comparação com as alternativas de SiC, os anéis de silício oferecem:

  • Menor custo inicial
  • Fabricação e usinagem mais fáceis
  • Ciclos económicos de substituição

Desempenho estável do plasma

O silício de alta pureza garante um comportamento elétrico e material consistente durante a exposição ao plasma, apoiando condições de processo estáveis.

Opções de material flexíveis

Disponível em:

  • Silício de cristal único (maior uniformidade, melhor estabilidade elétrica)
  • Silício policristalino (eficiente em termos de custos, amplamente utilizado em processos normalizados)

Processamento de semicondutores de precisão

Fabricados com tolerâncias rigorosas para garantir:

  • Controle dimensional apertado (< 10 μm)
  • Integração confiável da câmara
  • Comportamento de plasma consistente da borda da bolacha

Especificações técnicas

Parâmetro Especificações
Materiais Silício monocristalino / Silício policristalino
Purificação ≥ 99,999% (5N)
Diâmetro máximo Até 480 mm
Espessura Personalizado (típico 5 ̊30 mm)
Resistividade (baixa) < 0,02 Ω·cm
Resistividade (média) 1 ¢ 4 Ω·cm
Resistividade (Alta) 70 90 Ω·cm
Uniformidade de resistividade < 5% (RRG)
Revestimento de superfície Polido / Lapped / moído
Superfície rugosa Ra ≤ 0,8 μm (polido para baixo)
Precisão de usinagem < 10 μm
Planosidade ≤ 30 μm (dependente do tamanho)
Desenho de borda Chamfer / raio personalizável
Padrão de qualidade Sem rachaduras, chips ou contaminação

Aplicações de semicondutores

Os anéis de silício são amplamente utilizados em:

  • Sistemas de gravação por plasma ICP e RIE
  • Equipamento de deposição CVD e PECVD
  • Anéis de foco e anéis de borda
  • Estruturas de revestimento e de protecção da câmara
  • Sistemas de controlo de plasma da borda da wafer

São particularmente adequados para nós de semicondutores maduros e de nível médio, onde a eficiência de custos e o desempenho estável são prioridades fundamentais.


Anel de silício de precisão (anel de Si) para sistemas de gravação por plasma de semicondutores em silício monocristalino e policristalino 2


Anéis de silício de cristal único versus de silício policristalino

Características Silício de cristal único Silicio policristalino
Uniformidade Mais alto Moderado
Estabilidade elétrica Melhor. Padrão
Cost. Mais alto Baixo
Máquinabilidade Muito bem. Muito bem.
Utilização típica Processos de alta precisão Utilização industrial geral

Anel de Silício vs Anel de SiC (Guia de Seleção)

Características Anel de Silício Anel SiC
Cost. Baixo Mais alto
Resistência ao plasma Moderado Excelente.
Período de vida Mais curto Mais
Dificuldade de usinagem É mais fácil. Mais duro.
Melhor Aplicação Processos normalizados Ambientes de plasma agressivos

Os anéis de silício são preferidos quando a eficiência de custos e a compatibilidade de processos são mais importantes do que a vida útil ultra longa.


Anel de silício de precisão (anel de Si) para sistemas de gravação por plasma de semicondutores em silício monocristalino e policristalino 3


Por que escolher anéis de silício?

Os anéis de silício continuam a ser amplamente utilizados em fábricas de semicondutores porque fornecem:

  • Compatibilidade comprovada com processos à base de silício
  • Comportamento plasmático estável e previsível
  • Menor custo de consumo
  • Alta flexibilidade de fabrico
  • Personalização fácil para geometrias complexas

São uma escolha prática e confiável para ambientes de produção de grande volume.

Opções de personalização

A personalização disponível inclui:

  • Ajuste do diâmetro e da espessura
  • Seleção de materiais de cristal único ou policristalino
  • Ajuste de resistência
  • Perfil da borda (camfer / raio)
  • Revestimento de superfícies (polido, polido, moído)
  • Estruturas geométricas complexas baseadas em desenhos

Perguntas frequentes

P1: O anel de silício é uma peça consumível?

É um componente consumível que se corrói gradualmente sob exposição ao plasma e precisa de ser substituído periodicamente.

P2: Qual é a diferença entre o silício monocristalino e o silício policristalino?

O silício de cristal único proporciona melhor uniformidade e desempenho elétrico, enquanto o silício policristalino oferece menor custo e fabricação flexível.

P3: Os anéis de silício podem ser personalizados?

Sim, as dimensões, a resistividade, o acabamento da superfície e a geometria podem ser personalizados de acordo com os requisitos do equipamento ou os desenhos.

P4: Como é a vida útil comparada com os anéis de SiC?

Os anéis de silício normalmente têm uma vida útil mais curta devido à menor resistência ao plasma, especialmente em ambientes de gravação agressivos.

Q5: Qual é o prazo de entrega típico?

A produção leva geralmente 3-5 semanas, dependendo da complexidade do projeto e do volume de encomendas.


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