Wafer HPSI SiC 2-12 polegadas de grau óptico para óculos AI / AR

HPSI SiC Wafer 2-12 Polegadas Grau Óptico para Óculos de IA/RA

As wafers HPSI-SiC (Carboneto de Silício Semi-Isolante de Alta Pureza) servem como materiais ópticos centrais em óculos de IA e RA. Com seu ​​alto índice de refração (2,6–2,7 @ 400–800 nm)​​ e ​​baixas características de absorção óptica​​, eles abordam problemas como "efeitos arco-íris" e insuficiente transmitância de luz em materiais tradicionais de vidro ou resina para guias de onda RA. Por exemplo, os óculos RA Orion da Meta utilizam lentes de guia de onda HPSI SiC, alcançando um ​​campo de visão (FOV) ultra-amplo de ​​70°–80°​​ com uma espessura de lente de camada única de apenas ​​0,55 mm​​ e peso de ​​2,7 g​​, aprimorando significativamente o conforto de uso e a imersão.

Principais Características e Vantagens da HPSI SiC Wafer

Propriedades do Material, Desempenho Óptico e Valor da Aplicação​​

​​1. Índice de Refração: 2,6–2,7​​

• Este alto índice de refração permite substituir estruturas ópticas multicamadas por uma lente de camada única, reduzindo a perda de luz e aprimorando o brilho e a precisão das cores. Consequentemente, ele permite exibições visuais mais puras, elimina os efeitos arco-íris e suporta a integração perfeita com Micro LEDs de alta resolução.

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2. Condutividade Térmica: 490 W/m·K​​

• O material dissipa rapidamente o calor gerado por Micro LEDs de alta potência, evitando a deformação da lente e prolongando a vida útil do dispositivo. Isso garante um desempenho estável mesmo em ambientes de alta temperatura, como uso ao ar livre.

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3. Dureza Mohs: 9,5​​

• Com excepcional resistência a arranhões, o material resiste ao desgaste diário. Isso reduz as necessidades de manutenção e prolonga a vida útil da lente, melhorando a usabilidade a longo prazo.

4. ​​Semicondutor de Banda Larga​​

• Sua compatibilidade com os processos CMOS permite a litografia e a gravação em nanoescala para a fabricação precisa de grades ópticas. Isso facilita a produção em escala de wafer de componentes ópticos avançados, como guias de onda difrativos e micro-ressonadores.

Principais Aplicações da HPSI SiC Wafer​

HPSI SiC WaferParâmetro Chave

Comparação de Especificações do Substrato SiC Semi-Isolante de 4 e 6 Polegadas​​
Parâmetro	Grau	Substrato de 4 Polegadas	Substrato de 6 Polegadas
​​Diâmetro​​	Grau Z / Grau D	99,5 mm - 100,0 mm	149,5 mm - 150,0 mm
​​Poli-tipo​​	Grau Z / Grau D	4H	4H
​​Espessura​​	Grau Z	500 μm ± 15 μm	500 μm ± 15 μm
	Grau D	500 μm ± 25 μm	500 μm ± 25 μm
​​Orientação da Wafer​​	Grau Z / Grau D	No eixo: <0001> ± 0,5°	No eixo: <0001> ± 0,5°
​​Densidade de Microporos​​	Grau Z	≤ 1 cm²	≤ 1 cm²
	Grau D	≤ 15 cm²	≤ 15 cm²
​​Resistividade​​	Grau Z	≥ 1E10 Ω·cm	≥ 1E10 Ω·cm
	Grau D	≥ 1E5 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm
​​Orientação Plana Primária​​	Grau Z / Grau D	(10-10) ± 5,0°	(10-10) ± 5,0°
​​Comprimento Plano Primário​​	Grau Z / Grau D	32,5 mm ± 2,0 mm	Entalhe
​​Comprimento Plano Secundário​​	Grau Z / Grau D	18,0 mm ± 2,0 mm	-
​​Exclusão de Borda​​	Grau Z / Grau D	3 mm	3 mm
​​LTV / TTV / Curvatura / Empenamento​​	Grau Z	≤ 2,5 μm / ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 30 μm	≤ 2,5 μm / ≤ 6 μm / ≤ 25 μm / ≤ 35 μm
	Grau D	≤ 10 μm / ≤ 15 μm / ≤ 25 μm / ≤ 40 μm	≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 40 μm / ≤ 80 μm
​​Rugosidade​​	Grau Z	Polimento Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm	Polimento Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm
	Grau D	Polimento Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,2 nm	Polimento Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0,5 nm
​​Fissuras de Borda​​	Grau D	Área cumulativa ≤ 0,1%	Comprimento cumulativo ≤ 20 mm, único ≤ 2 mm
​​Áreas de Politipo​​	Grau D	Área cumulativa ≤ 0,3%	Área cumulativa ≤ 3%
​​Inclusões Visuais de Carbono​​	Grau Z	Área cumulativa ≤ 0,05%	Área cumulativa ≤ 0,05%
	Grau D	Área cumulativa ≤ 0,3%	Área cumulativa ≤ 3%
​​Arranhões na Superfície de Silício​​	Grau D	5 permitidos, cada ≤1mm	Comprimento cumulativo ≤ 1 x diâmetro
​​Lascas de Borda​​	Grau Z	Nenhuma permitida (largura e profundidade ≥0,2mm)	Nenhuma permitida (largura e profundidade ≥0,2mm)
	Grau D	7 permitidas, cada ≤1mm	7 permitidas, cada ≤1mm
​​Deslocação do Parafuso de Rosca​​	Grau Z	-	≤ 500 cm²
​​Embalagem​​	Grau Z / Grau D	Cassete multi-wafer ou recipiente de wafer único	Cassete multi-wafer ou recipiente de wafer único

 

 

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Serviços ZMSH​

 

 

A ZMSH, como uma entidade de fabricação e comércio integrada, oferece soluções completas para produtos SiC:

 

• ​​Integração Vertical​​: Fornos de crescimento de cristal internos produzem wafers do tipo 4H-N, 4H-HPSI, 6H-P e 3C-N (2–12 polegadas), com parâmetros personalizáveis (por exemplo, concentração de dopagem, resistência à flexão).

• ​​Processamento de Precisão​​:

1. ​​Corte no Nível da Wafer​​: A serragem a laser e o polimento químico-mecânico (CMP) alcançam rugosidade superficial <0,3 nm.
2. ​​Formatos Personalizados​​: Produz prismas, wafers quadrados e matrizes de guia de onda para integração de módulos ópticos RA.

• ​​Entre em Contato Conosco​​: Amostras e consultas técnicas disponíveis. Suporte de serviço completo, desde a validação do projeto até a produção em massa.

 

 

 

 

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Produtos SiC da ZMSH

 

 

Wafers SiC 4H-Semi

 

 

1. Wafers SIC de Alta Pureza 4H-Semi de 4" Grau Prime Substratos EPI de Semicondutores Grau Óptico para Óculos RA

 

 

 

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Wafers SiC 4H-N

 

 

2. Substrato de Carboneto de Silício SiC 4H-N de 4 Polegadas Dia 100mm Tipo N Grau Prime Grau Dummy Espessura 350um Personalizado

 

 

 

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Outros tipos de amostras de SiC

 

 

 

P1: Por que a HPSI SiC Wafer é crítica para óculos RA?​​

A1: O ​​alto índice de refração (2,6–2,7)​​ e a ​​baixa absorção óptica​​ da HPSI SiC Wafer eliminam os efeitos arco-íris em telas RA, permitindo guias de onda ultrafinos (por exemplo, lentes de 0,55 mm da Meta Orion).

​​P2: Como a HPSI SiC difere do vidro tradicional em óptica RA?​​

A2: A HPSI SiC oferece um ​​índice de refração 2x maior​​ do que o vidro (~2,0), permitindo um FOV mais amplo e guias de onda de camada única, além de ​​490 W/m·K de condutividade térmica​​ para gerenciar o calor dos Micro LEDs.

​​P3: A HPSI SiC é compatível com outros materiais semicondutores?​​

A3: Sim, ela se integra com ​​GaN​​ e ​​silício​​ em sistemas híbridos, mas sua ​​estabilidade térmica​​ e ​​propriedades dielétricas​​ a tornam superior para óptica RA de alta potência.

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