logo
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
Türkçe
polski
Casa
SOBRE E.U.
Perfil da empresa
Excursão da fábrica
Controle da qualidade
PRODUTOS

Bolacha da safira

Sic carcaça

Safira Windows ótico

Bolacha de silicone de IC

O fio viu a máquina

Safira sintética Rod

Placa de quartzo fundido

Peças da safira

Pedra preciosa sintética

Equipamento do semicondutor

Bolacha LiNbO3

Bolacha do fosforeto de índio

carcaça cerâmica

Envoltório do laboratório

Bolacha do nitreto do gálio

Bolacha do GaAs
soluções
Blogue
Contacte-nos
Compra
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
Türkçe
polski
citações
Casa
SOBRE E.U.
Perfil da empresa
Excursão da fábrica
Controle da qualidade
Perguntas frequentes
PRODUTOS

Bolacha da safira

Sic carcaça

Safira Windows ótico

Bolacha de silicone de IC

O fio viu a máquina

Safira sintética Rod

Placa de quartzo fundido

Peças da safira

Pedra preciosa sintética

Equipamento do semicondutor

Bolacha LiNbO3

Bolacha do fosforeto de índio

carcaça cerâmica

Envoltório do laboratório

Bolacha do nitreto do gálio

Bolacha do GaAs
soluções
Blogue
Contacte-nos
Compra
citações
Bom preço on-line
Resultado da busca
Created with Pixso. Casa Created with Pixso. PRODUTOS Created with Pixso. SiC MOSFET Fabricante em linha
Todas as categorias

Bolacha da safira

Sic carcaça

Safira Windows ótico

Bolacha de silicone de IC

O fio viu a máquina

Safira sintética Rod

Placa de quartzo fundido

Peças da safira

Pedra preciosa sintética

Equipamento do semicondutor

Bolacha LiNbO3

Bolacha do fosforeto de índio

carcaça cerâmica

Envoltório do laboratório

Bolacha do nitreto do gálio

Bolacha do GaAs
Contacte-nos
Mr. Wang
eric_wang@zmsh-materials.com
+8615801942596
Contacte agora
A tua busca.

  [SiC MOSFET ]

  correspondência  

75

  PRODUTOS
comprar Bolacha Epitaxial SiC de Ultra-Alta Tensão de 6 Polegadas 100–500 µm Para Dispositivos MOSFET Fabricação em linha

Bolacha Epitaxial SiC de Ultra-Alta Tensão de 6 Polegadas 100–500 µm Para Dispositivos MOSFET

Obtenha o melhor preço
comprar 2 polegadas/4 polegadas/6 polegadas/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrato de Carbono de Silício Tipo 3C-N No eixo: < 111 > ± 0,5° Grau de produção Grau de simulação Fabricação em linha

2 polegadas/4 polegadas/6 polegadas/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrato de Carbono de Silício Tipo 3C-N No eixo: < 111 > ± 0,5° Grau de produção Grau de simulação

Obtenha o melhor preço
comprar Wafers de sementes de cristais de SiC Dia 205 203 208 Crescimento de PVT/HTCVD de grau de produção Fabricação em linha

Wafers de sementes de cristais de SiC Dia 205 203 208 Crescimento de PVT/HTCVD de grau de produção

Obtenha o melhor preço
comprar Bolachas epitaxiais de SiC de 2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas e 6 polegadas 4H-N, grau de produção Fabricação em linha

Bolachas epitaxiais de SiC de 2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas e 6 polegadas 4H-N, grau de produção

Obtenha o melhor preço
comprar Substrato epitaxial SiC de 8 polegadas Grau MOS Grau Prime Grau 4H-N Tipo Grande Diâmetro Fabricação em linha

Substrato epitaxial SiC de 8 polegadas Grau MOS Grau Prime Grau 4H-N Tipo Grande Diâmetro

Obtenha o melhor preço
comprar Bolacha Epitaxial SiC de 6 polegadas, Diâmetro 150mm, Tipo 4H-N, Tipo 4H-P, para Comunicação 5G Fabricação em linha

Bolacha Epitaxial SiC de 6 polegadas, Diâmetro 150mm, Tipo 4H-N, Tipo 4H-P, para Comunicação 5G

Obtenha o melhor preço
comprar Substrato SiC Tipo 4H-N Wafer de 10x10mm para Eletrônica de Potência Fabricação em linha Vídeo

Substrato SiC Tipo 4H-N Wafer de 10x10mm para Eletrônica de Potência

Obtenha o melhor preço
comprar Wafer epitaxial SiC de 4 polegadas 4H-N Diâmetro 100 mm Espessura 350 μm Prime Grade Fabricação em linha

Wafer epitaxial SiC de 4 polegadas 4H-N Diâmetro 100 mm Espessura 350 μm Prime Grade

Obtenha o melhor preço
comprar Substrato SiC Tipo 4H-N Wafer de 10x10mm para Eletrônica de Potência Fabricação em linha Vídeo

Substrato SiC Tipo 4H-N Wafer de 10x10mm para Eletrônica de Potência

Obtenha o melhor preço
comprar Wafer de sementes de SiC 4H N Tipo Dia 153 155 2 polegadas-12 polegadas Personalizado para fabricação de MOSFETs Fabricação em linha

Wafer de sementes de SiC 4H N Tipo Dia 153 155 2 polegadas-12 polegadas Personalizado para fabricação de MOSFETs

Obtenha o melhor preço
comprar Wafer epitaxial SiC de 4H 6 polegadas 100μm/200μm/300μm para dispositivo MOS de ultra-alta tensão (UHV) Fabricação em linha

Wafer epitaxial SiC de 4H 6 polegadas 100μm/200μm/300μm para dispositivo MOS de ultra-alta tensão (UHV)

Obtenha o melhor preço
comprar Diâmetro de Wafer Epitaxial SiC de 8 polegadas 200 mm Espessura 500 μm Tipo 4H-N Fabricação em linha

Diâmetro de Wafer Epitaxial SiC de 8 polegadas 200 mm Espessura 500 μm Tipo 4H-N

Obtenha o melhor preço
comprar Substrato de SiC 4H-SEMI de 6 polegadas para Óculos AR e Dispositivos RF 5G Fabricação em linha

Substrato de SiC 4H-SEMI de 6 polegadas para Óculos AR e Dispositivos RF 5G

Obtenha o melhor preço
comprar Substrato de carburo de silício de 6 polegadas Sic Tipo 6H-P para sistemas de comunicações e radares Diâmetro 150 mm Prime Grade Fabricação em linha

Substrato de carburo de silício de 6 polegadas Sic Tipo 6H-P para sistemas de comunicações e radares Diâmetro 150 mm Prime Grade

Obtenha o melhor preço
comprar Wafer SIC de carburo de silício 10*10 mm 6H-P Espessura 350μm Para dispositivos de alta potência Fabricação em linha

Wafer SIC de carburo de silício 10*10 mm 6H-P Espessura 350μm Para dispositivos de alta potência

Obtenha o melhor preço
comprar Wafer de carburo de silício de 4 polegadas Sic Tipo 6H-P Espessura 350μm Grau zero / Prime Grau Dummy Grade Fabricação em linha

Wafer de carburo de silício de 4 polegadas Sic Tipo 6H-P Espessura 350μm Grau zero / Prime Grau Dummy Grade

Obtenha o melhor preço
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
Bom preço Wafer de carburo de silício de 4 polegadas Sic Tipo 6H-P Espessura 350μm Grau zero / Prime Grau Dummy Grade on-line
Procurar Resultados
Created with Pixso. Casa Created with Pixso. PRODUTOS Created with Pixso. SiC MOSFET Fabricante em linha
Todas as categorias

Bolacha da safira

Sic carcaça

Safira Windows ótico

Bolacha de silicone de IC

O fio viu a máquina

Safira sintética Rod

Placa de quartzo fundido

Peças da safira

Pedra preciosa sintética

Equipamento do semicondutor

Bolacha LiNbO3

Bolacha do fosforeto de índio

carcaça cerâmica

Envoltório do laboratório

Bolacha do nitreto do gálio

Bolacha do GaAs
A tua busca.  [ SiC MOSFET ]  correspondência 75 PRODUTOS
comprar Bolacha Epitaxial SiC de Ultra-Alta Tensão de 6 Polegadas 100–500 µm Para Dispositivos MOSFET Fabricação em linha

Bolacha Epitaxial SiC de Ultra-Alta Tensão de 6 Polegadas 100–500 µm Para Dispositivos MOSFET

Obtenha o melhor preço
comprar 2 polegadas/4 polegadas/6 polegadas/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrato de Carbono de Silício Tipo 3C-N No eixo: < 111 > ± 0,5° Grau de produção Grau de simulação Fabricação em linha

2 polegadas/4 polegadas/6 polegadas/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrato de Carbono de Silício Tipo 3C-N No eixo: < 111 > ± 0,5° Grau de produção Grau de simulação

Obtenha o melhor preço
comprar Wafers de sementes de cristais de SiC Dia 205 203 208 Crescimento de PVT/HTCVD de grau de produção Fabricação em linha

Wafers de sementes de cristais de SiC Dia 205 203 208 Crescimento de PVT/HTCVD de grau de produção

Obtenha o melhor preço
comprar Bolachas epitaxiais de SiC de 2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas e 6 polegadas 4H-N, grau de produção Fabricação em linha

Bolachas epitaxiais de SiC de 2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas e 6 polegadas 4H-N, grau de produção

Obtenha o melhor preço
comprar Substrato epitaxial SiC de 8 polegadas Grau MOS Grau Prime Grau 4H-N Tipo Grande Diâmetro Fabricação em linha

Substrato epitaxial SiC de 8 polegadas Grau MOS Grau Prime Grau 4H-N Tipo Grande Diâmetro

Obtenha o melhor preço
comprar Bolacha Epitaxial SiC de 6 polegadas, Diâmetro 150mm, Tipo 4H-N, Tipo 4H-P, para Comunicação 5G Fabricação em linha

Bolacha Epitaxial SiC de 6 polegadas, Diâmetro 150mm, Tipo 4H-N, Tipo 4H-P, para Comunicação 5G

Obtenha o melhor preço
comprar Substrato SiC Tipo 4H-N Wafer de 10x10mm para Eletrônica de Potência Fabricação em linha Vídeo

Substrato SiC Tipo 4H-N Wafer de 10x10mm para Eletrônica de Potência

Obtenha o melhor preço
comprar Wafer epitaxial SiC de 4 polegadas 4H-N Diâmetro 100 mm Espessura 350 μm Prime Grade Fabricação em linha

Wafer epitaxial SiC de 4 polegadas 4H-N Diâmetro 100 mm Espessura 350 μm Prime Grade

Obtenha o melhor preço
comprar Substrato SiC Tipo 4H-N Wafer de 10x10mm para Eletrônica de Potência Fabricação em linha Vídeo

Substrato SiC Tipo 4H-N Wafer de 10x10mm para Eletrônica de Potência

Obtenha o melhor preço
comprar Wafer de sementes de SiC 4H N Tipo Dia 153 155 2 polegadas-12 polegadas Personalizado para fabricação de MOSFETs Fabricação em linha

Wafer de sementes de SiC 4H N Tipo Dia 153 155 2 polegadas-12 polegadas Personalizado para fabricação de MOSFETs

Obtenha o melhor preço
comprar Wafer epitaxial SiC de 4H 6 polegadas 100μm/200μm/300μm para dispositivo MOS de ultra-alta tensão (UHV) Fabricação em linha

Wafer epitaxial SiC de 4H 6 polegadas 100μm/200μm/300μm para dispositivo MOS de ultra-alta tensão (UHV)

Obtenha o melhor preço
comprar Diâmetro de Wafer Epitaxial SiC de 8 polegadas 200 mm Espessura 500 μm Tipo 4H-N Fabricação em linha

Diâmetro de Wafer Epitaxial SiC de 8 polegadas 200 mm Espessura 500 μm Tipo 4H-N

Obtenha o melhor preço
1 2 3 4 5 6 7