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Substrato SiC Tipo 4H-N Wafer de 10x10mm para Eletrônica de Potência

Sic carcaça
2025-07-31
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O wafer pequeno SiC 10×10 é um produto semicondutor de alto desempenho desenvolvido com base no material semicondutor de terceira geração, o carboneto de silício (SiC). Fabricado usando processos de ... Vista mais
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