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Wafer epitaxial SiC de 4H 6 polegadas 100μm/200μm/300μm para dispositivo MOS de ultra-alta tensão (UHV)

Nome da marca:	ZMSH
Número do modelo:	4h 6inch sic epitaxial wafer
MOQ:	5
preço:	by case
Tempo de entrega:	2-4 semanas
Condições de pagamento:	T/T.

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

CHINA

Certificação:

rohs

Tamanho:

6 polegadas

Grossura:

200-300 UM

Material:

4H-SiC

tipo da condutibilidade:

N-Type (dopado com nitrogênio)

Resistividade:

Qualquer

TTV:

µm do ≤ 10

Curva/urdidura:

≤ 20 µm

Embalagem:

Vácuo selado

Detalhes da embalagem:

Pacote em sala de limpeza de 100 graus

Destacar:

bolacha 6inch sic Epitaxial

Wafer SiC para dispositivo MOS UHV

Substrato de SiC de 100 μm com garantia

Descrição do produto

Visão Geral da Bolacha Epitaxial SiC

Bolacha Epitaxial SiC 4H de 6 polegadas 100μm/200μm/300μm para Dispositivos MOS de Ultra-Alta Tensão (UHV)

A bolacha epitaxial 4H-SiC é um material essencial para dispositivos de potência de dissulfeto de carbono (SiC), fabricada em um substrato de monocristal 4H-SiC por meio de deposição química de vapor (CVD). Sua estrutura cristalina e características elétricas únicas o tornam um substrato ideal para transistores de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFETs) de ultra-alta tensão (UHV, >10 kV), diodos Schottky de barreira de junção (JBS) e outros dispositivos de potência. Este produto oferece três espessuras de camada epitaxial (100μm, 200μm, 300μm) para atender a aplicações que variam de baixa tensão a cenários UHV, adequadas para veículos de nova energia (NEVs), sistemas de energia industrial e tecnologias de rede inteligente.

Característica da bolacha epitaxial SiC

1. Alta Tensão de Ruptura e Baixa Resistência em Condução

Alcança tensão de ruptura (BV) e resistência específica em condução (R_sp) equilibradas por meio de estruturas de pilar de dopagem profunda (colunas alternadas do tipo n e do tipo p). Por exemplo, os SJ MOSFETs de classe 5 kV exibem R_sp tão baixo quanto 9,5 mΩ·cm² à temperatura ambiente, subindo para 25 mΩ·cm² a 200°C.
Espessura da camada epitaxial e concentração de dopagem ajustáveis (por exemplo, camada de 100μm para dispositivos de 3,3 kV, camada de 300μm suportando aplicações >15 kV).

2. Estabilidade Térmica e Confiabilidade Excepcionais

Aproveita a alta condutividade térmica (4,9 W/cm·K) e a ampla banda proibida (3,2 eV) para operar de forma estável acima de 200°C, minimizando a complexidade do gerenciamento térmico.
Emprega implantação de íons de ultra-alta energia (UHEI) (até 20 MeV) para reduzir danos à rede cristalina, combinada com recozimento a 1700°C para reparar defeitos, alcançando densidade de corrente de fuga < 0,1 mA/cm².

3. Baixa Densidade de Defeitos e Alta Uniformidade

Parâmetros de crescimento otimizados (relação C/Si, estratégia de dopagem com HCl) produzem rugosidade superficial (RMS) de 0,4–0,8 nm e densidade de macro-defeitos < 1 cm⁻².
A uniformidade de dopagem (teste CV) garante desvio padrão < 15%, garantindo consistência do lote.

4. Compatibilidade com Processos de Fabricação Avançados

Suporta preenchimento de trincheiras e arquiteturas de pilares de dopagem profunda, permitindo projetos de depleção lateral para MOSFETs UHV com tensões de ruptura superiores a 20 kV.

Aplicações da Bolacha Epitaxial 4H-SiC

1. Dispositivos de Potência de Ultra-Alta Tensão

Veículos de Nova Energia (NEVs): Inversores de acionamento principal e carregadores de bordo (OBC) para plataformas de 800V, aumentando a eficiência em 10–15% e permitindo carregamento rápido.
Sistemas de Energia Industrial: Comutação de alta frequência (faixa de MHz) em inversores fotovoltaicos e transformadores de estado sólido (SSTs), reduzindo as perdas em >30%.

2. Redes Inteligentes e Armazenamento de Energia

PCS de armazenamento de energia de formação de rede para estabilização de rede fraca.
Transmissão CC de alta tensão (HVDC) e equipamentos de distribuição inteligentes, alcançando >99% de eficiência de conversão de energia.

3. Trânsito Ferroviário e Aeroespacial

Inversores de tração e sistemas de energia auxiliar para temperaturas extremas (-60°C a 200°C) e resistência à vibração.

4. Pesquisa e Fabricação de Alta Tecnologia

Material essencial para detectores de elementos ultra-pesados (por exemplo, Nh), permitindo a detecção de partículas α em alta temperatura (300°C) com resolução de energia < 3%.

Parâmetros da Bolacha Epitaxial 4H-SiC

Parâmetro	Especificação / Valor
Tamanho	6 polegadas
Material	4H-SiC
Tipo de Condutividade	Tipo N (dopado com nitrogênio)
Resistividade	QUALQUER
Ângulo Fora do Eixo	4°±0,5° fora (tipicamente em direção à direção [11-20])
Orientação Cristalina	(0001) Face Si
Espessura	200-300 um
Acabamento da Superfície Frontal	Polido por CMP (pronto para epi)
Acabamento da Superfície Traseira	Lixado ou polido (opção mais rápida)
TTV	≤ 10 µm
BOW/Warp	≤ 20 µm
Embalagem	selado a vácuo
QTD	5 peças

Mais amostras de Bolachas de SiC

*Aceitamos um personalizado, por favor, sinta-se à vontade para entrar em contato conosco sobre suas necessidades.

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Bolacha Epi SiC Perguntas Frequentes

1. P: Qual é a faixa de espessura típica para bolachas epitaxiais 4H-SiC de 6 polegadas?

R: A espessura típica varia de 100–500 μm para suportar aplicações de MOSFET de ultra-alta tensão (≥10 kV), equilibrando a tensão de ruptura e o gerenciamento térmico.

2. P: Quais indústrias usam bolachas epitaxiais 4H-SiC de 6 polegadas?

R: Elas são críticas para redes inteligentes, inversores de veículos elétricos, sistemas de energia industrial e aeroespacial, permitindo alta eficiência e confiabilidade em condições extremas.

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