Substrato de SiC 4H-SEMI de 6 polegadas para Óculos AR e Dispositivos RF 5G

O substrato de carboneto de silício (4H-SiC) 4H-SEMI de 6 polegadas é um material semicondutor de banda larga baseado na estrutura cristalina hexagonal (polimorfo 4H), projetado para propriedades ​​semi-isolantes​​ (resistividade ≥1×10⁷ Ω·cm). Fabricado via ​​transporte físico de vapor (PVT)​​ ou ​​epitaxia de fase líquida (LPE)​​, ele oferece ​​banda proibida larga de 3,26 eV​​, ​​campo de ruptura de 3,5 MV/cm​​, ​​condutividade térmica de 4,9 W/cm·K​​ e ​​características de baixa perda de alta frequência​​, tornando-o ideal para aplicações em ambientes extremos, como comunicações 5G, dispositivos de RF e eletrônicos aeroespaciais. Comparado aos materiais à base de silício, oferece ​​10× maior resistência ao campo de ruptura​​ e ​​3× condutividade térmica superior​​, permitindo a operação estável entre -200°C e 1.600°C, e servindo como um substrato ideal para dispositivos de alta tensão, alta frequência e alta potência.

1. Desempenho Elétrico​​

• ​​Banda Proibida Larga (3,26 eV)​​: O substrato SiC 4H-SEMI de 6 polegadas suporta tensões superiores a 10 kV, adequado para cenários de alta tensão, como redes inteligentes e inversores de veículos elétricos.

• ​​Alto Campo de Ruptura (3,5 MV/cm)​​: 10× maior que o silício, minimizando a corrente de fuga e aumentando a confiabilidade.

• ​​Alta Mobilidade de Elétrons (900 cm²/V·s)​​: O substrato SiC 4H-SEMI de 6 polegadas otimiza a velocidade de comutação em dispositivos de RF, reduzindo as perdas de condução.

​​2. Propriedades Térmicas e Mecânicas​​

• ​​Alta Condutividade Térmica (4,9 W/cm·K)​​: 3× melhor dissipação de calor do que o silício, suportando temperaturas extremas (-200°C a 1.600°C).

• ​​Alta Dureza (Mohs 9.2)​​: O substrato SiC 4H-SEMI de 6 polegadas resiste ao desgaste, compatível com processos de precisão como CMP e ataque a seco.

​​3. Compatibilidade de Processo​​

• ​​Baixa Densidade de Micropipos (<1 cm⁻²)​​: O substrato SiC 4H-SEMI de 6 polegadas minimiza os defeitos da rede para uma qualidade superior da camada epitaxial.

• ​​Planicidade da Superfície (Ra <0,2 nm)​​: O substrato SiC 4H-SEMI de 6 polegadas garante a compatibilidade com litografia e deposição de filme fino.

​​Aplicações Principais do Substrato SiC 4H-SEMI de 6 Polegadas​​

1. Comunicações 5G e Dispositivos de RF​​

• ​​Módulos de RF de Ondas Milimétricas​​: O substrato SiC 4H-SEMI de 6 polegadas permite dispositivos de RF GaN-on-4H-SiC para bandas de 28 GHz+, melhorando a eficiência do sinal.
• ​​Filtros de Baixa Perda​​: O substrato SiC 4H-SEMI de 6 polegadas reduz a atenuação do sinal, aprimorando a sensibilidade do radar e da comunicação.

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2. Veículos Elétricos (EVs)​​

• ​​Inversores de Alta Frequência​​: Compatível com plataformas de carregamento rápido de 800V, reduzindo a perda de energia em >40%.
• ​​Power MOSFETs​​: O substrato SiC 4H-SEMI de 6 polegadas corta as perdas de condução em 80–90%, estendendo a autonomia.

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3. Aeroespacial e Defesa​​

• ​​Dispositivos Resistentes à Radiação​​: Substitui componentes de silício, prolongando a vida útil dos sistemas de satélites e foguetes (>100 Mrad de tolerância).
• ​​Radares de Alta Potência​​: O substrato SiC 4H-SEMI de 6 polegadas aproveita as propriedades de baixa perda para uma precisão de detecção aprimorada.

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4. Sistemas Industriais e de Energia​​

• ​​Inversores Solares​​: Aumenta a eficiência de conversão em 1–3%, reduzindo o volume em 40–60% para ambientes agressivos.
• ​​Redes Inteligentes​​: O substrato SiC 4H-SEMI de 6 polegadas suporta transmissão CC de alta tensão, minimizando a dissipação de calor e as necessidades de resfriamento.

1. Pastilhas de semicondutores de grau D de 6" de alta pureza de silício 4H-Semi SIC LED 5G

2. Substrato composto de carboneto de silício semi-isolante de 6 polegadas SiC tipo P tipo N grau de produção de polimento simples e duplo

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