A tua busca. [ 4H SiC ] correspondência
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categoria da produção da bolacha de 8inch 6inch 4 H-N Type Sic Substrate para dispositivos da radiofrequência
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2 polegadas / 4 polegadas / 6 polegadas Sic Substrato de Carbono de Silício 4H-P Tipo Off Axis 2,0° Para o grau de produção
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Bolacha do carboneto de silicone de SIC da carcaça do semicondutor de 4H-N 8inch para fotovoltaico solar
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Sic Substrato de carburo de silício tipo 6H-P no eixo 0° Dureza de Mohs 9,2 para dispositivo a laser
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12 polegadas Diâmetro 300mm SIC Substrato Epitaxial Wafer Polido Carbono de Silício Ingot Prime Grau 4H-N Tipo Condutor Solar fotovoltaico
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Bolacha de SiC tipo 6H-N: Substrato de 2 polegadas, espessura 350μm ou 650μm
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tipo categoria de 2inch 3inch Dia100m 4H-N da produção da bolacha do carboneto de silicone para o dispositivo de semicondutor
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Vídeo
De 4 H-N Production Grade Dummy da categoria bolacha 8inch Dia200mm da carcaça sic
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resistividade 0.015-0.028ohm da carcaça de 10x10mm 5x5mm sic. O Cm ou >1E7ohm.Cm lascam-se sic
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Wafer de carburo de silício 4 polegadas de diâmetro x 350um 4H-N tipo P/R/D grau MOSEFTs/SBD/JBS
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Lente personalizada incolor transparente de HPSI 4H-SEMI SIC
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O forno de crescimento de lingotes de SiC usa métodos PVT, Lely TSSG e LPE para crescer cristais de tamanho grande de 4 polegadas, 6 polegadas e 8 polegadas