logo
Bom preço  on-line

Detalhes dos produtos

Created with Pixso. Casa Created with Pixso. PRODUTOS Created with Pixso.
Sic carcaça
Created with Pixso. ‌Bolacha de SiC tipo 6H-N: Substrato de 2 polegadas, espessura 350μm ou 650μm‌

‌Bolacha de SiC tipo 6H-N: Substrato de 2 polegadas, espessura 350μm ou 650μm‌

Nome da marca: ZMSH
Número do modelo: 6h-n 2 polegadas
MOQ: 3pcs
preço: by case
Tempo de entrega: 2 semanas
Condições de pagamento: T/T, União Ocidental
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
China
Certificação:
ROHS
Material:
SIC de cristal
Tamanho:
2 polegadas
Grossura:
350um ou 330um
Superfície:
CMP em si-face,c-face mp
Cor:
Transparente
Tipo:
6H-N
Resistividade:
0.015~0.028ohm.cm
RA:
<0,2 nm si-face
Detalhes da embalagem:
única caixa da bolacha
Habilidade da fonte:
5000 unidades/mês
Destacar:

Substrato de bolacha de SiC tipo 6H-N de 2 polegadas

,

Substrato de SiC com espessura de 350μm

,

Bolacha de SiC com espessura de 650μm

Descrição do produto
Descrição do produto: Soluções de wafer de carboneto de silício (SiC)
Visão geral do produto

À medida que os mercados de transporte, energia e industrial evoluem, a procura por produtos eletrónicos de potência fiáveis ​​e de alto desempenho continua a crescer. Para atender aos requisitos de melhor desempenho de semicondutores, os fabricantes de dispositivos estão recorrendo a materiais semicondutores de banda larga, como nossos wafers 4H-SiC Prime Grade (carboneto de silício tipo 4H tipo n). Esses wafers oferecem qualidade de cristal excepcional e baixa densidade de defeitos, tornando-os ideais para aplicações exigentes.

Principais recursos
  • Desempenho e custo otimizados

    Diâmetros de wafer maiores permitem economias de escala na fabricação de semicondutores, reduzindo o custo total de propriedade.

  • Compatibilidade

    Projetado para garantir compatibilidade mecânica com processos de fabricação de dispositivos existentes e emergentes.

  • Personalização

    Pode ser adaptado para atender aos requisitos específicos de desempenho e custo do projeto do dispositivo.

  • Garantia de Qualidade

    Wafers de baixa densidade de defeitos disponíveis (MPD ≤ 0,1 cm⁻², TSD ≤ 400 cm⁻², BPD ≤ 1.500 cm⁻²).

Especificações Técnicas
Parâmetro 4H-SiC (cristal único) 6H-SiC (cristal único)
Parâmetros de rede a=3,076Å, c=10,053Å a=3,073Å, c=15,117Å
Sequência de empilhamento ABCB ACB
Dureza de Mohs ≈9,2 ≈9,2
Densidade 3,21g/cm³ 3,21g/cm³
Coeficiente de Expansão Térmica 4-5*10⁻⁶/K 4-5*10⁻⁶/K
Índice de refração @750nm n₀=2,61, nₑ=2,66 n₀=2,60, nₑ=2,65
Constante Dielétrica c~9,66 c~9,66
Condutividade Térmica (tipo N) a~4,2 W/cm·K @298K c~3,7 W/cm·K @298K
Condutividade Térmica (Semi-isolante) a~4,9 W/cm·K @298K c~3,9 W/cm·K @298K
Intervalo de banda 3,23 eV 3,02 eV
Campo elétrico de ruptura 3-5*10⁶V/cm 3-5*10⁶ V/cm
Velocidade de deriva de saturação 2,0*10⁵m/s 2,0*10⁵m/s

‌Bolacha de SiC tipo 6H-N: Substrato de 2 polegadas, espessura 350μm ou 650μm‌ 0‌Bolacha de SiC tipo 6H-N: Substrato de 2 polegadas, espessura 350μm ou 650μm‌ 1‌Bolacha de SiC tipo 6H-N: Substrato de 2 polegadas, espessura 350μm ou 650μm‌ 2

 

Série de produtos
  • Bolachas de 2 polegadas

    Disponível em espessuras de 0,33 mm ou 0,43 mm.

  • Substratos de SiC 6H-N/4H-N

    Estruturas monocristalinas de alta pureza para eletrônica de potência.

  • Bolachas de 150mm

    permitem melhores economias de escala em comparação com a fabricação de dispositivos de 100 mm.

Serviços de personalização

Oferecemos opções de personalização abrangentes, incluindo:

  • Especificações de materiais (resistividade, tipo de dopagem, etc.).
  • Otimização do tamanho do wafer (150 mm e maior).
  • Personalização do tratamento de superfície.
  • Revestimentos especiais (por exemplo, revestimentos ópticos).
Produtos de estoque
Tamanho Grossura Tipo Nota
2 polegadas 330μm 4H-N/4H-Semi/6H-Semi manequim/pesquisa/produção
3 polegadas 350μm 4H-N/4H-Semi HPSI manequim/pesquisa/produção
4 polegadas 350μm 4H-N/500μm HPSI manequim/pesquisa/produção
6 polegadas 350μm 4H-N/500μm 4H-Semi manequim/pesquisa/produção
Suporte Técnico

Para especificações técnicas detalhadas, consulte nosso PDF técnico de wafer de carboneto de silício de 150 mm.

Perguntas frequentes
  • Métodos de envio

    Se você tiver sua própria conta de correio na DHL, FedEx, TNT, UPS, EMS ou SF Express, podemos atuar como seu agente de remessa.

  • Métodos de pagamento

    T/T, PayPal, Western Union, MoneyGram, Carta de Crédito. Taxas bancárias: ≤ USD1000 para Western Union; T/T acima de USD1000 requer transferência telegráfica.

  • Prazo de entrega
    • Produtos em estoque: 5 dias úteis.
    • Produtos personalizados: 7 a 25 dias úteis (dependendo do volume do pedido).
  • Capacidades de personalização

    Podemos personalizar especificações de materiais, parâmetros de tamanho e revestimentos ópticos para atender às suas necessidades específicas.

PRODUTOS CONEXOS