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Sic Wafer HPSI：High-purity semi-insulating High thermal conductivity MPD controllable

Nome da marca:	ZMSH
Número do modelo:	Bolacha SiC HPSI
MOQ:	25
Preço:	Fluctuates with market
Tempo de entrega:	2-4 semanas
Condições de pagamento:	T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

Xangai,China

Polytype:

4H-SiC convencional

Diâmetro:

4/6/8 polegadas disponíveis

Grossura:

Os tamanhos padrão são 350μm, 500μm e 650μm

Resistividade:

≥1×10¹⁰ Ω・cm (especificação elétrica do núcleo HPSI)

Tratamento de superfície:

Polimento de espelho CMP unilateral/dupla face

Densidade de Micropipe:

Grau de produção em massa ≤1 ea/cm²

Descrição do produto

Information of HPSI SiC Wafers HPSI (High Purity Semi-Insulating) silicon carbide wafers are critical foundational substrates for high-frequency GaN RF devices and advanced third-generation semiconductors. With the rapid expansion of 5G communication, millimeter-wave radar and aerospace electronics markets, the global SiC substrate market is projected to exceed USD 2 billion by 2030, playing an irreplaceable strategic role in next-generation wireless communication and high

Etiquetas:

sic bolacha

sic carcaça

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