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Bolacha do carboneto de silicone de SIC da carcaça do semicondutor de 4H-N 8inch para fotovoltaico solar
  • Bolacha do carboneto de silicone de SIC da carcaça do semicondutor de 4H-N 8inch para fotovoltaico solar
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Bolacha do carboneto de silicone de SIC da carcaça do semicondutor de 4H-N 8inch para fotovoltaico solar

Lugar de origem China
Marca TANKBLUE
Certificação CE
Número do modelo 4h-n
Detalhes do produto
Materiais:
SIC de cristal
Tipo:
4h-n
Pureza:
99,9995%
resistividade:
0.015~0.028ohm.cm
Tamanho:
2-8inch 2inch, 3inch, 4inch, 6inch, 8inch
Espessura:
350um ou personalizado
MPD:
《2cm-2
Aplicação:
para o SBD, MOS Device
TTV:
《15um
Curva:
《25um
Urdidura:
《45um
Superfície:
CMP da Si-cara, PM da c-cara
Realçar: 

Bolacha de SIC da carcaça do semicondutor

,

Carcaça de 4H-N 8inch sic

,

Bolacha fotovoltaico solar do carboneto de silicone

Descrição do produto

categoria principal da produção do manequim das bolachas de 4inch 6inch 4H-N sic para SBD MOS Device, eletrônica alta de Crystal Quality For Demanding Power do semicondutor das bolachas de 4H-N 4inch 6inch sic, bolacha do carboneto de silicone de SIC da carcaça do semicondutor do tipo de 4H-N 8inch TANKBLUE para fotovoltaico solar

 

 

 

 

Vantagens do carboneto de silicone

  • Dureza

Há umas vantagens numerosas a usar o carboneto de silicone sobre umas carcaças de silicone mais tradicionais. Uma das vantagens principais é sua dureza. Isto dá ao material muitas vantagens, na alta velocidade, na alta temperatura e/ou em aplicações de alta tensão.

As bolachas do carboneto de silicone têm a condutibilidade térmica alta, que os meios eles podem transferir o calor de um ponto a um outro poço. Isto melhora suas condutibilidade elétrica e finalmente miniaturização, um dos objetivos comuns da comutação sic às bolachas.

  • Capacidades térmicas

Resistência alta a choque térmico. Isto significa que têm a capacidade para mudar rapidamente temperaturas sem quebrar ou se rachar. Isto cria uma vantagem clara ao fabricar dispositivos porque é uma outra característica da dureza que melhore a vida e o desempenho do carboneto de silicone em comparação com o silicone maioria tradicional.

 

Classificação

  As carcaças do carboneto de silicone sic podem ser divididas em duas categorias: (V-lubrificado) carcaças semi-isoladas do carboneto de silicone un-dopend da pureza alta e 4H-SEMI com resistividade alta (resistorivity ≥107Ω·cm), e carcaças condutoras do carboneto de silicone com baixa resistividade (a escala da resistividade é 15-30mΩ·cm).

Bolacha do carboneto de silicone de SIC da carcaça do semicondutor de 4H-N 8inch para fotovoltaico solar 0Bolacha do carboneto de silicone de SIC da carcaça do semicondutor de 4H-N 8inch para fotovoltaico solar 1Bolacha do carboneto de silicone de SIC da carcaça do semicondutor de 4H-N 8inch para fotovoltaico solar 2

 

 

Especificação

 
Tamanho:
8inch;
Diâmetro:
200mm±0.2;
Espessura:
500um±25;
Orientação de superfície:
4 para [11-20] ±0.5°;
Orientação do entalhe:
[1-100] ±1°;
Profundidade do entalhe:
1±0.25mm;
Micropipe:
<1cm2>
Encantar placas:
Nenhuns permitiram;
Resistividade:
0.015~0.028Ω;
EPD:
<8000cm2>
TED:
<6000cm2>
BPD:
<2000cm2>
TSD:
<1000cm2>
SF:
área<1>
TTV
≤15um;
Urdidura
≤40um;
Curva
≤25um;
Áreas polis:
≤5%;
Risco:
<5 and="" Cummulatioe="" Length="">
Microplaquetas/recortes:
Nenhuns permitem a largura e a profundidade de D>0.5mm;
Quebras:
Nenhum;
Mancha:
Nenhum
Borda da bolacha:
Chanfradura;
Revestimento de superfície:
Lado dobro polonês, CMP da cara do si;
Embalagem:
gaveta da Multi-bolacha ou único recipiente da bolacha;

 

 

Bolacha do carboneto de silicone de SIC da carcaça do semicondutor de 4H-N 8inch para fotovoltaico solar 3Bolacha do carboneto de silicone de SIC da carcaça do semicondutor de 4H-N 8inch para fotovoltaico solar 4

 

 

 

 

 

Corrente industrial

A corrente sic industrial do carboneto de silicone é dividida na preparação material da carcaça, no crescimento da camada epitaxial, na fabricação do dispositivo e em aplicações a jusante. Os monocristal do carboneto de silicone são preparados geralmente pela transmissão física do vapor (método de PVT), e as folhas epitaxial são geradas então pelo depósito de vapor químico (método do CVD) na carcaça, e os dispositivos relevantes são feitos finalmente. Na corrente industrial sic de dispositivos, devido à dificuldade da tecnologia de fabricação da carcaça, o valor da corrente industrial é concentrado principalmente na relação ascendente da carcaça.

 

 

A empresa de ZMSH fornece fornece bolachas de 100mm e de 150mm sic. Com sua dureza (é sic o segundo material o mais duro no mundo) e estabilidade sob o calor e a corrente de alta tensão, este material está sendo amplamente utilizado em diversas indústrias.

 

 

 

FAQ

 

Q: Que é a maneira de termo do transporte e do custo e do pagamento?

: (1) nós aceitamos 50% T/T adiantado e deixamos 50% antes da entrega por DHL, por Fedex, por EMS etc.

(2) se você tem sua própria conta expressa, é grande. Se não, nós poderíamos ajudá-lo a enviá-los.

O frete é de acordo com o pagamento real.

 

Q: Que é seu MOQ?

: (1) para o inventário, o MOQ é 3pcs.

(2) para produtos personalizados, o MOQ é 10pcs acima.

 

Q: Posso eu personalizar os produtos baseados em minha necessidade?

: Sim, nós podemos personalizar o material, as especificações e a forma, tamanho baseado em suas necessidades.

 

Q: Que é o prazo de entrega?

: (1) para os produtos padrão

Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis depois que você coloca a ordem.

Para produtos personalizados: a entrega é 2 ou 3 semanas depois que você coloca a ordem.

(2) para os produtos especial-dados forma, a entrega é as 4 semanas de trabalho depois que você coloca a ordem.

 

 

Contacte-nos

 

Monica Liu
Telefone: +86-198-2279 - 1220 (o whatsapp ou o skype estão disponível)

E-mail: monica@zmsh-materials.com
Empresa: SHANGHAI CO. DE COMÉRCIO FAMOSO, LTD.

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Endereço: Room.5-616, estrada de No.851 Dianshanhu, área de Qingpu
Cidade de Shanghai, China /201799
Nós somos foco no cristal do semicondutor (GaN; Sic; Safira; GaAs; InP; Silicone; MgO, LT/LN; etc.)

 

 

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