Detalhes dos produtos

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de 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC da bolacha de silicone do carboneto categoria principal do manequim da carcaça sic

Nome da marca:	zmsh
Número do modelo:	6inch-001
MOQ:	1pcs
Preço:	by case by FOB
Tempo de entrega:	dentro de 40days

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

China

aplicações:

dispositivo, conduzido, 5G, detector, eletrônica de poder

indústria:

bolacha do semicondctor

material:

semicondutor sic

cor:

verde ou branco ou azul

dureza:

9,0

tipo:

4H, 6H, lubrificado, nenhum-lubrificado,

Detalhes da embalagem:

Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, em umas gavetas de únicos recipientes

Habilidade da fonte:

50pcs/months

Destacar:

carcaça do carboneto de silicone do semicondctor

Carcaça de 6 polegadas sic

Do manequim da categoria bolacha sic

Descrição do produto

de 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC da bolacha de silicone do carboneto categoria principal do manequim da carcaça sic

bolacha da carcaça 350um de 6inch 4H-N 500mm sic para o dispositivo do pó

6 polegada de diâmetro, especificação da carcaça do carboneto de silicone (sic)
Categoria		Categoria zero de MPD	Categoria da produção	Categoria da pesquisa	Categoria do manequim

Diâmetro		150,0 mm±0.2mm

ThicknessΔ		350 μm±25μm ou 500±25un

Orientação da bolacha		Fora da linha central: 4.0° para< 1120=""> ±0.5° para a linha central de 4 H-N On: <0001> ±0.5° para 6H-SI/4H-SI

Plano preliminar		{10-10} ±5.0°

Comprimento liso preliminar		47,5 mm±2.5 milímetro

Exclusão da borda		3 milímetros

TTV/Bow /Warp		≤15μm/≤40μm/≤60μm

Densidade de Micropipe		cm2 ≤1	cm2 ≤5	cm2 ≤15	cm2 ≤100

Resistividade	4H-N	0.015~0.028 Ω·cm

	4/6H-SI	≥1E5 Ω·cm

Aspereza		Ra≤1 polonês nanômetro

		CMP Ra≤0.5 nanômetro

Quebras pela luz da alta intensidade		Nenhum		1 reservado, ≤2 milímetro	≤ cumulativo 10mm do comprimento, único length≤2mm

Encantar placas pela luz da alta intensidade		Área cumulativa ≤1%		Área cumulativa ≤2%	Área cumulativa ≤5%

Áreas de Polytype pela luz da alta intensidade		Nenhum		Area≤2% cumulativo	Area≤5% cumulativo

Riscos pela luz da alta intensidade		3 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer		5 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer	5 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer


Microplaqueta da borda		Nenhum		3 reservados, ≤0.5 milímetro cada um	5 reservados, ≤1 milímetro cada um

Contaminação pela luz da alta intensidade		Nenhum

Sobre nossa empresa

SHANGHAI CO. DE COMÉRCIO FAMOSO, LTD. localiza na cidade de Shanghai, que é a melhor cidade de China, e nossa fábrica é fundada na cidade de Wuxi em 2014.

Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico custiomized amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na ótica eletrónica e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D.

É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossos bons reputatiaons.

Etiquetas:

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Customized SiC Tray:CVD SiC SSiC Flat grooved High thermal conductivity Low coefficient of thermal expansion

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