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de 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC da bolacha de silicone do carboneto categoria principal do manequim da carcaça sic

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de 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC da bolacha de silicone do carboneto categoria principal do manequim da carcaça sic

4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC wafer Silicon Carbide sic Substrate Prime Dummy Grade
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Imagem Grande :  de 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC da bolacha de silicone do carboneto categoria principal do manequim da carcaça sic

Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: zmsh
Número do modelo: 6inch-001
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1pcs
Preço: by case by FOB
Detalhes da embalagem: Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, em umas gavetas de únicos recipientes
Tempo de entrega: dentro de 40days
Habilidade da fonte: 50pcs/months
Contato
Descrição de produto detalhada
aplicações: dispositivo, conduzido, 5G, detector, eletrônica de poder indústria: bolacha do semicondctor
material: semicondutor sic cor: verde ou branco ou azul
dureza: 9,0 tipo: 4H, 6H, lubrificado, nenhum-lubrificado,
Destacar:

carcaça do carboneto de silicone do semicondctor

,

Carcaça de 6 polegadas sic

,

Do manequim da categoria bolacha sic

de 4inch 6Inch 4H-N 500mm 350um SIC da bolacha de silicone do carboneto categoria principal do manequim da carcaça sic

bolacha da carcaça 350um de 6inch 4H-N 500mm sic para o dispositivo do pó

6 polegada de diâmetro, especificação da carcaça do carboneto de silicone (sic)
Categoria Categoria zero de MPD Categoria da produção Categoria da pesquisa Categoria do manequim
Diâmetro 150,0 mm±0.2mm
ThicknessΔ 350 μm±25μm ou 500±25un
Orientação da bolacha Fora da linha central: 4.0° para< 1120=""> ±0.5° para a linha central de 4 H-N On: <0001> ±0.5° para 6H-SI/4H-SI
Plano preliminar {10-10} ±5.0°
Comprimento liso preliminar 47,5 mm±2.5 milímetro
Exclusão da borda 3 milímetros
TTV/Bow /Warp ≤15μm/≤40μm/≤60μm
Densidade de Micropipe cm2 ≤1 cm2 ≤5 cm2 ≤15 cm2 ≤100
Resistividade 4H-N 0.015~0.028 Ω·cm
4/6H-SI ≥1E5 Ω·cm
Aspereza Ra≤1 polonês nanômetro
CMP Ra≤0.5 nanômetro
Quebras pela luz da alta intensidade Nenhum 1 reservado, ≤2 milímetro ≤ cumulativo 10mm do comprimento, único length≤2mm
Encantar placas pela luz da alta intensidade Área cumulativa ≤1% Área cumulativa ≤2% Área cumulativa ≤5%
Áreas de Polytype pela luz da alta intensidade Nenhum Area≤2% cumulativo Area≤5% cumulativo
Riscos pela luz da alta intensidade 3 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer 5 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer 5 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer
Microplaqueta da borda Nenhum 3 reservados, ≤0.5 milímetro cada um 5 reservados, ≤1 milímetro cada um
Contaminação pela luz da alta intensidade Nenhum

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Sobre nossa empresa
SHANGHAI CO. DE COMÉRCIO FAMOSO, LTD. localiza na cidade de Shanghai, que é a melhor cidade de China, e nossa fábrica é fundada na cidade de Wuxi em 2014.
Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico custiomized amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na ótica eletrónica e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D.
É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossos bons reputatiaons.
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etiqueta:

sic bolacha,

sic carcaça,

carcaça do carboneto de silicone

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A pureza alta un-lubrificou a bolacha do carboneto de silicone sic, carcaça do carboneto de silicone de 6Inch 4H-Semi sic

2 polegadas 6H - semi consumo da baixa potência da bolacha do carboneto de silicone para o detector

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