Wafer de carburo de silício 6H P-Type e 4H P-Type Zero MPD Produção Grade Dummy Dia 4inch 6inch

Wafer de carburo de silício 6H Tipo P e 4H Tipo P Zero MPD Produção de calibre Dia 4 polegadas 6 polegadas

Wafer de carburo de silício 6H P-Type & 4H P-Type resumo

Este estudo explora as propriedades e aplicações das wafers de carburo de silício (SiC) em politipos de tipo P 6H e 4H,com foco em wafers de qualidade de produção e de qualidade fictícia de densidade de microtubos zero (Zero MPD) com diâmetros de 4 polegadas e 6 polegadasAs placas de SiC de tipo P de 6H e 4H possuem estruturas cristalinas únicas, oferecendo elevada condutividade térmica, largas faixas de banda e excelente resistência a altas temperaturas, voltagens e radiação.Estas características tornam-nos ideais para aplicações de alto desempenho, como a eletrónica de potênciaA propriedade de MPD Zero dos wafers melhora ainda mais a sua qualidade, eliminando micropipes,que melhora significativamente a fiabilidade e o desempenho do dispositivoEste documento detalha o processo de fabrico, as características dos materiais e os casos potenciais de utilização destas placas de SiC em sistemas eletrónicos avançados, em especial para dispositivos de potência de alta eficiência.Componentes de RF, e outras aplicações industriais que exijam substratos de semicondutores robustos.

Gráfico de dados do Silicon Carbide Wafer 6H P-Type & 4H P-Type

4 polegadas de diâmetro de carburo de silício (SiC) Especificação do substrato

等级Grade			精选级 ((Z 级) Produção zero de MPD Classe (Classe Z)	工业级 (P 级) Produção padrão Grau (Grado P)	测试级 ((D 级) Grau D
Diâmetro			99.5 mm~100,0 mm
厚度 Espessura			350 μm ± 25 μm
晶片方向 Orientação da wafer			Fora do eixo: 2,0°-4,0° para a frente [1120] ± 0,5° para 4H/6H-P, No eixo: ∆111 ∆± 0,5° para 3C-N
微管密度 ※ Densidade de microtubos			0 cm-2
电阻率 ※ Resistividade	Tipo p 4H/6H-P		≤ 0,1 Ω ̊cm		≤ 0,3 Ω ̊cm
	Tipo n 3C-N		≤ 0,8 mΩ·cm		≤ 1 m Ω ̊cm
主定位边方向Orientação plana primária		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
主定位边长度 Largura plana primária			32.5 mm ± 2,0 mm
次定位边长度 Secundário Comprimento plano			18.0 mm ± 2,0 mm
2o ponto de orientação			Silício virado para cima: 90° CW. a partir de Prime flat ± 5,0°
边缘去除 Edge Exclusão			3 mm		6 mm
局部厚度变化/总厚度变化/??曲度/??曲度 LTV/TTV/Bow /Warp			≤ 2,5 μm/≤ 5 μm/≤ 15 μm/≤ 30 μm		≤ 10 μm/≤ 15 μm/≤ 25 μm/≤ 40 μm
表面粗??度 ※ Robustez			Ra≤1 nm polaco
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
边缘裂纹 (强光灯观测) Fissuras de borda por luz de alta intensidade			Nenhum		Comprimento acumulado ≤ 10 mm, comprimento único ≤ 2 mm
六方空洞 ((强光灯测)) ※ Placas hexadecimais por luz de alta intensidade			Área acumulada ≤ 0,05%		Área acumulada ≤ 0,1%
多型 ((强光灯观测) ※ Áreas de politipo por luz de alta intensidade			Nenhum		Área acumulada≤3%
Inclusões de carbono visuais			Área acumulada ≤ 0,05%		Área acumulada ≤ 3%
# A superfície do silício arranha-se por luz de alta intensidade			Nenhum		Comprimento acumulado ≤ 1 × diâmetro da wafer
崩边 ((强光灯观测) Chips de borda de alta intensidade de luz			Nenhuma largura e profundidade ≥ 0,2 mm		5 permitidos, ≤ 1 mm cada
- Contaminação da superfície do silício por alta intensidade.			Nenhum
包装 Embalagem			Cassete com várias placas ou recipiente de uma única placa

Propriedades do Wafer de Carbono de Silício 6H P-Type e 4H P-Type

As propriedades das placas de carburo de silício (SiC) em politipos de tipo 6H e 4H P, especificamente com produção de densidade de microplacas zero (Zero MPD) e graus fictícios, são as seguintes:

Estrutura cristalina:

6H-SiC: Estrutura hexagonal com seis bicamadas, proporcionando menor mobilidade de elétrons, mas maior condutividade térmica.

4H-SiC: Estrutura hexagonal com quatro bicamadas, oferecendo maior mobilidade de elétrons e melhor desempenho em dispositivos de alta potência e alta frequência.

Conductividade do tipo P:

Ambas as wafers são dopadas para criar condutividade de tipo P (impurezas de aceitador como boro ou alumínio), tornando-as ideais para dispositivos de energia que exigem o fluxo de portadores de carga positiva (buracos).

Densidade de microtubos zero (MPD zero):

Essas placas são produzidas sem micropipes, que são defeitos que podem enfraquecer a confiabilidade do dispositivo.

Ampla distância de banda:

Ambos os politipos possuem largas faixas de banda, com 4H-SiC a 3,26 eV e 6H-SiC a 3,0 eV, permitindo a operação em altas tensões e temperaturas.

Conductividade térmica:

As placas de SiC possuem alta condutividade térmica, crucial para a dissipação de calor eficiente na eletrônica de alta potência.

Alta tensão de ruptura:

Ambas as placas de SiC 6H e 4H têm campos elétricos de alta degradação, tornando-as adequadas para aplicações de alta tensão.

Diâmetro:

Os wafers estão disponíveis em diâmetros de 4 polegadas e 6 polegadas, suportando vários tamanhos de fabricação de dispositivos e padrões da indústria.

Essas propriedades tornam as wafers SiC de tipo 6H e 4H P com MPD zero essenciais para eletrônicos de alta potência, dispositivos de RF e aplicações em ambientes extremos.

A exposição da Silicon Carbide Wafer 6H P-Type & 4H P-Type

A aplicação do silicone carbide wafer 6H P-Type & 4H P-Type

As placas de carburo de silício (SiC) de tipo P 6H e 4H com densidade de micropipe zero (Zero MPD) têm diversas aplicações devido às suas propriedades elétricas, térmicas e mecânicas superiores.As principais aplicações incluem::

Eletrónica de potência:

Tanto as placas de SiC 6H como 4H são usadas em dispositivos eletrônicos de alta potência, como MOSFETs, diodos Schottky e tiristores.Sistemas de energia renovável (inversores solares), turbinas eólicas), e sistemas de energia industrial devido à sua capacidade de lidar com altas tensões, temperaturas e eficiências.

Dispositivos de alta frequência:

O 4H-SiC, com sua maior mobilidade eletrônica, é especialmente adequado para dispositivos de RF e microondas usados em sistemas de radar, comunicações por satélite e infraestrutura sem fio.Estes aparelhos beneficiam da capacidade do SiC para operar em altas frequências com baixa perda de energia.

Aeronáutica e Defesa:

A alta condutividade térmica, resistência à radiação e MPD zero tornam as placas de SiC ideais para aplicações aeroespaciais e de defesa, como amplificadores de potência, sensores,e sistemas de comunicação que operam em ambientes extremos.

Veículos elétricos (VE):

As placas de SiC são componentes-chave nos motores de veículos elétricos, incluindo carregadores e inversores de bordo, melhorando a eficiência energética, aumentando a autonomia e reduzindo a geração de calor nos carros elétricos.

Eletrônicos de alta temperatura:

Os Wafers de SiC® têm a capacidade de resistir a altas temperaturas sem degradação, o que os torna ideais para equipamentos industriais, exploração de petróleo e gás,e sistemas de exploração espacial que devem funcionar de forma fiável em ambientes térmicos adversos.

Energia renovável:

Os dispositivos de potência baseados em SiC ajudam a aumentar a eficiência da conversão de energia em sistemas de energia solar e eólica, minimizando as perdas de energia e permitindo a operação a altas tensões e temperaturas.

Dispositivos médicos:

As bolhas de SiC também são usadas em tecnologias médicas avançadas, incluindo equipamentos de imagem médica de alta potência e dispositivos que exigem materiais duráveis e de alto desempenho.

Essas aplicações alavancam a alta eficiência, confiabilidade e capacidade de operar em condições extremas, tornando as wafers 6H e 4H P-Type SiC indispensáveis na tecnologia de ponta.

Perguntas e respostas

P:Quais são os diferentes tipos de carburo de silício?

A: O carburo de silício (SiC) existe em vários politipos, que são estruturas cristalinas diferentes que resultam em diferentes propriedades físicas e eletrônicas.

4H-SiC (hexagonal):

Estrutura: Estrutura cristalina hexagonal com uma sequência repetitiva de quatro camadas.

Propriedades: Ampla distância de banda (3,26 eV), alta mobilidade eletrônica e alto campo elétrico de quebra.

Aplicações: Preferido para aplicações de alta potência, alta frequência e alta temperatura, como eletrônica de potência, veículos elétricos e dispositivos de RF, devido ao seu excelente desempenho elétrico.

6H-SiC (hexagonal):

Estrutura: Estrutura cristalina hexagonal com uma sequência repetitiva de seis camadas.

Propriedades: ligeiramente menor intervalo de banda (3,0 eV) e menor mobilidade de elétrons em comparação com 4H-SiC, mas ainda oferece alta condutividade térmica e resistência à alta tensão.

Aplicações: Usado em eletrônicos de potência, comutas de alta tensão e dispositivos que exigem alta estabilidade térmica.

3C-SiC (cúbico):

Estrutura: Estrutura cristalina cúbica, também conhecida como beta-SiC.

Propriedades: Tem um intervalo de banda menor (2,3 eV) e apresenta alta mobilidade eletrônica, mas é menos termicamente estável do que as formas hexagonais.

Aplicações: Comumente usado em dispositivos optoeletrônicos, sensores e sistemas microeletromecânicos (MEMS). Pode ser cultivado em substratos de silício, tornando-o mais compatível com a tecnologia de silício existente.

15R-SiC (romboédrico):

Estrutura: Estrutura cristalina rhomboédrica com uma sequência repetitiva de 15 camadas.

Propriedades: Tem um intervalo de banda intermediário (2,86 eV) e mobilidade eletrônica entre 4H e 6H-SiC, mas é menos comumente usado.

Aplicações: Raramente utilizado em aplicações comerciais devido à disponibilidade limitada e às propriedades menos favoráveis em comparação com os politipos 4H e 6H.

Outros politipos (por exemplo, 2H-SiC, 8H-SiC, 27R-SiC):

Existem mais de 200 politipos conhecidos de SiC, mas estes são menos comuns e não são amplamente utilizados em aplicações comerciais.Eles têm sequências de empilhamento únicas e variações em suas propriedades eletrônicas e térmicas.

Principais diferenças:

• As principais diferenças entre esses tipos estão em sua sequência de empilhamento, energia de banda, mobilidade de elétrons e adequação para diferentes aplicações.Os tipos mais significativos comercialmente são 4H-SiC e 6H-SiC devido às suas propriedades elétricas superiores, alta condutividade térmica e capacidade de operar em ambientes de alta potência, alta frequência e alta temperatura.

Esses diversos politipos tornam o carburo de silício um material versátil para várias aplicações eletrônicas e industriais de alto desempenho.