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Bolachas de SiC HPSI de Semicondutor de Alta Pureza – 2/3/4/6/8 Polegadas Grau Prime/Dummy/Pesquisa
As bolachas de Carboneto de Silício (SiC) HPSI (Semicondutor de Alta Pureza) são substratos semicondutores avançados projetados para aplicações de alta frequência, alta potência e alta temperatura. Disponíveis em diâmetros de 2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas e 8 polegadas, estas bolachas são oferecidas nos graus Prime (grau de produção), Dummy (teste de processo) e Pesquisa (experimental) para atender às diversas necessidades industriais e acadêmicas.
As bolachas de Grau Prime apresentam densidade de defeitos ultrabaixa e alta resistividade, tornando-as ideais para dispositivos de RF, amplificadores de potência e aplicações de computação quântica. O Grau Dummy fornece soluções econômicas para otimização de processos na fabricação de semicondutores, enquanto o Grau Pesquisa suporta estudos de materiais de ponta e desenvolvimento de protótipos.
Com condutividade térmica superior (> 490 W/m·K) e uma ampla banda proibida (3,2 eV), as bolachas de SiC HPSI permitem eletrônicos de última geração para comunicações 5G, aeroespacial e sistemas de veículos elétricos (EV).Tabela de Especificações
Propriedades
Especificação | Tipo |
4H-Semi | Resistividade |
≥1E8ohm·cm | Espessura |
500±25μm | No eixo |
Fora do eixo | <0001> |
0±0.25° | TTV |
≤5μm | BOW |
-25μm~25μm | Wrap |
≤35μm | Rugosidade da face frontal (face Si) |
Ra≤0.2nm(5μm*5μm) | Aplicações de |
Bolachas HPSI1. Dispositivos de RF e Micro-ondas
- Estações Base 5G: Amplificadores de alta potência com baixa perda de sinal.
- Sistemas de Radar: Desempenho estável em aeroespacial e defesa.
2. Eletrônica de Potência
- Inversores EV: Comutação eficiente de alta tensão.
- Carregadores Rápidos: Designs compactos e de alta eficiência.
3. Pesquisa de Alta Tecnologia
- Estudos de Banda Proibida Ampla: Pesquisa sobre as propriedades do material SiC.
4. Desenvolvimento de Processos Industriais
- Bolachas Dummy: Calibração de equipamentos em fábricas de semicondutores.
Perguntas Frequentes (FAQ)
1. O que define "Semicondutor" SiC?
SiC semicondutor tem resistividade extremamente alta, minimizando o vazamento de corrente em dispositivos de RF e alta potência.
2. Estas bolachas podem ser personalizadas?
Sim, oferecemos personalização de dopagem, espessura e acabamento de superfície para os graus Prime e Pesquisa.
3. Qual é a diferença entre os graus Prime e Dummy?
- Prime: Fabricação de dispositivos (baixos defeitos).
- Dummy: Teste de processo (custo otimizado).
4. Como as bolachas são embaladas?
Embalagens seladas a vácuo para uma única bolacha
5. Qual é o prazo de entrega típico?
- 2-4 semanas para tamanhos padrão.
- 4-6 semanas para especificações personalizadas.
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