Detalhes do produto
Lugar de origem: China
Marca: zmsh
Certificação: rohs
Termos de pagamento e envio
material: |
HPSI SiC |
Grau: |
Prime/Dummy/Research |
Tipo: |
4H-semi |
Orientação: |
<0001> |
Tamanho: |
2/3"/4"/6"/8" |
Espessura: |
500 ± 25 μm |
TTV: |
≤ 5 μm/≤ 10 μm/≤ 15 μm |
Incline-se.: |
-25μm~25μm/ -35μm~35μm/ -45μm~45μm |
envoltório: |
≤ 35 μm ≤ 45 μm ≤ 55 μm |
material: |
HPSI SiC |
Grau: |
Prime/Dummy/Research |
Tipo: |
4H-semi |
Orientação: |
<0001> |
Tamanho: |
2/3"/4"/6"/8" |
Espessura: |
500 ± 25 μm |
TTV: |
≤ 5 μm/≤ 10 μm/≤ 15 μm |
Incline-se.: |
-25μm~25μm/ -35μm~35μm/ -45μm~45μm |
envoltório: |
≤ 35 μm ≤ 45 μm ≤ 55 μm |
HPSI Wafers de SiC de alta pureza semi-isolantes 2/3/4/6/8 polegadas Prime/Dummy/Research Grade
As wafers de carburo de silício (SiC) HPSI (High Purity Semi-Isolating) são substratos de semicondutores avançados projetados para aplicações de alta frequência, alta potência e alta temperatura.3 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas e 8 polegadas de diâmetro, estas placas são oferecidas em Prime (grado de produção), Dummy (teste de processo) e pesquisa (experimental) graus para atender a diversas necessidades industriais e acadêmicas.
As placas Prime Grade apresentam densidade de defeito ultra baixa e alta resistividade, tornando-as ideais para dispositivos de RF, amplificadores de potência e aplicações de computação quântica.O Dummy Grade fornece soluções econômicas para otimização de processos na fabricação de semicondutores, enquanto o Grau de Investigação apoia estudos de material de ponta e desenvolvimento de protótipos.
Com uma condutividade térmica superior (> 490 W/m·K) e uma banda larga (3,2 eV), os wafers HPSI SiC permitem a eletrônica de próxima geração para comunicações 5GA Comissão propõe uma nova abordagem para os sistemas de veículos elétricos.
Tabela de especificações
Propriedade | Especificações |
Tipo | 4H-Semi |
Resistividade | ≥ 1 E8 ohm·cm |
Espessura | 500 ± 25 μm |
No eixo | <0001> |
Fora do eixo | 0 ± 0,25° |
TTV | ≤ 5 μm |
Arco-íris | -25 μm~25 μm |
Enrolar | ≤ 35 μm |
Roughness frontal (Si-face) | Ra≤0,2 nm ((5 μm*5 μm) |
Aplicações deWafers HPSI
1. Dispositivos de RF e Microondas
- Estações base 5G: amplificadores de alta potência com baixa perda de sinal.
- Sistemas de radar: desempenho estável na aviação e na defesa.
2Eletrónica de Potência
- Inversores EV: comutação de alta tensão eficiente.
- Carregadores rápidos: projetos compactos e de alta eficiência.
3Investigação de alta tecnologia
- Estudos de banda larga: investigação sobre as propriedades dos materiais SiC.
4Desenvolvimento de processos industriais
Calibração de equipamento em fábricas de semicondutores.
Perguntas Frequentes (FAQ)
1O que define "semi-isolante" SiC?
O SiC semi-isolante tem uma resistência extremamente alta, minimizando o vazamento de corrente em RF e dispositivos de alta potência.
2Estas wafers podem ser personalizadas?
Sim, oferecemos dopagem, espessura e acabamento de superfície personalizados para os grades Prime e Research.
3Qual é a diferença entre as notas Prime e Dummy?
- Prime: Fabricação de aparelhos (menos defeitos).
Testes de processos (optimizados em termos de custos).
4Como é que as wafers são embaladas?
Embalagens isoladas a vácuo de uma única wafer
5Qual é o tempo de entrega típico?
- 2 a 4 semanas para tamanhos normais.
- De 4 a 6 semanas para especificações personalizadas.