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Detalhes dos produtos

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Created with Pixso. HPSI Bolachas de SiC Semi-isolantes de Alta Pureza 2"3"4"6" 8" Grau Prime/Dummy/Pesquisa

HPSI Bolachas de SiC Semi-isolantes de Alta Pureza 2"3"4"6" 8" Grau Prime/Dummy/Pesquisa

Nome da marca: zmsh
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
China
Certificação:
rohs
Material:
HPSI SiC
Nota:
Prime/Dummy/Research
Tipo:
4H-SEMI
Orientação:
<0001>
Tamanho:
2/3"/4"/6"/8"
Grossura:
500 ± 25 μm
TTV:
≤ 5 μm/≤ 10 μm/≤ 15 μm
Arco:
-25μm~25μm/ -35μm~35μm/ -45μm~45μm
envoltório:
≤ 35 μm ≤ 45 μm ≤ 55 μm
Destacar:

Wafers SIC de alta pureza

,

Prime Dummy SiC Wafers

,

Wafers de SiC de nível de investigação

Descrição do produto

Bolachas de SiC HPSI de Semicondutor de Alta Pureza – 2/3/4/6/8 Polegadas Grau Prime/Dummy/Pesquisa

 


As bolachas de Carboneto de Silício (SiC) HPSI (Semicondutor de Alta Pureza) são substratos semicondutores avançados projetados para aplicações de alta frequência, alta potência e alta temperatura. Disponíveis em diâmetros de 2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas e 8 polegadas, estas bolachas são oferecidas nos graus Prime (grau de produção), Dummy (teste de processo) e Pesquisa (experimental) para atender às diversas necessidades industriais e acadêmicas.

As bolachas de Grau Prime apresentam densidade de defeitos ultrabaixa e alta resistividade, tornando-as ideais para dispositivos de RF, amplificadores de potência e aplicações de computação quântica. O Grau Dummy fornece soluções econômicas para otimização de processos na fabricação de semicondutores, enquanto o Grau Pesquisa suporta estudos de materiais de ponta e desenvolvimento de protótipos.

Com condutividade térmica superior (> 490 W/m·K) e uma ampla banda proibida (3,2 eV), as bolachas de SiC HPSI permitem eletrônicos de última geração para comunicações 5G, aeroespacial e sistemas de veículos elétricos (EV).Tabela de Especificações

 

HPSI Bolachas de SiC Semi-isolantes de Alta Pureza 2"3"4"6" 8" Grau Prime/Dummy/Pesquisa 0

 


 

 

Propriedades

 

Especificação Tipo
4H-Semi Resistividade
≥1E8ohm·cm Espessura
500±25μm No eixo
Fora do eixo <0001>
0±0.25° TTV
≤5μm BOW
-25μm~25μm Wrap
≤35μm Rugosidade da face frontal (face Si)
Ra≤0.2nm(5μm*5μm) Aplicações de

 

 


 

Bolachas HPSI1. Dispositivos de RF e Micro-ondas

 

 

- Estações Base 5G: Amplificadores de alta potência com baixa perda de sinal.
- Sistemas de Radar: Desempenho estável em aeroespacial e defesa.
2. Eletrônica de Potência

 

- Inversores EV: Comutação eficiente de alta tensão.
- Carregadores Rápidos: Designs compactos e de alta eficiência.
3. Pesquisa de Alta Tecnologia

 

- Estudos de Banda Proibida Ampla: Pesquisa sobre as propriedades do material SiC.
4. Desenvolvimento de Processos Industriais

 

- Bolachas Dummy: Calibração de equipamentos em fábricas de semicondutores.
Perguntas Frequentes (FAQ)

 


HPSI Bolachas de SiC Semi-isolantes de Alta Pureza 2"3"4"6" 8" Grau Prime/Dummy/Pesquisa 1HPSI Bolachas de SiC Semi-isolantes de Alta Pureza 2"3"4"6" 8" Grau Prime/Dummy/Pesquisa 2

 

 


 

1. O que define "Semicondutor" SiC?

 

 

SiC semicondutor tem resistividade extremamente alta, minimizando o vazamento de corrente em dispositivos de RF e alta potência.

2. Estas bolachas podem ser personalizadas?

 

Sim, oferecemos personalização de dopagem, espessura e acabamento de superfície para os graus Prime e Pesquisa.
3. Qual é a diferença entre os graus Prime e Dummy?

 

- Prime: Fabricação de dispositivos (baixos defeitos).
- Dummy: Teste de processo (custo otimizado).
4. Como as bolachas são embaladas?

 

Embalagens seladas a vácuo para uma única bolacha
5. Qual é o prazo de entrega típico?

 

- 2-4 semanas para tamanhos padrão.
- 4-6 semanas para especificações personalizadas.
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