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[sic substrate ]

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Wafer de carburo de silício tipo 4H-N de 2 a 12 polegadas.

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6 7 8 9 10 11 12 13

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Wafer de carburo de silício de 4 polegadas Sic Tipo 6H-P Espessura 350μm Grau zero / Prime Grau Dummy Grade

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Wafer epitaxial SiC de 4 polegadas 4H-N Diâmetro 100 mm Espessura 350 μm Prime Grade

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2 polegadas 4H-P SIC Wafer de carburo de silício para fotovoltaicos espessura 350μm Diâmetro 50,8mm Grau zero

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Wafer Sic de carburo de silício de 4 polegadas Tipo 4H-P Diâmetro de 100 mm Espessura de 350 μm Prime Grade Grade de pesquisa

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55mm/1010mm Espessura de wafer de carburo de silício 350μm Sic 3C-N Tipo Alta resistência mecânica Grau de produção

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Wafer de sementes de SiC 4H N Tipo Dia 153 155 2 polegadas-12 polegadas Personalizado para fabricação de MOSFETs

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2" InSb-Te EPI Substratos Semicondutores de banda estreita Substratos Hall Componentes

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2 polegadas SIC Silicon Carbide Wafer Tipo 4H-N Para MOS Dispositivo Dia 0.4mm

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Dureza personalizada da carcaça do carboneto de silicone do tamanho 9,4 sic porções para o equipamento

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CVD SiC Epitaxy Wafer 2 polegadas 3 polegadas 4 polegadas 6 polegadas espessura de epitaxia 2,5-120 um para energia eletrônica

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O tamanho personalizado 5x5mm 0.5x0.5mm 4H-N lasca SIC placas

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Material do semicondutor das bolachas de 4H-N 4inch 6inch sic para SBD MOS Device

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