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Wafer de sementes de SiC 4H N Tipo Dia 153 155 2 polegadas-12 polegadas Personalizado para fabricação de MOSFETs

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Wafers de silício personalizados de 4 polegadas (100 mm): espessura de 350 μm, <100> orientação, DSP/SSP, dopagem tipo N/P

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